bipolar memoryとは 意味・読み方・使い方

In data reading, the memory reads the data by amplifying a current corresponding to the data of memory cell 1 appearing on the bit line with the bipolar transistor 6.例文帳に追加

そして、データの読み出し時に、ビット線ＢＬに現れるメモリセル１のデータに対応する電流をバイポーラトランジスタ６により増幅してデータを読み出す。 - 特許庁

The memory includes a second bit line, a second resistive memory element coupled between an emitter of the first bipolar transistor and the second bit line, and a word line coupled to a base of the first bipolar transistor.例文帳に追加

上記メモリは、第２のビット線と、上記第１のバイポーラトランジスタのエミッタと上記第２のビット線との間に結合されている第２の抵抗メモリ素子と、上記第１のバイポーラトランジスタのベースに結合されているワード線とを備えている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device suitable for high integration in which parasitic bipolar operation can be prevented.例文帳に追加

寄生バイポーラとしての動作を防止でき、かつ高集積化に適した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic memory circuit which stores the information bits, using a characteristic bipolar transistor effect in a floating body transistor.例文帳に追加

フローティング・ボディ・トランジスタ内の固有バイポーラ・トランジスタ効果を利用して情報ビットを記憶するダイナミック・メモリ回路を提供すること。 - 特許庁

To make a semiconductor device wherein a bipolar transistor and a non-volatile semiconductor memory are mounted in a mixed state on the same semiconductor substrate, into such a structure that ultraviolet rays are not radiated on the bipolar transistor while they are radiated on the non-volatile semiconductor memory.例文帳に追加

バイポーラトランジスタと、不揮発性半導体記憶素子とが同一の半導体基板にて混載された半導体装置において、不揮発性半導体記憶素子に対して紫外線が照射されたとき、バイポーラトランジスタに対しては紫外線が照射されない構造とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which setting operation and resetting operation can be ensured in bipolar driving, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

バイポーラ駆動でセット動作、リセット動作を確実に行うことができる不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar type operation in a predetermined operation principle and can be used as a memory device.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。 - 特許庁

When a program is executed in a nonvolatile data storage device, bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array is prevented, to improve reliability of data corresponding to the executed program.例文帳に追加

不揮発性データ貯蔵装置にプログラムが実行される場合、メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止して、プログラムが実行されたデータの信頼性を向上させる。 - 特許庁