PMIsとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device includes the NMIS transistor formed on the NMIS region (3) on a semiconductor substrate (1), a PMIS transistor formed on the PMIS region (4) formed so as to have a space between the NMIS region (3) on the semiconductor substrate (1), and continuous stressed insulating films (22, 22a) having the internal stress.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板(1)におけるＮＭＩＳ領域(3)上に形成されたＮＭＩＳトランジスタと、半導体基板(1)におけるＮＭＩＳ領域(3)と間隔をおいて形成されたＰＭＩＳ領域(4)上に形成されたＰＭＩＳトランジスタと、半導体基板(1)上に、ＮＭＩＳトランジスタとＰＭＩＳトランジスタとを覆うように形成され、内部応力を有する連続した応力絶縁膜(22、22a)とを備える。 - 特許庁

The high-permittivity gate insulating film 102 is formed at the nMIS and pMIS formation regions on a single-crystal silicon substrate 100, a first metal film 103 without containing silicon and germanium is formed on the gate insulating film 102, the first metal film 103 is allowed to remain on the gate insulating film at the pMIS formation region, and the first metal film 103 is removed at the nMIS formation region.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１００のｎＭＩＳおよびｐＭＩＳ形成領域に高誘電率ゲート絶縁膜１０２を形成し、ゲート絶縁膜１０２上にシリコンおよびゲルマニウムを含まない第一の金属膜１０３を形成し、ｐＭＩＳ形成領域のゲート絶縁膜上に第一の金属膜１０３を残して、ｎＭＩＳ形成領域の第一の金属膜１０３を除去する。 - 特許庁

On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

To make optimum, in a PMIS transistor and an NMIS transistor, a current driving capability of transistors constituting a semiconductor circuit device by the alteration of a layout.例文帳に追加

レイアウト変更によって半導体回路装置を構成するトランジスタの電流駆動能力をＰＭＩＳトランジスタ及びＮＭＩＳトランジスタでそれぞれ最適化できるようにする。 - 特許庁

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reliable semiconductor device by suppressing a change in the work function of a dual metal gate electrode provided on a high-permittivity gate insulating film at nMIS and pMIS formation regions.例文帳に追加

ｎＭＩＳおよびｐＭＩＳ形成領域の高誘電率ゲート絶縁膜上に設けられたデュアルメタルゲート電極の仕事関数の変化を抑制して、信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

First sidewalls 16a, 16b each having a tensile stress are formed on the side faces of the gate electrode 14a of an NMIS transistor and the gate electrode 14b of a PMIS transistor.例文帳に追加

ＮＭＩＳトランジスタのゲート電極１４ａ及びＰＭＩＳトランジスタのゲート電極１４ｂの側面上に、引張応力を有する第１のサイドウォール１６ａ、１６ｂを形成する。 - 特許庁