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TI-80とは 意味・読み方・使い方
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ウィキペディア英語版での「TI-80」の意味 |
TI-80
出典:『Wikipedia』 (2010/08/26 12:16 UTC 版)
「TI-80」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
In the thermoelectric conversion material, the total amount of Ti and the element X is 80 atom% or higher, and an abundance ratio of a Ti-X phase is 10% or lower.例文帳に追加
このような熱電変換材料において、Tiと元素Xの総量が80原子%以上であり、Ti−X相の存在比率が10%以下である。 - 特許庁
The phase transition of the Ti silicide film of C49 phase to a Ti silicide film 80 of C54 phase is carried out by applying the annealing treatment again.例文帳に追加
再びアニール処理を加えてC49相のTiシリサイド膜をC54相のTiシリサイド膜80に相転移させる。 - 特許庁
In the method where a raw material composition comprising Ti powder and Al powder is press-molded, and next, the obtained molding is subjected to sintering or sinter forging to produce a Ti-Al based alloy target material, the press molding is practiced by compressing the raw material composition at 80 to 250°C in a die.例文帳に追加
本発明は、Ti粉末とAl粉末とを含む原料組成物を加圧成形し、次いで、得られた成形体を焼結又は焼結鍛造してTi-Al系合金ターゲット材を製造する方法において、上記加圧成形が、80〜250℃の温度において金型内で原料組成物を圧縮することにより実行されることを特徴とする方法である。 - 特許庁
The high tensile strength steel has a composition comprising ≤0.07%例文帳に追加
高張力鋼は、C:0.07%以下、Si:0.30%以下、Mn:1.0-2.0%、sol.Al:0.04- 0.10%、N:0.0020-0.010%、Ti:0.005-0.020%、B:0.0005-0.005%、残部Feおよび不可避不純物からなり、かつ(1)式で表されるARMの値を40-80とする。 - 特許庁
The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加
本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁
A wiring material which is a NiTi mixture film and has a Ti content, represented by Ti/(Ni+Ti), with a composition ratio of 60-80 at.% is used and transformed into a mixture film containing Ni and TiO_2 through a high-temperature oxidation process at 500°C or higher.例文帳に追加
NiTi混合膜であって、Ti/(Ni+Ti)で表されるTi含有量が60−80at.%なる組成比である配線材料を用い、この配線材料を500℃以上の高温酸化プロセスによりNiとTiO_2とを含む混合膜に変換する。 - 特許庁
An oxide based sputtering target has a composition substantially expressed by the formula of (M_1-aFe_a)_100-xO_x(M is at least one kind of element selected from Ti, Nb and Ta; and 0.1≤a≤0.5, and 50≤x≤80 atomic%).例文帳に追加
酸化物系スパッタリングターゲットは、(M_1-aFe_a)_100-xO_x(MはTi、NbおよびTaから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦a≦0.5、50≦x≦80原子%)の式で実質的に表される組成を有する。 - 特許庁
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「TI-80」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
A powder mixture containing, in a weight ratio, 20-80% of SiO powder and the balance of TiO_2 powder and/or Ti powder is subjected to pressure sintering.例文帳に追加
重量比でSiO粉末を20〜80%含み、残部がTiO_2 粉末及び/又はTi粉末である混合粉末を加圧焼結する。 - 特許庁
This basic gas adsorbent contains ≥80 pts.mass of one or more kinds of Ti-based compound oxides among a binary compound oxide comprising Ti and Si, a binary compound oxide comprising Ti and Zr, and a ternary compound oxide comprising Ti, Si, and Zr, as a component A, and ≥1 pt.mass and <20 pts.mass of vanadium oxide as a component B.例文帳に追加
A成分としてTiおよびSiからなる二元系複合酸化物、TiおよびZrからなる二元系複合酸化物、並びにTi、SiおよびZrからなる三元系複合酸化物のいずれか1種以上のTi系複合酸化物を80質量部以上、B成分としてVの酸化物を1質量部以上20質量部未満の比率で夫々を含有するものである。 - 特許庁
The inner and outer rings 1 and 2 are formed of a Ti-based composite material comprising matrixes containing Mo of 10 to 40 mass% and residual Ti and ceramic particles as a reinforcement phase of 30 to 80 volume % contained in the matrixes.例文帳に追加
上記内外輪1,2は、Moを10質量%以上40質量%以下含有し残部をTiとするマトリックスに対し、セラミック粒子を強化相として30体積%以上80体積%以下含有したTi基複合材料から構成される。 - 特許庁
Ti-48/14×N-48/36×S≥6×C (1) and 900-325×C+33×Si+287×P+80×Al-92×(Mn+Mo+Cu)-46×(Cr+Ni)>0 (2).例文帳に追加
Ti−48/14×N−48/36×S≧6×C … (1) 900−325×C+33×Si+287×P+80×Al−92×(Mn+Mo+Cu)−46×(Cr+Ni)>0 … (2) - 特許庁
The brazing material has a composition comprising, by mass, 10 to 30% Cu and 5 to 20% Co, respectively, and the balance ≥30% Ti and ≥20% Zr with inevitable impurities, and in which the total of Ti and Zr is controlled to 60 to 80%.例文帳に追加
本発明のろう付け材料は、 Cu:10質量%以上30質量%以下、 Co:5質量%以上20質量%以下、をそれぞれ含有し、 残部が、30質量%以上のTi、20質量%以上のZr及び不可避不純物からなり、TiとZrとの合計を60質量%以上80質量%以下とする。 - 特許庁
An Al alloy thin film (Al-Nd-Ti alloy thin film or Al-Nd alloy thin film) 22 is formed on a glass substrate 21 at a substrate temperature of 50 to 150°C or thereabout, desirably 80 to 130 through a sputtering method.例文帳に追加
スパッタリング法により、基板温度を50〜150℃程度好ましくは80〜130℃程度として、ガラス基板21上にAl合金薄膜(Al−Nd−Ti合金薄膜またはAl−Nd合金薄膜)22を成膜する。 - 特許庁
A commercial high grade MBG crystal from General Electric Co., Ltd., Washington, Ohio, USA made of cubic octahedron diamond having a particle size distribution (PSD) of 80 micron in diameter at its center, of a TI value of 67 and of an aspect ratio of about 0.97 is used.例文帳に追加
直径80ミクロンを中心としたPSDを有し、TI値67、アスペクト比約0.97の立方八面体形ダイヤモンドからなるGeneral Electric社(米国オハイオ州ウォーシントン)から市販の高品位MBG結晶を用いる。 - 特許庁
SiC as a foaming agent is added at 1% by weight and compounds of Zr, Cr and Ti as non-melting components are added, respectively at prescribed ratios, to soda-lime-base waste glass having an average grain size of 80 μm and these materials are mixed for 16 hours by a dry process in a ball mill made of alumina earthenware.例文帳に追加
平均粒径80μmのソーダライム質の廃ガラスに発泡剤としてSiCを重量比で1%、および、非溶融成分としてZr、Cr、Tiの化合物をそれぞれ所定量添加し、これらをアルミナ陶器製のボールミルにて乾式で16時間混合した。 - 特許庁
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