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blue-violet semiconductorとは 意味・読み方・使い方
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「blue-violet semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
The package 90 includes: a base portion 10 on which the blue-violet semiconductor laser element 20 is mounted; a sealing member 30 for sealing the blue-violet semiconductor laser element 20 with the base portion 10; and a light transmitting portion 35 for transmitting light from the blue-violet semiconductor laser element 20 to the outside.例文帳に追加
パッケージ９０は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、青紫色半導体レーザ素子２０をベース部１０とともに封止する封止用部材３０と、青紫色半導体レーザ素子２０から出射された光を外部に透過する光透過部３５とを含む。 - 特許庁
A semiconductor laser device 100 comprises a blue-violet semiconductor laser element 20 and a package 90 for sealing the blue-violet semiconductor laser element 20.例文帳に追加
この半導体レーザ装置１００は、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ９０とを備える。 - 特許庁
A semiconductor laser device 100 comprises a blue-violet semiconductor laser element 20 and a package 50 that seals the blue-violet semiconductor laser element 20.例文帳に追加
この半導体レーザ装置１００は、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ５０とを備える。 - 特許庁
Higher density in the next-generation optical disk which uses a blue-violet semiconductor laser is made possible by using an electron donating chromogenic compound showing absorption in the wavelength region of the blue-violet semiconductor laser for a mask layer 4.例文帳に追加
マスク層４に青紫色半導体レーザの波長領域に吸収を持つ電子供与性呈色化合物を用いたことで、青紫色半導体レーザを用いた次世代光ディスクの更なる高密度化を可能にする。 - 特許庁
To provide a sensitizer having excellent spectroscopic sensitivity to a blue-violet semiconductor laser, a photosensitive composition for the blue-violet semiconductor laser using the sensitizer and an image forming material.例文帳に追加
青紫色半導体レーザーに対して分光感度に優れた増感剤とそれを用いた青紫色半導体レーザー用感光性組成物及び画像形成材を提供すること。 - 特許庁
Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加
あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁
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「blue-violet semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
The three-wavelength semiconductor laser device 1 includes a blue-violet semiconductor laser element 10, a two-wavelength semiconductor laser element 20, and a submount 2.例文帳に追加
この３波長半導体レーザ装置１は、青紫色半導体レーザ素子１０と、２波長半導体レーザ素子２０と、サブマウント２とを備えている。 - 特許庁
A monolithic red/infrared semiconductor laser element 23X is joined onto a blue-violet semiconductor laser element 1.例文帳に追加
青紫色半導体レーザ素子１上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが接合される。 - 特許庁
A side face 21c arranged to face the blue-violet semiconductor laser element 10, of a semiconductor substrate 21 in the two-wavelength semiconductor laser element 20, is formed to make long a distance to the blue-violet semiconductor laser element 10, as it goes away from the submount 2.例文帳に追加
２波長半導体レーザ素子２０の半導体基板２１の、青紫色半導体レーザ素子１０に対向配置される側面２１ｃは、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように形成されている。 - 特許庁
The laser emitting part 31 has a heat sink 41, a blue-violet color semiconductor laser element 42 adhered on the heat sink 41, a red color semiconductor laser element 43 adhered on the blue-violet color semiconductor laser element 42, an infrared semiconductor laser element 44, and a magnification correcting lens 45.例文帳に追加
レーザ発光部３１は、ヒートシンク４１と、ヒートシンク４１上に接着された青紫色半導体レーザ素子４２と、青紫色半導体レーザ素子４２上に接着された赤色半導体レーザ素子４３及び赤外半導体レーザ素子４４と、倍率補正レンズ４５とを有している。 - 特許庁
A light path from a collimating lens 217 is separated at a first beam splitter 213 into a light path to a two-wavelength semiconductor laser light source 202 and a light path to a blue-violet semiconductor laser light source 201 and a PDIC 222, and the light paths of the blue-violet semiconductor laser light source 201 and the PDIC 222 are separated at BS2.例文帳に追加
コリメートレンズ２１７から２波長半導体レーザ光源２０２への光路と、青紫色半導体レーザ光源２０１およびＰＤＩＣ２２２への光路を第１のビームスプリッタ２１３で分離し、青紫色半導体レーザ光源２０１とＰＤＩＣ２２２の光路をＢＳ２で分離する。 - 特許庁
In a blue-violet semiconductor laser element 1; p-electrodes 12 are formed on an upper face, and an n-electrode 15 is formed on a lower face.例文帳に追加
青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。 - 特許庁
Solder films H are formed on a part of the upper face of the p-electrode 12 of the blue-violet semiconductor laser element 1.例文帳に追加
青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の上面の一部にはんだ膜Ｈが形成されている。 - 特許庁
A protrusion T1 and elevations U1 and U2 are formed on the upper surface of a blue-violet semiconductor laser element 100.例文帳に追加
青紫色半導体レーザ素子１００の上面には、凸部Ｔ１および隆起部Ｕ１，Ｕ２が形成されている。 - 特許庁
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