break in the processとは 意味・読み方・使い方

When the executed instruction is a substitution instruction for substituting data in the process memory space, the computer updates information in a break memory space corresponding to a process memory space which is a substitution destination of the data to break point information in a break memory space corresponding to a process memory space storing the data.例文帳に追加

また、実行された命令がプロセスメモリ空間内でデータを代入する代入命令である場合に、データの代入先となるプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間の情報を、データが記憶されているプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間のブレークポイント情報に更新する。 - 特許庁

Then, when a break of TOC(Table of Contents) data is detected in the reading process, the address of this break is determined as a recording starting position Z, and data are overwritten from the position Z.例文帳に追加

そして、読み取り過程でＴＯＣデータの切れ目が検出されたときに、この切れ目のアドレスを記録開始位置Ｚとして決定し、この位置Ｚからデータの上書きを行う。 - 特許庁

To provide an actuator having a structure which easily detects the break of a mirror device and a break detection structure without complicating a manufacturing process in order to obtain the structure.例文帳に追加

ミラーデバイスの破損を容易に検知し得る構造を備え、かつその構造を得るために製造プロセスを複雑化しないで済むような破損検知構造を備えるアクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide an actuator structure in which the break of a mirror device is easily detected and the manufacturing process of the actuator is simple.例文帳に追加

ミラーデバイスの破損を容易に検知し、かつその製造プロセスが簡易となるアクチュエータ構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, the substrate 100 can be made as hard to break as a conventional one in an electrode printing/baking process.例文帳に追加

その結果、基板１００は、電極印刷・焼成工程で従来と同様程度の破損しにくい基板とすることができる。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film for molding process and its manufacturing method is characterized in that the melting point is 240-265°C, crystalization degree is 49-58, and the total (FMD+FTD) of the stretching at break in the longitudinal direction (FMD) and the stretching at break in the width direction (FTD) at 80°C is not less than 430%.例文帳に追加

融点が２４０〜２６５℃、結晶化度が４９〜５８であり、８０℃での長手方向の破断伸度（ＦMD）と幅方向の破断伸度（ＦTD）の合計（ＦMD＋ＦTD）は４３０％以上であることを特徴とする成形加工用二軸延伸ポリエステルフィルムおよびその製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, the method sufficiently suppressing chip flying caused in a dicing process and both chip break and pickup error caused in a pickup process; and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ダイシング工程におけるチップ飛びとピックアップ工程におけるチップ割れやピックアップミスとの両方を十分抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a second process, a laser beam is irradiated along the scheduled process line L1 on the second glass substrate G2, and the vicinity of an area 40 to be irradiated by a laser beam is cooled to break the second glass substrate G2.例文帳に追加

第２工程では、加工予定線Ｌ１に沿って、第２ガラス基板Ｇ２にレーザを照射するとともに、レーザが照射される領域４０の近傍を冷却し、第２ガラス基板Ｇ２を割断する。 - 特許庁