aligned growthとは 意味・読み方・使い方

To provide a CMOS structure and a method of achieving self-aligned raised source/drain for CMOS structures on SOI without relying on selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンの選択的エピタキシャル成長を利用せずに、ＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造用の自己整合型隆起ソース／ドレインを実現させる、ＣＭＯＳ構造および方法を提供すること。 - 特許庁

To promote growth of root of a seedling by reducing space formed on a bottom part of a raising seedling pot in a raising seedling method transplanting and raising seedlings by using an under tray receiving a raising seedling tray which has aligned raising seedling pots.例文帳に追加

育苗ポット配置形成する育苗トレイとこれを受けるアンダトレイとを用いて移植育苗する育苗形態において、育苗ポットの底部に形成される空隙部を少なくして、苗根の発達を促進させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated conductor using a textured substrate, the method allowing shaping of an already textured substrate and, nevertheless, enabling epitaxial growth of a well aligned active layer of high-temperature superconducting material.例文帳に追加

テクスチャ化された基板を使用して被覆された導体を製造する方法であって、すでにテクスチャ化された基板を成形することができ、それにもかかわらず、高温超伝導材料のよくアライメントされた活性層をエピタキシャル成長させることができる方法を提供する。 - 特許庁

Since a joining portion 15A is supported with the projected portion 31, a downward force at the joining portion 15A is alleviated and the crystal alignment CX in the lateral growth region X of the n-side contact layer 15 is aligned with the crystal alignment CS of the seed crystal layer 11.例文帳に追加

突起部３１によって会合部１５Ａを支持させることによって、会合部１５Ａにおける下向きの力が緩和され、ｎ側コンタクト層１５の横方向成長領域Ｘにおける結晶方位ＣＸは、種結晶層１１の結晶方位ＣＳと同一になる。 - 特許庁

The first semiconductor region 233 contains a first conductivity type impurity, the second semiconductor region 234 and the third semiconductor layer 238 contain a second conductivity type impurity, the second semiconductor layer 236 contains a third conductivity type impurity different from the second conductivity type impurity, the second and third semiconductor layers 236, 238 are formed by selective growth, and the second semiconductor region 234 is aligned with the second contact hole 242.例文帳に追加

第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 - 特許庁

One reason why the Tokugawa clan chose the Edo Castle as its primary residence was that the geographical location of Edo was ideally aligned with shijin-soo philosopy that sought geographic analogs of the four Daoist gods Genbu (God of Water), Suzaku (Red Phoenix), Seiryu (Blue Dragon) and Byakko (White Tiger) respectively manifest in the geographic forms of hills in the north, a basin to the south, a river in the east, and a broad avenue to the west; Such geographic analogs of geomantic ideals were manifest in the Kojimachi plateau to the north, the Hibiya Inlet to the south, the Kanda-gawa River in the east, and the Tokai-do road to the west; the geographic analogs of geomantic ideals were respectively reconfigured to the Hongo highlands (Bunkyo Ward), Edo bay, O-kawa River (Sumida-gawa River), and the Koshu-kaido Road in response to the growth of Edo.発音を聞く 例文帳に追加

そもそも江戸城が徳川氏の城に選ばれた理由の一因には、江戸の地が当初は北の玄武は麹町台地、東の青龍は神田川(東京都)、南の朱雀は日比谷入江、西の白虎は東海道、江戸の拡大後は、玄武に本郷(文京区)台地、青龍に大川（隅田川）、朱雀に江戸湾、白虎に甲州街道と四神相応に則っている点とされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス