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SI jointとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 仙腸関節
「SI joint」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加
素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁
The first bonding film 31 is made of amorphous silicon including Si-H joint, and the second bonding film 32 is made of polysilicon including Si-H joint.例文帳に追加
ここで、第1の接合膜31はSi−H結合を含むアモルファスシリコンで構成され、第2の接合膜32はSi−H結合を含む多結晶シリコンで構成されている。 - 特許庁
When the SiGeC semiconductor film is formed by CVD method, a cyril methane gas including Si-C-Si joint is used as a C source gas.例文帳に追加
CVD法でSiGeC半導体膜を形成するにあたり、C源ガスとしてSi−CーSi結合を含むシリルメタン系ガスを使用する。 - 特許庁
The respective bonding films 31 and 32 are made of amorphous silicon including Si-H joint respectively.例文帳に追加
各接合膜31、32は、それぞれSi−H結合を含むアモルファスシリコンで構成されている。 - 特許庁
Thus, thermal durability at the electrical joint part with the Si chip 1 is improved.例文帳に追加
このため、Siチップ1との電気的な接合部における冷熱耐久性を向上させることができる。 - 特許庁
A contactor 7 is constituted of an Si board having a probe 15, an LSI chip 17 having a semiconductor inspection circuit and an Si tray 18 to match the joint position with the LSI chip 17 with a tapered mechanism 22.例文帳に追加
コンタクタ7を、プローブ15を有するSi基板16と、半導体検査回路を有するLSIチップ17と、テーパー機構22によりLSIチップ17との接合位置を合わせるSiトレイ18とから構成する。 - 特許庁
A high-concentration B-doped region is formed on the top surface of an Si layer serving as the cap layer, and an area around a joint between the high-concentration B-doped region and the emitter is reduced in dopant concentration.例文帳に追加
キャップ層となるSi層上面に、高濃度のBドープ領域を形成すると同時にエミッタとの接合部近傍のドーパント濃度を低くする。 - 特許庁
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「SI joint」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To provide an effective method for welding a workpiece having an Al-Si film on the surface, and to obtain a welded joint particularly having satisfactory characteristics.例文帳に追加
表面にAl−Si皮膜を有する工作物を溶接するのに有効な方法を提供し、特に良好な特性をもつ溶接継手を得る。 - 特許庁
A bump part 6 is arranged on each emitter electrode 2 of an Si chip 1, where an emitter electrode 2 is formed on a front-surface side, with a joint member 4 formed via the bump part 6.例文帳に追加
表面側にエミッタ電極2が形成されたSiチップ1の各エミッタ電極2の上にバンプ部6を配置し、バンプ部6を介して接合部材4に形成する。 - 特許庁
The joined body 1 is the one joining a ceramic body 10 made of a compound at least comprising Si with metallic bodies 11 joined to the surface thereof and the method for producing the joint body 1 is provided.例文帳に追加
少なくともSiを含む化合物からなるセラミック体10と、その表面に接合された金属体11との接合体1及びその製造方法である。 - 特許庁
With the Si chip 1 clamped between the joint member 4 and the heat radiating plate 8 in this way, thermal stresses caused by the difference in thermal expansion factors is suppressed from occurring.例文帳に追加
このように、Siチップ1を接合部材4と放熱板8とで挟み込んだ構成にすることにより、熱膨張係数差に基づく熱応力の発生を抑制することができる。 - 特許庁
The lap fillet arc welding method of a galvanized steel sheet and a welded joint are characterized in that an Si content in a weld metal is at most 0.5 mass%, and a sum total of a content of Si and Al in a steel sheet of an upper plate is at least 0.35 mass% in lap fillet arc welding of a galvanized steel sheet.例文帳に追加
亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接において、溶接金属中のSi含有率が質量%で0.5%以下であり、且つ上板の鋼板中のSiとAlの含有率の合計が質量%で0.35%以上であることを特徴とする亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接方法および溶接継手。 - 特許庁
The welding material consists of an iron based alloy containing Si in the range of 0.6 to 2.0 wt.%, and improves the strength of a welded joint by the introduction of compressive residual stress into the vicinity of the weld zone by transformation expansion.例文帳に追加
Siを0.6〜2.0重量%の範囲で含有する鉄基合金であって、変態膨張により溶接部近傍に圧縮残留応力を導入して溶接継手強度を向上させる溶接材料を提供する。 - 特許庁
A steel material containing C: 0.45-0.65 wt.%, Si: 0.1-1.0 wt.%, Mn: 0.1-1.5 wt.%, V: 0.05-0.3 wt.% as alloy elements within each range, and Fe and unavoidable impurities as the remainder, is used as the outside joint member.例文帳に追加
合金元素としてC:0.45〜0.65wt%、Si:0.1〜1.0wt%、Mn:0.1〜1.5wt%、V:0.05〜0.3wt%をそれぞれの範囲内で含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなる鋼材を、外側継手部材に用いる。 - 特許庁
The method of forming a porous film on an object to be processed includes a step of polymerizing an organic compound in the vapor phase and synthesize particulate made of organic compound, a step of allowing the particulate and the silicon-based compound with Si-O joint to be reacted with each other and to form a film containing the particulate on the object to be processed, and a step of removing the particulate from the film.例文帳に追加
被処理体上に多孔質膜を形成する方法は、気相中で有機化合物を重合させることで、有機化合物から成る微粒子を合成する工程と、該微粒子と、Si-O結合を有するシリコン系化合物とを反応させ、被処理体上に該微粒子を含む膜を形成する工程と、膜から該微粒子を除去する工程と、から成る。 - 特許庁
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