「アクセプタ濃度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

反転層における電子の移動度μは、ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度Ｎ_ａに依存する。例文帳に追加

Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22. - 特許庁

上記発光体層は、ドナーのモル濃度がアクセプターのモル濃度よりも高いことを特徴とする。例文帳に追加

The light-emitting substance layer is characterized in that the mol concentration of the donor is higher than that of the acceptor. - 特許庁

これにより、軟らかいアクセプター性を有する金属イオンの析出反応が促進され、黒の書き込み濃度の温度依存性を小さくすることができる。例文帳に追加

Consequently, deposition reaction of metal ions with soft acceptor property is accelerated to reduce temperature dependency of writing density of black. - 特許庁

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。例文帳に追加

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration. - 特許庁

基板１１は、溶解酸素濃度が８×１０^１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が１×１０^１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。例文帳に追加

A substrate 11 has the dissolved oxygen concentration which is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and the impurity concentration which is to become an acceptor or a donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3). - 特許庁

さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。例文帳に追加

Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction. - 特許庁

ゲート酸化膜４５直下のｐベース領域４２の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が１×１０^13〜１×１０^16ｃｍ^-3と内部より低濃度のｐ^- チャネル領域５０を設ける。例文帳に追加

A p--channel area 50 with an effective concentration of acceptor of 1×1013-1×1016 cm-3 which is lower than that of the inside is provided on the surface layer of a p base area 42 just beneath a gate oxide film 45. - 特許庁

或いは、水溶液Ｗ２の製造方法は、ドナー性分子とアクセプタ性分子との会合体が分散した水溶液にアクセプタ性材料を添加して０．１％体積濃度以上５０％体積濃度以下の水溶液を得る工程と、水溶液を粒子径が１μｍ以下になるよう微粒子化する工程と、を有する。例文帳に追加

Or, the manufacturing method of the aqueous solution W2 comprises a process of obtaining aqueous solution with a volume concentration of 0.1% or more and 50% or less by adding an acceptor material to aqueous solution with associated bodies of the donor molecules and acceptor molecules dispersed, and a process of pulverizing the solution into fine particles with a particle size of 1 μm or less. - 特許庁

水溶液Ｗの製造方法は、ドナー性分子とアクセプタ性分子との会合体が分散した水溶液を粒子径が１μｍ以下になるよう微粒子化する工程と、水溶液が０．１％体積濃度以上５０％体積濃度以下となるようにアクセプタ性材料を添加する工程と、を有する。例文帳に追加

The manufacturing method of the aqueous solution W comprises a process of pulverizing aqueous solution with associated bodies of donor molecules and acceptor molecules dispersed into fine particles with a particle size of 1 μm or less, and a process of adding an acceptor material so as the solution to have not less than 0.1% and not more than 50% volume concentration. - 特許庁

前記シリコン原料として、トリクロロシランを原料としてシーメンス法により製造された多結晶シリコンを使用する場合、原料中の不純物濃度が（ドナー濃度−アクセプター濃度）で表して−５〜５０ｐｐｔａの範囲内のものを選別して使用する。例文帳に追加

When a polycrystalline silicon manufactured by a Siemens method using trichlorosilane as a raw material is used as the silicon raw material, the polycrystalline silicon being a silicon raw material, containing impurities in amount of -5 to 50 ppta expressed in terms of (donor concentration - acceptor concentration) is selected and used. - 特許庁

これらの金属元素の濃度の調整、２種類以上の金属元素の組合せ、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。例文帳に追加

Valence electron control is performed by adjusting the concentration of these metal elements, combining two or more metal elements, or adding an acceptor or a donor to adjust the ferromagnetic characteristic thereof. - 特許庁

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。例文帳に追加

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3. - 特許庁

このとき、ｐ−ＡｌＧａＮ層１０７を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層１０８への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。例文帳に追加

At this time, a donor impurity is added at a concentration at which the formation of holes when the acceptor impurity used for forming the p-type AlGaN layer 107 is mixed in the intermediate layer 108 can be compensated. - 特許庁

フッ酸含有液のｐＨが３以下であるので、ドナーやアクセプタの濃度が高い拡散層１７及び多結晶Ｓｉ膜１４に過剰なエッチング処理を施しても、結晶面のエッチングが抑制されて、表面が荒れない。例文帳に追加

Since the liquid containing hydrofluoric acid has pH of 3 or below, etching of crystal surface is suppressed even if the diffusion layer 17 having high donor or acceptor concentration and the poly-Si film 14 are subjected to over etching and the surface is not roughened. - 特許庁

光照射前の開放電圧の極大値に対して、０．８５〜０．９９倍になるように、ｐ型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。例文帳に追加

The acceptor impurity concentration of the p-type semiconductor can be set so that the open voltage before the irradiation of light can be set so as to be 0.85-0.99 times as large as the maximum value of the open voltage before the irradiation of light. - 特許庁

ドナー及びアクセプターとなる添加元素の濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot, in which the variation in the concentration of elements added as a donor and an acceptor is little and which are excellent in uniformity. - 特許庁

ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａは１×１０^１６ｃｍ^−３以上２×１０^１８ｃｍ^−３以下である。例文帳に追加

The acceptor concentration N_a in the channel region 29 of the p-type body region 22 is no fewer than 1×10^16 cm^-3 nor more than 2×10^18 cm^-3. - 特許庁

エミッタ層４、ベース層５、及びコレクタ層６を有し、かつエミッタ層４とベース層５とを異種の半導体で形成したＨＢＴ用エピタキシャルウエハ及びそれを備えるＨＢＴにおいて、べース５層が、ドナーとアクセプタとを濃度比（ドナー／アクセプタ）１／１０〜１０／１の割合で含有してなるものとする。例文帳に追加

An HBT epitaxial wafer is equipped with an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6, where the emitter layer 4 and the base layer 5 are formed of dissimilar semiconductors, and an HBT is equipped with the wafer, in which the base layer 5 contains donors and acceptors in a concentration ratio (donor/acceptor) is set in the range of 1/10 to 10/1. - 特許庁

基板１１上には、溶解酸素濃度が８×１０^１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が１×１０^１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、素子が形成されるシリコン層が形成されている。例文帳に追加

A silicon layer, whose dissolved oxygen concentration is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and whose impurity concentration which is to become the acceptor or donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3) and on which an element is formed, is formed on the substrate 11. - 特許庁

窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。例文帳に追加

The gallium nitride epitaxial film 13 has a donor concentration which is not more than 1×10^16 cm^-3 and an acceptor concentration which is not more than 3×10^15 cm^-3, so that the compensation in the gallium nitride epitaxial film 13 is low and a carrier concentration which is not more than 1×10^16 cm^-3 is provided in the gallium nitride epitaxial film. - 特許庁

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN. - 特許庁

本発明は、フラーレン誘導体の濃度が異なる２種類のアクセプター溶液と、電子供与性の光電変換材料を含むドナー溶液と、を混合することを特徴とする光電変換層用塗工液の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

This invention solves the problem by presenting the manufacturing method of the coating liquid for the photoelectric conversion layer characterized in that this method includes a process of mixing two kinds of acceptor solutions each containing a fullerene derivative of a mutually different concentration and a donor solution containing an electron-donating photoelectric conversion material. - 特許庁

ＧａＡｓにＩｎを添加してもベース層として必要なアクセプタ濃度を示すＩｎＧａＡｓベース層へのドーピングが可能で、さらに該ＩｎＧａＡｓベース層によって電流増幅率および高周波特性に優れた高性能ＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供すること。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for a high performance HBT wherein doping can be applied to an InGaAs base layer to provide a required acceptor concentration as the base layer, even when In is added to GaAs and the InGaAs base layer provides an excellent current amplification factor and an excellent high frequency characteristic. - 特許庁

発光デバイスの活性層にドナ・アクセプタペア発光中心として働くＢｉを添加し発光量子効率を高めるとともに、活性層に電子を注入するための電子注入層に高濃度のＩｎを添加して電子注入効率を高めることにより発光効率を高める。例文帳に追加

The efficiency of light emission is improved by improving the efficiency of radiative quantum efficiency by adding Bi, which acts as the light emitting center of a pair of donor acceptors, to an active layer of the light emitting device and improving the efficiency of electron injection by adding In of high concentration to an electron injection layer for injecting electrons into the active layer. - 特許庁

カバー層108によって、成長終了後に室温まで降温する間、PH_3雰囲気とすることができるため、埋め込み層106、コンタクト層107中へ水素ラジカルの混入を防止する事が可能となり、アクセプタ濃度の低下を防ぐことができる。例文帳に追加

PH3 atmosphere can be achieved until temperature increases to a room temperature after the growth is completed by the cover layer 108, mixture of hydrogen radicals into the embedding layer 106 and the contact layer 107 can be prevented, thus preventing acceptor concentration from decreasing. - 特許庁

ｐ型ＧａＰ層１４には、アクセプタ不純物としてＺｎが添加されており、電力供給用のｐ電極１５と接する側に、Ｚｎ濃度が４．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＺｎ濃化層１４ａが設けられている。例文帳に追加

The p-type GaP layer 14 is added with Zn as an acceptor impurity, and provided with a Zn concentrated layer 14a of Zn density of ≥4.0×10^18 atoms/cm^3 and ≤1.0×10^19 atoms/cm^3 on a side contacting with a p-electrode 15 for power supply. - 特許庁

半導体装置１は、Ｐウェル層１２aの平均アクセプタ濃度と、Ｐウェル層１２ａの厚さとの積が、所定値と電子１個当たりの電荷量との積をＳＯＩ基板１０の形成材料であるシリコンの誘電率で除して得られる値よりも小さくなるように、Ｐウェル層１２ａが形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device 1, a P well layer 12a is formed so that a product of the average acceptor concentration of the P well layer 12a and the thickness of the P well layer 12a becomes smaller than a value obtained by dividing a product of a predetermined value and an electrical charge per one electron by a dielectric constant of silicone which is a forming material of a SOI substrate 10. - 特許庁

半導体中の個々の不純物原子を検出して、その位置を特定し、その不純物の種類を判別し、さらにある特定の領域内に含まれるアクセプターおよびドナー不純物原子の数をそれぞれ区別して数え上げることによって不純物濃度の測定を行う方法及び装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for measuring the concentration of impurities for detecting each impurity atom in a semiconductor to specify its position to discriminate the kinds of impurities and respectively discriminating the numbers of the acceptors and donor impurity atoms contained in a certain specific region for counting, and a device for measuring by this measuring method. - 特許庁