P-450とは 意味・読み方・使い方

A yield strength of 450 to 470 MPa can be obtained owing to solid solution strengthening by solid solution strengthening elements such as C and N, and solid solution strengthening and crystal grain refinement strengthening by P and Mn.例文帳に追加

C、Nなどの固溶強化元素により固溶強化、P、Mnによる固溶強化および結晶粒微細化強化により、450〜470MPaの降伏強度を得る。 - 特許庁

The transparent inspection seal (450) is pasted on a case cover (300) of the board case which houses a main control board (100), and an inspection history such as the unsealing of the main control board is written on the inspection seal (450) by a fluorescence pen (P).例文帳に追加

主制御基板（１００）を収容する基板ケースのケースカバー（３００）に透明な検査シール（４５０）を貼付し、ここに主制御基板を開封等した検査履歴を蛍光ペン（Ｐ）で書き込む。 - 特許庁

The liquid crystal, a cell gap and the chiral agent are selected in such a manner that 450×d/p+290≤Δnd≤459×d/p+590 is satisfied, when the refractive index anisotropy of the liquid crystal, the cell gap and the helical pitch of the chiral agent are defined as Δn, d (nm) and p (nm), respectively.例文帳に追加

更に、液晶の屈折率異方性をΔｎ、セルギャップをｄ（ｎｍ）、カイラル剤のヘリカルピッチをｐ（ｎｍ）としたときに、４５０×ｄ／ｐ＋２９０≦Δｎｄ≦４５９×ｄ／ｐ＋５９０を満足するように、液晶、セルギャップ及びカイラル剤を選択する。 - 特許庁

The thin-film transistor formed on a substrate is composed of only a P type and the highest processing temperature in the manufacturing process for the thin-film transistor is ≤450°.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜トランジスタがＰ型のみで構成され、かつ、前記薄膜トランジスタの製造工程における最高処理温度が４５０度以下であることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 - 特許庁

(3) 0≤Ti≤12.5 and (4) 0≤Sb<300.例文帳に追加

(1)50≦M≦450、(2)0.1≦(M/P)≦6.0、(3)0≦Ti≦12.5(4)0≦Sb＜300(上記式中、Mは化合物(a)によるアルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素の合計元素、Pは化合物(b)によるリン元素、Tiは化合物(c)によるチタン元素、Sbは化合物(c)によるアンチモン元素の、それぞれポリエステル組成物中の含有量(ppm)を示す。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

The p/n-inversion region caused by thermal donor generation is formed at a depth position not contacting the device activation region and the depletion region to be formed so as to contact therewith when heat treatment at 450°C for one hour is applied, and the depth position exceeds 8 μm from the surface.例文帳に追加

前記サーマルドナー発生に起因するｐ／ｎ反転部は、４５０℃にて１時間加熱する処理を行った場合に、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置に形成され、そして、その深さ位置は、表面から８μｍを超えるものである。 - 特許庁