active latticeとは 意味・読み方・使い方

When the lattice body 2 tries to vertically extend due to corrosion, the active material unfilled part 100 is contracted to absorb the elongation of the lattice body, and the upper frame skeleton part 202 of the lattice body is flipped upward to prevent contact to an ear part of the negative electrode plate.例文帳に追加

格子体２が腐食により上下に延びようとしたときに、活物質未充填部１００を収縮させて格子体の伸びを吸収し、格子体の上枠骨部２０２が上方に跳ね上がって負極板の耳部に接触するのを防ぐ。 - 特許庁

Thereby, displacement of the connected lattice bases caused by suspension is suppressed, and when cutting the connected lattice base to form electrode plates piece by piece, after an active material is filled in the connected lattice base, no deviation from a prescribed dimension is caused and a fraction defective can be reduced.例文帳に追加

この様にすることで、懸垂による連結格子基板の変形が抑えられ、該連結格子基板に活物質が充填された後に、連結格子基板を切断して一枚一枚の極板にする場合も所定の寸法からのずれも無く不良率を低減できる。 - 特許庁

The semiconductor laser of the gain diffraction lattice-type is provided with the diffraction lattice causing periodical gain fluctuation in the direction of a resonator in a quantum well structure active layer.例文帳に追加

本ＤＦＢレーザは、共振器方向に周期的な利得変動を生じさせる回折格子を量子井戸構造活性層に備えている利得性回折格子型の半導体レーザである。 - 特許庁

The active layer 5 comprises InGaAsP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2 while the p-type clad layer 7 comprises AlGaInP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

活性層５は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＩｎＧａＡｓＰより成り、また、ｐ型クラッド層７は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＡｌＧａＩｎＰより成る。 - 特許庁

The diffraction lattice 18 is constituted of the InGaAsP barrier layer 30e in the quantum well structure active layer and the lattice layer of InGaAs quantum well layers 28f and 28e and an InP buried layer having composition different from the quantum well layer.例文帳に追加

回折格子１８が、量子井戸構造活性層のＩｎＧａＡｓＰ障壁層３０ｅ及びＩｎＧａＡｓ量子井戸層２８ｆ、２８ｅの格子層と、量子井戸層とは異なる組成のＩｎＰ埋め込み層２０とから構成される。 - 特許庁

To provide a battery, which can control lowering of voltage by equalizing the reaction distribution of active materials filled in a lattice 2, by changing a width W of frame parts 2c of the lattice 2, according to an interval distance D of collector ears 2b.例文帳に追加

集電耳２ｂの間隔距離Ｄに応じて格子２の額縁部２ｃの幅Ｗを変えることにより、この格子２に充填された活物質の反応分布を均一化し、電圧の低下を抑制することができる電池を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING VISIBLE LIGHT RESPONSIVE TITANIUM OXIDE PHOTOCATALYST PRECURSOR GENERATING ACTIVE SPECIES FROM OXYGEN IN LATTICE例文帳に追加

格子中の酸素より活性種を生成する可視光応答性酸化チタン光触媒前駆体の製造方法 - 特許庁

The semiconductor laser device 1A includes: an n-type semiconductor substrate 3; an active layer 12; a diffraction lattice layer 15; and an n-type clad layer 18.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型半導体基板３、活性層１２、回折格子層１５、及びｎ型クラッド層１８を備える。 - 特許庁