bulk defectとは 意味・読み方・使い方

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁

An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed.例文帳に追加

パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。 - 特許庁

To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically.例文帳に追加

ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。 - 特許庁

To provide a method of pulling up a silicon single crystal, by which the silicon single crystal having a uniform BMD(bulk micro defect) density in the axial direction can be obtained, and to provide a silicon wafer obtained from the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハにおいて、シリコン単結晶の軸方向において均一なＢＭＤ密度を得ること。 - 特許庁

METHOD FOR IMAGING AND DISPLAYING BULK MICRO DEFECT IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, PROGRAM AND PROGRAM-RECORDED AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加

半導体単結晶中の酸素析出物を画像化して表示する方法、プログラムおよびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a detection method of a crystal defect having high sensitivity, capable of detecting even a fine defect such as a small BMD (Bulk Micro Defect) formed on a silicon monocrystal wafer having a low resistivity, with progression of temperature lowering in heat treatment following high integration of devices.例文帳に追加

デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁