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LB andとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 AN/SPS-49。


電気・電子用語集での「LB and」の意味

L-Band


「LB and」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 832



例文

L and C of each circuit satisfy Equation (1): 150(kHz)<1/(2π√(Cc1(La+Lb)))<300(kHz) and Equation (2): 20(kHz)>1/(2π√Cc1×Cz/(Cc1+Cz)+Lc+Ln+La+Lb).例文帳に追加

150(kHz)<1/(2π√(Cc1(La+Lb))<300(kHz) ・・・(1) 20(kHz)>1/(2π√(Cc1×Cz/(Cc1+Cz)+Lc+Ln+La+Lb)) ・・・(2) - 特許庁

LB FILM THAT CAN GIVE ELECTRICAL CONDUCTIVITY AND ELECTRICAL CONDUCTIVE LB FILM例文帳に追加

導電性付与可能なLB膜及び導電性LB膜 - 特許庁

The beam M_LB' passing through the beam diffusion plate 44 is made a diffusion beam M_LB' having the radially uniform power density distribution in a beam passage 45, and a part of the diffusion beams M_LB' is incident on the beam receiving surface 26a of the beam detector 26.例文帳に追加

光拡散板44を抜けた光M_LB'は光通路45内で径方向一様なパワー密度分布を有する拡散光M_LB'となり、この拡散光M_LB'の一部が光検出器26の受光面26aに入光する。 - 特許庁

The laser beams LB-H and LB-L respectively emitted from the laser chips 21 and 22 cross each other at a prescribed location.例文帳に追加

半導体レーザチップ21、22から出射するレーザ光LB-H、LB-Lは所定位置で交差する。 - 特許庁

METAL COMPLEX NANO-CRYSTAL LB FILM AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

金属錯体ナノ結晶LB膜及びその製造方法 - 特許庁

COMPOSITE LB FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

複合LB膜及びその製造方法 - 特許庁

例文

LB FILM OF HETERO METAL COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ金属錯体LB膜及びその製造方法 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「LB and」の意味

L band


Weblio英和対訳辞書での「LB and」の意味

L band

Lバンド
AN/SPS-49。
Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

ウィキペディア英語版での「LB and」の意味

L band

出典:『Wikipedia』 (2011/03/20 00:41 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用
引用
L band refers to four different bands of the electromagnetic spectrum: 40 to 60 GHz (NATO), 1 to 2 GHz (IEEE), 1565 nm to 1625 nm (optical), and around 3.5 micrometres (infrared astronomy).

「LB and」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 832



例文

The grating 23 corrects the optical paths of the laser beams LB-H and LB-L along almost equal optical axes at the location where the laser beams LB-H and LB-L emitted from the laser chips 21 and 22 cross each other.例文帳に追加

この回析格子23が、二つの半導体レーザチップ21、22から出射するレーザ光LB-H、LB-Lの交差する位置にあって、レーザ光LB-H、LB-Lの光路をほぼ同一の光軸上に沿ってほぼ平行に補正している。 - 特許庁

Next, the overdrive module 215 calculates the first amount of compensation La=α*(Yc-Yp) and the second amount of compensation Lb=256-β*(256-(Yc-Yp)) and selects the amount of compensation of the smaller value out of La and Lb.例文帳に追加

次に、オーバードライブモジュール215は、第1の補償量La = α*(Yc - Yp)と、第2の補償量Lb = 256-β*(256-(Yc - Yp))とを算出し、そしてLa とLb の中から、値の小さい方の補償量を選択する。 - 特許庁

Laser beams (LA, LB) from a light source part (1) are deflected by one polygon mirror (2), and the two laser beams (LA, LB) deflected by the polygon mirror (2) are refracted by a common lens (3).例文帳に追加

光源部(1)からのレーザー光(LA,LB)は1つのポリゴンミラー(2)で偏向され、ポリゴンミラー(2)で偏向した2本のレーザー光(LA,LB)は共通レンズ(3)で屈折する。 - 特許庁

A beam diffusion plate 44 diffuses the beam-shaped leaking beams M_LB from a bent mirror 34 being a part of laser beams LB emitted from the terminating face 14a of the optical fiber 14 at a random angle with respect to the angle of incidence, and passes the beams M_LB backwardly.例文帳に追加

光拡散板44は、光ファイバ14の終端面14aより出たレーザ光LBの一部であるベントミラー34からのビーム状の漏れ光M_LBを入射角に対してランダムな角度で分散させて後方に通す。 - 特許庁

The laser beam machining apparatus includes: a laser beam source 1 for emitting a laser beam LB; an optical element 3 that utilizes diffraction for diffracting the laser beam LB in a direction parallel to a planned cutting line SL; and a condensing lens 4 that condenses, inside a workpiece 10, the laser beam LB diffracted by the optical element 3 utilizing diffraction.例文帳に追加

レーザ光LBを出射するレーザ光源1と、レーザ光LBを割断予定ラインSLに平行な方向に回折させる回折を利用した光学素子3と、回折を利用した光学素子3で回折されたレーザ光LBを加工対象物10の内部に集光する集光レンズ4と、を有することを特徴とするレーザ加工装置。 - 特許庁

A reference section 31 does not radiate fluorescence to the light of the light sources LA and LB and is used for the determination of radiation of fluorescence in the patches 32A and 32B.例文帳に追加

参照部31は、光源LA、LBの光に対して蛍光を放射せず、パッチ32A、32Bにおける蛍光の放射の判定に利用される。 - 特許庁

A first coil La and a second foil Lb are formed in a ceramic laminate 10a composed of a magnetic ceramic layer 11 and a covering ceramic layer 12.例文帳に追加

磁性体セラミックス層11、カバー用のセラミックス層12からなるセラミックス積層体10a内に、第1コイルLaと第2コイルLbが形成されている。 - 特許庁

例文

A formula (I) La≥H and a formula (II) LbH are formulized in relation to width (La), depth (Lb) and height (H).例文帳に追加

又、幅(La)、奥行き(Lb)、高さ(H)の間に次の式(I)、(II)に示す関係が成立しているものLa≧H———(I)Lb≧H———(II) - 特許庁

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