binding energy of electronとは 意味・読み方・使い方

Preferably, the oxide carrier contains Al_2O_3 and the 4f orbital electron of the supported Pt has a binding energy of ≥72.5 eV.例文帳に追加

好ましくは、前記酸化物担体がＡｌ_2Ｏ_3を含んでなり、担持された前記Ｐｔの４ｆ軌道電子が７２.５ｅＶ以上の結合エネルギーを有する。 - 特許庁

Analysis information change rates r_Ti, r_N of Ti and N constituting the sample 5 are calculated from relation data of an ionization cross section to (energy of a primary electron beam/binding energy).例文帳に追加

（一次電子線のエネルギー/結合エネルギー）に対するイオン化断面積の関係データから試料５を成すTiとNの分析情報変化率ｒ_Ti、ｒ_Nを算出する。 - 特許庁

In the sealing film 5, oscillation energy of Al-O measured by infrared spectroscopy is 940 cm^-1 or more, and binding energy of A12p electron measured by X-ray photoelectron spectroscopy is 74.4 eV or more.例文帳に追加

この封止膜５において、赤外線分光法で測定されるＡｌ−Ｏの振動エネルギーが９４０ｃｍ^-1以上であり、Ｘ線光電子分光法で測定されるＡｌ２ｐ電子の結合エネルギーが７４．４ｅＶ以上である。 - 特許庁

And the use of the aluminum indium nitride (Al_xIn_1-XN) material for a p-type clad layer prevents an electron overflow because its energy gap is larger than that of the garium nitride (GaN) to increase probabilities of the binding of the electron-hole pair in the luminous layer, and to effectively confine the photon.例文帳に追加

並びにｐ型クラッド層に窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）材料を使用し、そのエネルギーギャップが窒化ガリウム（ＧａＮ）材料より大きいことにより、電子オーバーフローを防止し、これにより電子正孔対の発光層での結合の確率を増し、並びに有効に光子を閉じ込め（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）る。 - 特許庁

Of the electrode catalyst for a fuel cell consisting of at least one kind of transition metal element and at least one kind of chalcogen element, an area ratio of electron density of a valence band by ultraviolet photoelectron spectroscopy is 1.0% or more at a binding energy of -5 to 1 eV, and 70.5% or less at a binding energy of 6 to 17 eV.例文帳に追加

少なくとも１種の遷移金属元素と少なくとも１種のカルコゲン元素からなる燃料電池用電極触媒であって、紫外光電子分光法による価電子帯の電子密度の面積比が、結合エネルギー−５〜１ｅＶにおいて１．０％以上であり、結合エネルギー６〜１７ｅＶにおいて７０．５％以下であることを特徴とする燃料電池用電極触媒。 - 特許庁

The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer.例文帳に追加

このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst has an average particle size of 1 nm-2 μm and is provided with a catalyst layer containing the purifying catalyst containing the catalyst powder consisting of the transition metal oxide sifted to the energy side lower than 531.3 eV of the binding energy of an electron of oxygen and an integral structure type carrier forming the catalyst layer on the inner surface.例文帳に追加

排ガス浄化触媒は、平均粒子径が１ｎｍ〜２μｍであり、且つ、酸素の電子の結合エネルギが５３１．３ｅＶより低エネルギ側にシフトしている遷移金属酸化物から成る触媒粉末を含有する浄化触媒を含有する触媒層と、該触媒層を内面に形成した一体構造型担体とを備える。 - 特許庁