MR 41とは 意味・読み方・使い方

Flanges 41, 42 are respectively disposed on both sides of a detection part 43 of the MR sensor 25, a screw 53 inserted through a screw insertion hole 47 disposed on one side flange 41 is screwed into a female screw hole 54 of the barrel 5 side and, thereby, the MR sensor 25 is fixed to the barrel 5.例文帳に追加

ＭＲセンサ２５の検出部４３に対してその両側にそれぞれフランジ４１、４２を設けるようにし、一方のフランジ４１に設けられているねじ挿通孔４７を挿通するねじ５３を鏡筒５側の雌ねじ孔５４に螺着し、これによってＭＲセンサ２５を鏡筒５に固定する。 - 特許庁

Consequently, a magnetoresistive(MR) element 47 comes into contact with a magnetic body layer 25 irrelevantly to whether the tip of the pressure spring 41 slants, and the gap between the entire surface of the MR element 47 and the magnetic body layer 25 is held at a prescribed value by a spacer film 49.例文帳に追加

これにより、加圧ばね４１の先端の傾きに拘わらず、ＭＲ素子４７が磁性体層２５に対して密着することになり、ＭＲ素子４７の全面と磁性体層２５との間隙がスペーサフィルム４９により規定値に保たれる - 特許庁

When the resist film 64 is removed, the insulation base layer 45 clamping the MR film 41 and the magnetic domain control film 42 remains on the surface of the base layer 34.例文帳に追加

レジスト膜６４が除去されると、基礎層３４の表面には、ＭＲ膜４１および磁区制御膜４２を挟み込む絶縁下地層４５が残存する。 - 特許庁

The spacer layer 24 has a first region 41; a second region 42; and a third region 43 shaped like a layer, and arranged in a direction crossing the face of each layer of the MR element.例文帳に追加

スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。 - 特許庁

Second gap layers 461 and 462 fill a space between the MR film 30 and the magnetic domain control layers 21 and 22 and the first shield layer 28, and a space between the first gap layer 305 and the electrode layers 25 and 26 and the second shield layer 41.例文帳に追加

第２のギャップ層４６１、４６２は、ＭＲ膜３０及び磁区制御層２１、２２と、第１のシールド層２８との間、及び、第１のギャップ層３０５及び電極層２５、２６と、第２のシールド層４１との間を埋めている。 - 特許庁

On the surface of a base layer 34 (non-magnetic gap layer), the continuous body 65 of the MR film 41 and a magnetic domain control film 42 is formed under a resist film 64.例文帳に追加

基礎層３４（非磁性ギャップ層）の表面では、レジスト膜６４下でＭＲ膜４１および磁区制御膜４２の連続体６５は形成される。 - 特許庁

In parallel to forming of theses elements, a contact hole and wiring 26, 33, 41 connecting electrically at least one side of the MR element 32 and the thin film coil 42 and the transistor are formed.例文帳に追加

これらの素子の形成と並行して、ＭＲ素子３２及び薄膜コイル４２の少なくとも一方とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトホール及び配線２６，３３，４１を形成する。 - 特許庁

The subject MR imaging device gives n-number of 180° pulses 42 and 42 and respectively one 90° pulses 41 and 43 before and after them during a time 2τ as the nonselective forced inversion pulses.例文帳に追加

非選択的強制反転パルスとして、ｎ個の１８０°パルス４２、４２、…とその前後の１つずつの９０°パルス４１、４３とを時間２τの間に与える。 - 特許庁