breakdown thresholdとは 意味・読み方・使い方

METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREMENT OF BREAKDOWN THRESHOLD VALUE OF FINE PARTICLES AS WELL AS MEASURING APPARATUS FOR FINE PARTICLES IN LIQUID BY USING THEM例文帳に追加

微粒子のブレイクダウン閾値測定方法とその測定装置、およびこれを用いた液中微粒子測定装置 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting the threshold of a low breakdown strength MISFET, with a polycrystalline silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high-breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on the gate electrode FG of the high-breakdown-voltage MISFET such that the film 111 functions as a gate electrode of a low-breakdown-voltage MISFET, and then impurity is injected to adjust the threshold of the low-breakdown-voltage MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting a threshold value of a low breakdown-strength MISFET, with a polycrystal silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown-strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

The threshold voltage of the memory transistor is controlled through injecting the charges generated by an avalanche breakdown into the control gate CG.例文帳に追加

メモリトランジスタは、アバランシェブレークダウンにより発生した電荷の制御ゲートＣＧへの注入によってしきい値電圧が制御される。 - 特許庁

To impart appropriate threshold voltages and characteristics suitable for suppressing hot carriers to the respective plural transistors of different breakdown strengths, in a semiconductor device provided with the transistor of high breakdown strength and the transistor of low breakdown strength inside the same chip.例文帳に追加

本発明は同一チップ内に高耐圧のトランジスタと低耐圧のトランジスタとを備える半導体装置に関し、耐圧の異なる複数のトランジスタのそれぞれに、適当なしきい電圧値と、ホットキャリアを抑制するうえで好適な特性とを付与することを目的とする。 - 特許庁

When an electric element 103 receives electric stress equal to a threshold or larger, the element is changed from an insulation state to a dielectric breakdown state.例文帳に追加

１つの電気素子１０３が或る閾値以上の電気的ストレスを受けると絶縁状態から絶縁破壊状態に変化する。 - 特許庁

To provide a technology for raising the threshold electric potential of a parasitic MOS of a semiconductor integrated circuit device comprising a high breakdown strength MISFET.例文帳に追加

高耐圧ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の寄生ＭＯＳの閾値電位を上げることができる技術を提供する。 - 特許庁