Vlſの英語

By this method, the conductive material is implanted in the concavity part 22 by VLS growth, so the conductive material can be implanted in a short time.例文帳に追加

この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 - 特許庁

This method comprises: an impurity fixation process for fixing an impurity 24a on the surface of a ground layer 10 exposed at least on the bottom of the concavity part 22; a VLS growth process for VLS-growing the conductive material using the ground layer 10 with the impurity 24a fixed and for implanting the conductive material in the whole concavity part.例文帳に追加

この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。 - 特許庁

Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method.例文帳に追加

遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ_2ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。 - 特許庁

A level of a detection voltage Vin corresponding to magnitude of a drain current of a main MOSFET Mm that is a target of overcurrent detection is shifted by the level shift voltage Vls, and it is applied to a gate terminal of the FET M03 that is one input of the differential amplifier part.例文帳に追加

このレベルシフト電圧Ｖｌｓで、過電流検出の対象であるメインＭＯＳＦＥＴＭｍのドレイン電流の大きさに対応する検出電圧Ｖｉｎのレベルをシフトさせて、当該差動増幅部の一方の入力であるＦＥＴＭ０３のゲート端子に印加する。 - 特許庁

A bias current Iref made to flow through a differential amplifier part comprising an FET M01, M02, M03, and M04 is made to flow through a reference MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Mr from which a voltage corresponding to a reference current can be obtained when making the reference current flow to obtain a level shift voltage Vls.例文帳に追加

基準電流を流すと当該基準電流に対応する電圧が得られる基準ＭＯＳＦＥＴＭｒに、ＦＥＴＭ０１、Ｍ０２、Ｍ０３、及びＭ０４からなる差動増幅部に流されるバイアス電流Ｉｒｅｆを流してレベルシフト電圧Ｖｌｓを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing a nanowire includes (a) a stage of preparing a porous template, (b) a stage of disposing the above porous template on a substrate formed with a metal catalyst layer, and (c) a stage of forming a nanowire along pores inside the above porous template by means of the SLS method or the VLS method.例文帳に追加

（ａ）多孔性テンプレートを準備する段階；（ｂ）前記多孔性テンプレートを金属触媒層が形成された基板上に配置する段階；および（ｃ）ＳＬＳ法またはＶＬＳ法によって前記多孔性テンプレート内の気孔に沿ってナノワイヤを形成する段階；を含む、ナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁