「atomic fraction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A nitride semiconductor layer is that an atomic fraction of P or As occupied in the nitride semiconductor layer is 30% or less.例文帳に追加

但し、このＰまたはＡｓを含む窒化物半導体のＮの原子分率は、そのＰまたはＡｓの原子分率よりも大きいものとする。 - 特許庁

The method is one for hydrodesulfurizing a gasoline fraction in the presence of a catalyst which contains at least one support, at least one group 8 element and tungsten and in which the atomic ratio i.e. (group 8 element)/(group 8 element + tungsten) is above 0.15 and below 0.50.例文帳に追加

少なくとも１種の担体、少なくとも１種の第８族元素およびタングステンを含む触媒で、その原子比すなわち（第８族元素）／（第８族元素＋タングステン）の比が０．１５より大きく、かつ０．５０より小さい触媒の存在下に、ガソリン留分を水素化脱硫するための方法。 - 特許庁

The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加

フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるＸ線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含むＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子とする。 - 特許庁

In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁