bidirectional transistorとは 意味・読み方・使い方

To constitute a bidirectional level shift circuit of an I^2C bus by using an MOS transistor having a low breakdown voltage between a source-gate and a source-drain.例文帳に追加

Ｉ^２Ｃバスの双方向レベルシフト回路をソース・ゲート／ソース・ドレイン間の耐圧が低いＭＯＳトランジスタを用いた構成とする。 - 特許庁

A charge and discharge control circuit has a switching circuit that controls a gate of a bidirectional conduction type field effect transistor by an output of a control circuit that controls charge and discharge of a secondary battery, and that has a first terminal connected to a back gate of the bidirectional conduction type field effect transistor.例文帳に追加

二次電池の充放電を制御する制御回路の出力によって双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御し、第一の端子を双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートに接続するスイッチ回路を備える構成とした。 - 特許庁

To provide a method of driving a metal oxide silicon (MOS) type rectifier which solves the problems due to bidirectional conduction characteristics that are inherent in a metal oxide silicon field transistor (MOSFET).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ特有の双方向導通特性に起因する問題点を解消したＭＯＳ型整流器の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bidirectional chopper circuit which assures voltage and current of switching transistor to be as small as possible, even when a voltage boosting coefficient or voltage falling coefficient is large.例文帳に追加

昇圧率または降圧率が大きい場合でもスイッチング用トランジスタの電圧および電流を極力小さくした双方向チョッパ回路を提供する。 - 特許庁

In the above configuration, it is configured that the surge voltage which is reduced to the Zener voltage by the bidirectional Zener diode 40 is applied to the hold transistor 32.例文帳に追加

かかる構成において、双方向ツェナダイオード４０によってツェナ電圧にまで下げられたサージ電圧は保持トランジスタ３２に対して印加されるように構成されている。 - 特許庁

The protection circuit is constituted of bidirectional constant voltage diodes D_1, D_2, a 1st bipolar transistor (TR) Q_1, a 2nd bipolar TR Q_2, and a 3rd bipolar TR Q_3.例文帳に追加

双方向定電圧ダイオードＤ_１、Ｄ_２と、第１のバイポーラトランジスタＱ_１と、第２のバイポーラトランジスタＱ_２と、第３のバイポーラトランジスタＱ_３とにより保護回路を構成する。 - 特許庁

To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁

To obtain a simulation method for hot-carrier degradation of a MOS transistor, which can accurately simulate effects of threshold degradation on circuit operation, in a circuit containing a MOS transistor to which bidirectional hot-carrier stresses are applied.例文帳に追加

双方向ホットキャリア・ストレスが印加されるＭＯＳトランジスタを含む回路において、劣化後の回路動作へのしきい値の劣化の影響を高精度でシミュレートできるＭＯＳトランジスタのホットキャリア劣化のシミュレーション方法を得る。 - 特許庁