W heatsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 コムギ
「W heats」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
This heating furnace 20 heats and dries the belt-shaped web W.例文帳に追加
加熱炉20は、帯状のウエブWを加熱乾燥するためのものである。 - 特許庁
The retort 5 is rotatably supported and heats a material W to be heated while moving the material W charged into the interior to be heated.例文帳に追加
レトルト5は回転可能に支持されており、内部に投入される被加熱物Wを移動させつつ加熱する。 - 特許庁
This carbonization unit heats organic wastes W by a heater 22 as the heat-generating means installed on the side wall in an oven 20 of closed structure to a carbonization temperature.例文帳に追加
密閉構造の炉体(20)壁面の発熱ヒータ手段(22)によって有機性廃棄物(W) を炭化温度に加熱する。 - 特許庁
Consequently, the semiconductor wafer W receives uniformly radiating heats from halogen lamps 6 present under it.例文帳に追加
これにより、半導体ウェーハWは、下方のハロゲンランプ6から輻射熱を均一に受ける。 - 特許庁
Hot air blown out from the hot air nozzles 41 heats the web W and the conveying rollers 30.例文帳に追加
熱風ノズル41から噴出した熱風は、ウエブW及び搬送ローラ30を加熱する。 - 特許庁
The retort 5 is rotatably supported and heats the material W to be heated by heat in the heating chamber 3 while moving the material W charged into the interior to be heated.例文帳に追加
レトルト5は回転可能に支持されており、内部に投入される被加熱物Wを移動させつつ加熱室3での熱によって被加熱物Wを加熱する。 - 特許庁
The solvent-heating device 62 heats the organic solvent liquid S in the vapor generation bath 61 to 50°C±5°C when the surface of the wafer W is hydrophobic, and heats the organic solvent liquid S to 70°C±5°C when the surface of the wafer W is hydrophilic.例文帳に追加
溶剤加熱装置62は、ウェーハWの表面が疎水性であるときにベーパ発生槽61内の有機溶剤液Sを50℃±5℃に加熱し、ウェーハWの表面が親水性であるときに有機溶剤液Sを70℃±5℃の温度に加熱する。 - 特許庁
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「W heats」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
This heating furnace heats the workpiece W by convection of an atmospheric gas by circulating the atmospheric gas in a heating chamber 1.例文帳に追加
加熱炉は、加熱室1内の雰囲気ガスを循環させることにより、雰囲気ガスの対流によってワークWを加熱する。 - 特許庁
Along the transporting line 1 of the device M1, a heating section 2 which heats the substrates W to a prescribed temperature, a treating section 3, and a cooling section 4 which cools the substrates W, are sequentially disposed.例文帳に追加
この搬送ライン1に沿って、基材Wを所定温度まで加熱する加熱部2と、処理部3と、基材Wを冷却する冷却部4が順次配置されている。 - 特許庁
A thermal treatment apparatus 68 is equipped with a hot platen 67, which heats a wafer W, keeping it horizontal in position and a lid 63, which forms a space S serving as a treating chamber that processes the wafer W.例文帳に追加
加熱処理装置68は、ウエハWを加熱し、基板を水平に保持する熱板67と、ウエハWを処理する処理室となる空間Sを形成する蓋63とを具備する。 - 特許庁
Consequently, the wafer holding part 2 which has large heat capacity in a region near by the center part of the wafer W heats the wafer W to form a liquid film of temperature control liquid A in the peripheral edge region of the wafer W, which is thereby heated.例文帳に追加
このようにすると、ウエハWの中央部近傍領域では熱容量の大きいウエハ保持部2にてウエハWが加熱され、ウエハWの周縁領域には温調液Aの液膜が形成され、これによりウエハWが加熱される。 - 特許庁
The cooking machine 1 carries the food W from an opening surface 53 for carry-in into the heating chamber 60 by the carrying means 71 and heats and cooks the food W by the heating means 43 while moving it slowly inside the heating chamber 60.例文帳に追加
調理機1は、食品Wを搬入用開口面53から加熱室60内に搬送手段71で搬入し、この食品Wを加熱室60内で徐行させながら加熱手段43で加熱調理する。 - 特許庁
After exposure of a resist film for EUV on a wafer W but before a development process, the PEB device 83 firstly heats the wafer W at a first heating temperature using the first thermal plate 140.例文帳に追加
ウェハW上のEUV用レジスト膜の露光処理後であって現像処理前において、PEB装置83では、先ず、第1の熱板140によって第1の加熱温度でウェハWを加熱する。 - 特許庁
When a heater 146 contained in the mounting table 114 heats the wafer W and a process gas is fed in the treating chamber 102, a TiN barrier metal layer is formed on the wafer W.例文帳に追加
載置台114に内装された加熱装置146でウェハWを加熱すると共に,処理室102内に処理ガスを導入すると,ウェハWにTiNから成るバリアメタル層が形成される。 - 特許庁
A cleaner 1 heats the wall part of a processing container 2 and the inside atmosphere to 80°C by means of rubber heaters 7-9, and heats the inside atmosphere and a wafer W to 80°C by the hot air discharged from a hot air supply means 10.例文帳に追加
洗浄装置1は,ラバーヒータ7〜9により処理容器2の壁部,内部雰囲気を80℃に加熱し,ホットエア供給手段10から吐出されたホットエア71により,内部雰囲気及びウェハWを80℃に加熱する。 - 特許庁
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