backing channelとは 意味・読み方・使い方

An inlet passage 82 extends through the flange arm 61 in fluid communication with the frontmost channel 74, and an outlet slot 88 is formed between the flange arm 61 and the backing plate 71 in fluid communication with the rearmost channel 76.例文帳に追加

入口通路（８２）が、最前方チャネル（７４）と流体連通した状態でフランジアーム（６１）を貫通して延び、また出口スロット（８８）が、最後方チャネル（７６）と流体連通した状態でフランジアーム（６１）と裏当て板（７１）との間に形成される。 - 特許庁

To easily manufacture a square steel tube for a non-diaphragm type beam-column joint core by steel double-welding without use of channel steel and without the need for backing metal.例文帳に追加

溝形鋼によらない、かつ、裏当て金を必要としない鋼材２丁合わせ溶接により、ノンダイアフラム型の柱梁接合部コア用の角形鋼管を容易に製造可能にする。 - 特許庁

Preferably, the process for backing work includes a step for cutting into a U shape along a cracked part of concrete, a step for applying primer into a channel cut into a U shape uniformly, a step for filling a sealing material into the channel, and a step for filling mortar into an upper part of the sealing material.例文帳に追加

好ましくは、下地処理を行う工程は、コンクリートのひび割れ部分に沿ってＵ形にカットする段階と、Ｕ形にカットした溝内に、プライマーを均一に塗布する段階と、溝内にシーリング材を充填する段階と、シーリング材の上部にモルタルを充填する段階とを含む。 - 特許庁

The fittings 3 is formed with a metal plate to a channel shape in a front view and, at both the front and rear ends of a flange 3c formed by bending at the upper and lower insertion portions 3b, a claw-shaped contact portion 3d elastically strutting on the inner side surface of the backing frame 1 is formed.例文帳に追加

金具３は金属板で正面視コ字状に形成されており、その上下挿入部3bに折曲げ形成したフランジ3cの前後両端に、下地フレーム１の内側面に弾性的に突っ張る爪状の当接部3dを形成している。 - 特許庁

The electroforming mold 7 has an electroforming shell 1 having a molding surface 10 and formed by electroforming processing, the backing material 71 line one the electroforming shell 1 and the medium flow channel 2 formed in the electroforming shell 1 and allowing a heating medium to flow so as to adjust the temperature of the molding surface 10.例文帳に追加

電鋳成形型７は、成形面１０を有し電鋳加工により形成された電鋳シェル１と、電鋳シェル１に裏打ちされたバッキング材７１と、電鋳シェル１の内部に形成され成形面１０の温度調整を行うよう熱媒体を流通させる媒体流路２とを有する。 - 特許庁

After a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are grown by an epitaxial method on a backing substrate 1 in an epitaxial growth furnace, a dielectric layer (dielectric film) 5 having a form of an amorphous crystal is grown by an MOCVD method in succession to the electron supply layer 4 in the epitaxial growth furnace.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉内で下地基板１上にエピタキシャル法によってバッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４を成長後、該エピタキシャル成長炉内で電子供給層４に続けてＭＯＣＶＤ法によりアモルファス結晶形を有する誘電体層（誘電体膜）５を成長する。 - 特許庁