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アクセプタ濃度の英語
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英訳・英語 acceptor concentration
「アクセプタ濃度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
実効アクセプタ濃度の高い半導体積層構造を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laminated structure with a high effective acceptor concentration. - 特許庁
アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、p型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor element which is easily made p-type by sufficiently making hall concentration sufficient even if an acceptor concentration in an acceptor doped layer is not increased when a laminate containing the acceptor doped layer is formed. - 特許庁
アクセプタ層のアクセプタ不純物濃度を高めることなく、発光素子の輝度上昇が図れる半導体発光素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor light-emitting element for improving luminance of a light-emitting element without increasing acceptor impurity concentration of an acceptor layer. - 特許庁
ZnO系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるZnO系半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide a ZnO semiconductor element which can suppress deterioration in the planarity of an acceptor-doped layer or in a layer formed after the acceptor-doped layer without deteriorating a concentration of an acceptor element, in the case of forming a laminated body which includes an acceptor-doped layer composed of a ZnO semiconductor. - 特許庁
ベースのアクセプタ濃度勾配をコレクタ層端に比較してエミッタ層端で大きくした。例文帳に追加
Acceptor concentration gradient of a base is set larger at the emitter layer end as compared with the collector layer end. - 特許庁
反転層における電子の移動度μは、p型ボディ領域22のチャネル領域29におけるアクセプタ濃度N_aの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度N_aに依存する。例文帳に追加
Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22. - 特許庁
上記発光体層は、ドナーのモル濃度がアクセプターのモル濃度よりも高いことを特徴とする。例文帳に追加
The light-emitting substance layer is characterized in that the mol concentration of the donor is higher than that of the acceptor. - 特許庁
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「アクセプタ濃度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
これにより、軟らかいアクセプター性を有する金属イオンの析出反応が促進され、黒の書き込み濃度の温度依存性を小さくすることができる。例文帳に追加
Consequently, deposition reaction of metal ions with soft acceptor property is accelerated to reduce temperature dependency of writing density of black. - 特許庁
イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。例文帳に追加
To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration. - 特許庁
基板11は、溶解酸素濃度が8×10^17(atoms/cm^3)以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が1×10^15(atoms/cm^3)以下である。例文帳に追加
A substrate 11 has the dissolved oxygen concentration which is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and the impurity concentration which is to become an acceptor or a donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3). - 特許庁
さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第1のp型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第2のp型ベース層から構成した。例文帳に追加
Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction. - 特許庁
ゲート酸化膜45直下のpベース領域42の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が1×10^13〜1×10^16cm^-3と内部より低濃度のp^- チャネル領域50を設ける。例文帳に追加
A p--channel area 50 with an effective concentration of acceptor of 1×1013-1×1016 cm-3 which is lower than that of the inside is provided on the surface layer of a p base area 42 just beneath a gate oxide film 45. - 特許庁
或いは、水溶液W2の製造方法は、ドナー性分子とアクセプタ性分子との会合体が分散した水溶液にアクセプタ性材料を添加して0.1%体積濃度以上50%体積濃度以下の水溶液を得る工程と、水溶液を粒子径が1μm以下になるよう微粒子化する工程と、を有する。例文帳に追加
Or, the manufacturing method of the aqueous solution W2 comprises a process of obtaining aqueous solution with a volume concentration of 0.1% or more and 50% or less by adding an acceptor material to aqueous solution with associated bodies of the donor molecules and acceptor molecules dispersed, and a process of pulverizing the solution into fine particles with a particle size of 1 μm or less. - 特許庁
水溶液Wの製造方法は、ドナー性分子とアクセプタ性分子との会合体が分散した水溶液を粒子径が1μm以下になるよう微粒子化する工程と、水溶液が0.1%体積濃度以上50%体積濃度以下となるようにアクセプタ性材料を添加する工程と、を有する。例文帳に追加
The manufacturing method of the aqueous solution W comprises a process of pulverizing aqueous solution with associated bodies of donor molecules and acceptor molecules dispersed into fine particles with a particle size of 1 μm or less, and a process of adding an acceptor material so as the solution to have not less than 0.1% and not more than 50% volume concentration. - 特許庁
前記シリコン原料として、トリクロロシランを原料としてシーメンス法により製造された多結晶シリコンを使用する場合、原料中の不純物濃度が(ドナー濃度−アクセプター濃度)で表して−5〜50pptaの範囲内のものを選別して使用する。例文帳に追加
When a polycrystalline silicon manufactured by a Siemens method using trichlorosilane as a raw material is used as the silicon raw material, the polycrystalline silicon being a silicon raw material, containing impurities in amount of -5 to 50 ppta expressed in terms of (donor concentration - acceptor concentration) is selected and used. - 特許庁
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acceptor concentration
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