bipolar modeとは 意味・読み方・使い方

To provide a bipolar type self arc-extinguishing semiconductor device which can shorten turn-off time even in small current energized mode in inductive load state.例文帳に追加

誘導負荷状態で、小電流通電状態でもターンオフ時間を短くできるバイポーラ型で自己消弧型の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A base current is externally supplied to the semiconductor device in the on mode, the supply of the base current is stopped in an off mode to apply a voltage to a gate terminal G to turn on the unipolar transistor and to discharge excessive carriers in the base region 3 of the bipolar transistor.例文帳に追加

オン時は外部からベース電流を流し、オフ時はベース電流を停止し、ゲート端子Ｇに電圧を印加してユニポーラトランジスタをオンさせて、バイポーラトランジスタのベース領域３の過剰キャリアを排出する。 - 特許庁

A three-button finger switch handpiece and a three-way foot switch are used to utilize two bipolar mode at the full-range power level including five operation modes, that is, three unipolar modes and a new turbo mode for curing serious bleeding part.例文帳に追加

３ボタンフィンガースイッチハンドピース、および３−ウェイフットスイッチを使って、５つの作動モード、すなわち３つのユニポーラモードと、重大な出血部を治療するための新しいターボモードを含むフルレンジの電力レベルでの２つのバイポーラモードを利用できるようにする。 - 特許庁

To provide a new structure of a CMOS device having high resistance to a bipolar type error mode MCBI caused by newly generated neutrons in the CMOS device and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスに新たに出現した中性子起因のバイポーラ型エラーモードＭＣＢＩに高い耐性を持つＣＭＯＳデバイスの新たな構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An analogue charge amplifier 58 is constituted by integrated bipolar technique and the reader circuit 48 of the amplifier is embodied by a BICMOS process being a system of digital technique, preferably, current mode logic(CML) technique.例文帳に追加

本発明では、アナログ電荷増幅器５８が、集積バイポーラ技術で構成され、増幅器の読出し回路４８はデジタル技術、好適には電流モード論理（ＣＭＬ）技術の形式であるＢＩＣＭＯＳプロセスで具現化される。 - 特許庁

The snapback device includes the advantage of a low breakdown voltage which enables the snapback device to snap back into the bipolar mode before any damage is done to active circuit components due to exceeding their breakdown voltage.例文帳に追加

スナップバック・デバイスは破壊電圧が低く、能動回路部品の破壊電圧を超えたことによりそれらに損傷が及ぶ前にスナップバック・デバイスがバイポーラ・モードにスナップバックすることができるという利点を有する。 - 特許庁

A proper voltage is applied to bases of a P channel MOS transistor P1 and an N channel MOS transistor N1 acting like an output driver on the basis of a mode selection signal LM set in response to a voltage level of the power supply voltage VDDH to drive a PNP parasitic bipolar transistor QP 1 and an NPN parasitic bipolar transistor QN 1 at a high speed.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤＨの電圧レベルに応じて設定されるモード選択信号ＬＭに基づいて、出力ドライバであるＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１の基板に適切な電圧が印加され、ＰＮＰ寄生バイポーラトランジスタＱＰ１およびＮＰＮ寄生バイポーラトランジスタＱＮ１が高速に駆動される。 - 特許庁

The electrosurgical instrument 10 is configured to generate high quality RF energy carriers obtained by combining three different carrier frequencies with four electrosurgical mode modulation waveforms and supply the carriers to the monopolar handpiece 26 or the bipolar handpiece 28.例文帳に追加

電子外科手術機器１０は、３つの異なるキャリア周波数、及び４つの電子外科手術モード変調波形を合成した高品質ＲＦエネルギーキャリアを発生して、モノポーラハンドピース２６又はバイポーラハンドピース２８へ供給可能に構成されている。 - 特許庁