bipolar MOSとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device comprising performing a process subsequent to a bipolar base after covering an MOS passive element with an insulating film in a method for manufacturing an integrated circuit containing the bipolar and the MOS passive elements.例文帳に追加

バイポーラおよびＭＯＳ、受動素子を含む集積回路の製造方法において、ＭＯＳ、受動素子を絶縁膜で覆った後に、バイポーラのベース以降の工程を行うことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

A protection element 1 has a structure in which a vertical bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in a part of a device with a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A protection element 1 has a structure in which a vertical type bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in the part of the device of a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A Darlington connection of a bipolar transistor 7 and a bipolar transistor 2 with a load L is made, a P type MOS transistor 5 is provided between the emitter of the bipolar transistor 2 and the base of the bipolar transistor 7, and an N type MOS transistor 6 is provided between the base and emitter of the bipolar transistor 7.例文帳に追加

負荷Ｌにバイポーラトランジスタ７とバイポーラトランジスタ２がダーリントン接続され、バイポーラトランジスタ２のエミッタとバイポーラトランジスタ７のベース間にＰ型ＭＯＳトランジスタ５が設けられ、バイポーラトランジスタ７のベースとエミッタ間にＮ型ＭＯＳトランジスタ６が設けられる。 - 特許庁

The electrostatic protective circuit has a first junction type bipolar transistor and a second junction type bipolar transistor which are formed in a thyristor structure; and an MOS transistor intervened between a collector terminal of the first junction type bipolar transistor and a base terminal of the second junction type bipolar transistor.例文帳に追加

サイリスタ構造に形成された第１接合型のバイポーラトランジスタ及び第２接合型のバイポーラトランジスタと、第１接合型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第２接合型のバイポーラトランジスタのベース端子との間に介挿されたＭＯＳトランジスタと、を設ける。 - 特許庁

The base potential of a parasitic bipolar transistor 11 is quickly raised by supplementarily injecting charges generated by static electricity into the base electrode B of the transistor 11, by using the tunnel current Im of an MOS element by mainly using the MOS element as a trigger element.例文帳に追加

トリガ素子として主にMOS素子を用いて、静電気によって生じた電荷を前記MOS素子のトンネル電流Imにより寄生バイポーラトランジスタ１１のベース電極Ｂに補助的に注入することにより、寄生バイポーラトランジスタ１１のベース電位を素早く上昇させる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYSILICON-POLYSILICON CAPACITOR, MOS TRANSISTOR, AND BIPOLAR TRANSISTOR SIMULTANROUSLY例文帳に追加

ポリシリコン−ポリシリコン・キャパシタ，ＭＯＳトランジスタ，バイポーラ・トランジスタを同時に形成する方法 - 特許庁

To reduce manufacturing cost of an analog/digital embedded semiconductor device constituted of an MOS transistor and a bipolar transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタとで構成されるアナログ／デジタル混載半導体装置の製造コストを低減する。 - 特許庁