「bulk defect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide, in a seed sublimation system, a manufacturing method of a high quality silicon carbide bulk single crystal of a low bottom face defect level.例文帳に追加

シード昇華システムにおいて、底面欠陥レベルの低い、高品質のシリコンカーバイドバルク単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bulk and a wafer of gallium nitride single crystal and those of a gallium nitride-aluminum nitride solid solution single crystal with a low defect density.例文帳に追加

欠陥密度が低い窒化ガリウムや窒化ガリウム−窒化アルミニウム固溶体単結晶のバルクやウェハーを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁

An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed.例文帳に追加

パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。 - 特許庁

To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically.例文帳に追加

ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。 - 特許庁

To provide a method of pulling up a silicon single crystal, by which the silicon single crystal having a uniform BMD(bulk micro defect) density in the axial direction can be obtained, and to provide a silicon wafer obtained from the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハにおいて、シリコン単結晶の軸方向において均一なＢＭＤ密度を得ること。 - 特許庁

METHOD FOR IMAGING AND DISPLAYING BULK MICRO DEFECT IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, PROGRAM AND PROGRAM-RECORDED AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加

半導体単結晶中の酸素析出物を画像化して表示する方法、プログラムおよびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a detection method of a crystal defect having high sensitivity, capable of detecting even a fine defect such as a small BMD (Bulk Micro Defect) formed on a silicon monocrystal wafer having a low resistivity, with progression of temperature lowering in heat treatment following high integration of devices.例文帳に追加

デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer, wherein a void defect existing in a wafer bulk portion is prevented from functioning as a contamination source in a device process or a source of slip generation.例文帳に追加

ウェーハバルク部に存在するボイド欠陥が、デバイスプロセスにおいて汚染源となることが抑制され、さらに、スリップの発生源となることも抑制されたシリコンウェーハの提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which a defect such as word line-bit line connection, word line-bulk connection, word line-word line connection, or the like can be relieved.例文帳に追加

ワードライン−ビットライン連結、ワードライン−バルク連結及びワードライン−ワードライン連結等のような欠陥を救済できる不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of preemptively revealing a potential crystalline defect in a bulk silicon substrate used in manufacturing an SOI substrate using a layer transfer process.例文帳に追加

層転写プロセスに用いてＳＯＩ基板を作製するのに用いられるバルクシリコン基板中の潜在的結晶欠陥を予防的に顕在化させる方法の提供。 - 特許庁

To manufacture good quality silicon carbide bulk single crystal having no micro-pipe defect and a small number of lattice defects at a melt temperature of ≤2000°C and at a high growth rate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥を含まない、格子欠陥の少ない良質な炭化珪素バルク単結晶を、２０００℃以下の融液温度で、高い成長速度で製造する。 - 特許庁

To obtain a laminated chip inductor which can be improved in product yield by surely preventing conduction defect, even if the chip is small-sized, satisfactory in high frequency characteristics, and suitably mounted on a bulk adaptive chip.例文帳に追加

小型チップであっても導通不良を確実に防止して製品歩留まりの向上が図れ、高周波特性が良い、バルク対応のチップ実装に好適な積層チップインダクタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer having strong gettering performance without forming an epitaxial defect in an epitaxial layer and by forming BMD with high density in a bulk part.例文帳に追加

エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal of a nitride compound semiconductor wherein the crystal of a p-type nitride compound semiconductor can be made low in resistance as a bulk, and which is in a low level of a defect and high in quality.例文帳に追加

バルク全体にわたってｐ型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質の窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

In the silicon wafer, a wafer surface portion 1 is a non-defective area in which there is no void defect, and a wafer bulk portion 2 positioned deeper than the wafer surface portion 1 contains a void defect 4 composed of a polyhedron basically forming an octahedron with the polyhedron corners curved and an inner wall oxide film removed.例文帳に追加

ウェーハ表面部１はボイド欠陥が存在しない無欠陥領域であり、ウェーハ表面部１よりも深いウェーハバルク部２は、八面体を基本形状とする多面体で構成され、前記多面体の角部が曲面状であり、かつ、内壁酸化膜が除去されたボイド欠陥４が存在しているシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for enabling visual, intuitive recognition of the behavior of bulk micro defect (BMD) by displaying the behavior of BMD by computer simulation as the image represented by the infra-red tomographic method.例文帳に追加

コンピュータシミュレーションによって得られる酸素析出物（ＢＭＤ）の挙動を、赤外線トモグラフ法で得られる画像イメージで表示することによって、ＢＭＤの挙動を直感的、視覚的に理解することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a member for a heat treatment and its manufacturing method which can reduce partial deformation during a heat treatment process for prevention of slippage of semiconductor wafers by controlling a bulk micro defect density of the component for the heat treatment.例文帳に追加

熱処理用部材のバルク微小欠陥密度を制御することで、熱処理時における部分的な変形を抑制し、半導体ウエハのスリップの発生を防止できる熱処理用部材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはＩＧ効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥（ＢＭＤ）が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal.例文帳に追加

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal which improves nonuniformity of BMD (Bulk Micro Defect) density per parts, while the concentration of oxygen from the top side to the bottom side is uniformly maintained in the pulling process of a single crystal.例文帳に追加

単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To mold prefoamed particles having a large bulk density, which can be molded only by an inner pressure applying method having such a defect that equipment investiment cost becomes large in conventional technique, by a compression filling molding method advantageous from an aspect of productivity and equipment investiment cost.例文帳に追加

従来技術では設備投資費が大きくなるという欠点を有する内圧付与法でしか成形できなかった嵩密度の大きな予備発泡粒子を、生産性、設備投資費の面で有利である圧縮充填成形法で成形できるようにする。 - 特許庁

To provide a method and a device for evaluating a semiconductor wafer, which highly accurately evaluate the BMD (Bulk Micro Defect) density distribution by obtaining the BMD density over the entire surface of the semiconductor wafer in a short time period for impurity analysis of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a larger high quality bulk single crystal of silicon carbide with low 1c screw dislocation defect levels in a crystal formed in the seeded sublimation system in order to reduce the total number of defects in the manufactured crystal.例文帳に追加

製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a silicon wafer capable of extinguishing a crystal defect such as a COP on the surface of a wafer as a device active region, capable of forming a BMD with a high density in a bulk, and capable of suppressing a slip generated in an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method of heat-treating a silicon wafer, the method eliminating a crystal defect of a COP etc., at a surface part of the wafer to become a device active region, generating a BMD at a bulk part with high density, and further suppressing a slip generated during an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large sized bulk like oxide superconductor free from defect by preventing the occurrence of crack caused by the difference of coefficient of thermal expansion from that of a supporting member in the manufacturing of the oxide superconductor by a half-melting solidification method.例文帳に追加

本発明は、半溶融凝固法により酸化物超電導体を製造する際に支持部材との熱膨張係数差に起因するクラックを入らないようにして欠陥のない大型のバルク状の酸化物超電導体を製造することができる技術の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁