acceptor concentrationとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction.例文帳に追加

さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

The measurement of the D-mannose concentration is performed by causing an enzyme that can oxidize the mannose through dehydrogenation to act to the mannose under the presence of an electron acceptor and quantitatively determining the reduced product of the electron acceptor.例文帳に追加

また、上記マンノース濃度の測定は、試料中のマンノースに、電子受容体存在下、マンノースに対して脱水素による酸化能を有する酵素を作用させ、生成された電子受容体の還元体を定量することにより行なう。 - 特許庁

A substrate 11 has the dissolved oxygen concentration which is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and the impurity concentration which is to become an acceptor or a donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3).例文帳に追加

基板１１は、溶解酸素濃度が８×１０^１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が１×１０^１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁

The acceptor impurity concentration of the p-type semiconductor can be set so that the open voltage before the irradiation of light can be set so as to be 0.85-0.99 times as large as the maximum value of the open voltage before the irradiation of light.例文帳に追加

光照射前の開放電圧の極大値に対して、０．８５〜０．９９倍になるように、ｐ型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。 - 特許庁

The acceptor concentration N_a in the channel region 29 of the p-type body region 22 is no fewer than 1×10^16 cm^-3 nor more than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａは１×１０^１６ｃｍ^−３以上２×１０^１８ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot, in which the variation in the concentration of elements added as a donor and an acceptor is little and which are excellent in uniformity.例文帳に追加

ドナー及びアクセプターとなる添加元素の濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁