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atomic fractionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 原子分率
「atomic fraction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
But it's really a tiny fraction of the size of an atomic nucleus.例文帳に追加
実際には原子核の大きさ程度のギャップです - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
To provide a nitride semiconductor element obtained by applying a nitride semiconductor containing P or As having a characteristic differing from the conventional nitride semiconductor containing P or As to each structure of the nitride semiconductor element, wherein an atomic fraction of N of the nitride semiconductor containing P or As is greater than the atomic fraction of P or As.例文帳に追加
本発明は、従来のPまたはAsを含む窒化物半導体とは異なる特性を有するPまたはAsを含む窒化物半導体を、窒化物半導体素子の各構造に適用することが目的である。 - 特許庁
The atomic fraction of the elements X is smaller than that of N.例文帳に追加
元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体において、元素Xの原子分率はNの原子分率より小さい。 - 特許庁
The atomic fraction of hydrogen of the second protective film 42b is smaller than that of the first protective film 42a.例文帳に追加
そして、第2の保護膜42bの水素の原子分率が第1の保護膜42aの水素の原子分率よりも小さく形成されている。 - 特許庁
The atomic composition comprises an aqueous fraction of a distillate obtained by irradiating a microwave to a plant and heating it under vacuum.例文帳に追加
植物に減圧下でマイクロ波を照射して加熱することによって得られる蒸留物の水性画分からなる芳香組成物。 - 特許庁
A nitride semiconductor layer is that an atomic fraction of P or As occupied in the nitride semiconductor layer is 30% or less.例文帳に追加
但し、このPまたはAsを含む窒化物半導体のNの原子分率は、そのPまたはAsの原子分率よりも大きいものとする。 - 特許庁
The method is one for hydrodesulfurizing a gasoline fraction in the presence of a catalyst which contains at least one support, at least one group 8 element and tungsten and in which the atomic ratio i.e. (group 8 element)/(group 8 element + tungsten) is above 0.15 and below 0.50.例文帳に追加
少なくとも1種の担体、少なくとも1種の第8族元素およびタングステンを含む触媒で、その原子比すなわち(第8族元素)/(第8族元素+タングステン)の比が0.15より大きく、かつ0.50より小さい触媒の存在下に、ガソリン留分を水素化脱硫するための方法。 - 特許庁
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「atomic fraction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加
フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるX線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁
The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%.例文帳に追加
基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を20%以下の原子分率で含むIII−V族系窒化物半導体レーザ素子とする。 - 特許庁
In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加
基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するIII−V族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が20%以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が25nm以上100nm以下であるIII−V族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁
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