argon ion implantationとは 意味・読み方・使い方

Also a method for ion implantation of germanium or argon can be used.例文帳に追加

又、ゲルマニウムとかアルゴンをイオン注入する方法を使用できる。 - 特許庁

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加

その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板１の表面を平坦化する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁