Positive Photomaskとは 意味・読み方・使い方

By using the reversed pattern to expose a positive resist, a photomask responding to a fine pattern can be produced in a short exposure time.例文帳に追加

この反転パターンを、ポジ型レジストを用いて露光することにより、微細なパターンに対応したフォトマスクを、短い露光時間で作成することができる。 - 特許庁

An original color filter 2 obtained by applying a positive photoresist 16 to a substrate 23 is exposed through the photomask 1 and the exposed original color filter is developed to obtain an intermediate color filter 3.例文帳に追加

基板２３にポジ型フォトレジスト１６を塗布したカラーフィルタ２に、フォトマスク１を介して露光し、現像を行うことで、カラーフィルタ３が得られる。 - 特許庁

The exposure apparatus includes: a flashing light source; a carrier device for carrying the substrate in a positive direction of Y axis; a photomask arranged between the light source and the substrate; and a blind shutter located between the light source and the photomask for light shielding.例文帳に追加

露光装置は、点滅式光源と、基板をＹ軸正方向に搬送する搬送装置と、光源と基板との間に配置されるフォトマスクと、光源とフォトマスクとの間に位置し、光を遮光するブラインドシャッターとを備える。 - 特許庁

In the process of forming a pattern with a design tool, a desired pattern to be formed on a photomask and a circular pattern in the size corresponding to a wafer diameter with reversed positive/negative images are prepared.例文帳に追加

設計ツールでのパターン作成時に、フォトマスク上に形成したいパターンと、ウエハ径に相当する大きさの円形パターンをポジ・ネガ反転させたパターンを用意する。 - 特許庁

After pattern exposure is carried out, by irradiating the resist film 11 made of positive chemical amplification type resist with an energy beam via a photomask, the resist film 11 is heated.例文帳に追加

ポジ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜１１にフォトマスクを介してエネルギービームを照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜１１を加熱する。 - 特許庁

To provide a photomask for manufacturing a color filter having no visible display irregularity caused by a residual resist or lacking of an alignment control projection in a seamed part even when exposure is performed by dividing one screen for the color filter into two lateral parts in proximity exposure using a positive photoresist and one photomask.例文帳に追加

ポジ型フォトレジストを用い、１枚のフォトマスクを用いた近接露光で、カラーフィルタの１画面を左右に２分割した露光を行っても、継ぎ部にレジスト残りや配向制御突起の欠けに起因する表示ムラを観視させないカラーフィルタを製造するフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a drawing method applicable to an ordinary drawing system using a positive resist and drawing patterns by irradiating the portions where there is no pattern data with an electron beam or laser beam in the drawing method for a photomask with the additional patterns provided with the additional patterns for making the pattern density of the photomask uniform and to provide a method for forming the pattern data used therefor.例文帳に追加

フォトマスクのパタン密度を均一化する付加パタンを設けた、付加パタン付きフォトマスクの描画方法で、ポジレジストを用い、パタンデータの無い部分に電子ビームまたはレーザ光を照射して描画する、通常の描画方式に適用できる描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask with which fine projections for alignment control can be formed even when a positive photoresist is used upon forming projections for alignment control and is exposed by proximity exposure.例文帳に追加

配向制御用突起を形成する際にポジ型フォトレジストを用い、近接露光で露光を行っても、微細な配向制御用突起を形成することのできるフォトマスクを提供する。 - 特許庁