back scattering electronとは 意味・読み方・使い方

To form fine patterns which reduces the exposure to resist by back ward scattering of an electron beam.例文帳に追加

電子ビームの後方散乱によるレジストへの露光を小さくして微細なパターンを形成する。 - 特許庁

In the method for evaluating the creep damage of annealed martensite steel, it is evaluated that the life of the annealed martensite steel becomes short as the pattern quality of an electron beam back scattering image becomes high.例文帳に追加

焼戻しマルテンサイト鋼のクリープ損傷評価法として、電子線後方散乱像のパターンクオリティが高くなるほど寿命が短いと評価することを特徴とする。 - 特許庁

By comparing a reference information inputted, bright field image or back scattering electron image with a dark field image, it is judged whether their correlation value or the dark field image has a prescribed contrast.例文帳に追加

上記目的は、入力された参照情報，明視野像或いは後方散乱電子像と、暗視野像を比較し、その相関値、或いは暗視野像が所定のコントラストを有しているか否かを判定することで実現される。 - 特許庁

To provide an electron beam drawing method, a manufacturing method for a metal mold for an optical element, a manufacturing method for the optical element, and an electron beam drawing device that can stabilize a blaze shape by carrying out drawing with a dosage according to the pitch width of blazes while taking into consideration influence of proximity effect by back scattering.例文帳に追加

後方散乱による近接効果の影響を考慮しブレーズのピッチ幅に応じてドーズ量で描画することによりブレーズ形状の安定化が可能な電子ビーム描画方法、光学素子用金型の製造方法、光学素子の製造方法及び電子ビーム描画装置を提供すること。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

A metal structure of a cubic crystal is irradiated with electron beams at an interval of 15 nm-100 μm to determine a crystal orientation at every measuring point by a back scattering electron diffraction image method, and lattice strain is determined from the determined crystal orientation distribution and the orientation angle difference between the adjacent measuring points to calculate the residual stress distribution on the metal structure on the basis of the lattice strain.例文帳に追加

立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。 - 特許庁

To accurately obtain mechanical characteristics at the time of plastic deformation of a polycrystalline material by rapidly and certainly estimating the non-uniform deformation state of the microscopic texture of the polycrystalline material when the polycrystalline material receives macroscopic deformation by a simple method using the crystal data of the polycrystalline material receiving no plastic deformation obtained by a back scattering electron beam diffraction (EBSD) method.例文帳に追加

後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。 - 特許庁