atomic control surfaceとは 意味・読み方・使い方

DEVICE FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER, METHOD FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER AND CONTROL ROD FOR ATOMIC FURNACE AT WHICH THE SURFACE-TREATED LAYER IS FORMED例文帳に追加

表面処理層の形成装置、表面処理層の形成方法及びその表面処理層が形成された原子炉用制御棒 - 特許庁

A sample atomic arrangement creating means 211 of a control section 21 creates atomic arrangement data of a sample, and a sample surface height calculating means 212 calculates the sample surface height mesh by mesh.例文帳に追加

制御部２１の試料原子配置生成手段２１１は試料の原子配列データを生成し、試料表面高さ算出手段２１２がメッシュ毎に試料表面高さを算出する。 - 特許庁

In the ion beam path control device 10 having a reflection section 11 wherein ion beams L are incident, the reflection section 11 has a reflecting surface 110 for reflecting the ion beams L, and the reflecting surface 110 is a surface of a dielectric wherein the outermost surface is formed of atoms having the atomic numbers greater than that of the ions of the ion beam L.例文帳に追加

イオンビームＬが入射する反射部１１を備えたイオンビーム軌道制御装置１０であって、反射部１１がイオンビームＬを反射する反射面１１０を有し、その反射面１１０が、イオンビームＬのイオンより原子番号の大きい原子により最表面が構成されている誘電体表面である。 - 特許庁

To provide a contact type atomic force microscope capable of rapidly obtaining a stable image of surface shape of a specimen in a state of an atmospheric pressure not in environmental control when the surface shape is measured by a contact mode having high sensitivity for irregularities.例文帳に追加

環境制御がされていない大気圧の状態にある試料の表面形状を、凹凸に対する感度の高いコンタクトモードによって測定するとき、吸着力の影響を回避して安定した表面形状像を迅速に得る。 - 特許庁

The toner contains at least a resin, a colorant and a metal salicylate as a charge control agent, wherein a content of a metal element originating in the charge control agent in a toner base particle surface freed of an external additive of the toner is 0.1-1.0 atomic% based on all compositional elements of the surface as measured by XPS (photoelectron spectroscopy).例文帳に追加

少なくとも樹脂と着色剤およびサリチル酸金属塩を帯電制御剤として含むトナーであって、該トナーの外添剤を除去したトナー母体粒子表面の帯電制御剤由来の金属元素のXPS（光電子分光法）による含有量が、表面の全組成元素に対して０．１〜１．０atomic%であることを特徴とする画像形成装置用トナー。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁