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by Ganとは 意味・読み方・使い方

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Wiktionary英語版での「by Gan」の意味

bygan

名詞

bygan

  1. Alternative form of bhaigan

アナグラム

発音

Conjugation


「by Gan」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 638



例文

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

Further, the upper part of the GaN layer 5 is processed into GaN pillars 5a, and a new GaN layer 7 is grown by crystal growth, until the surface thereof is made planarized.例文帳に追加

さらに、GaN層5の上部をGaN柱5aに加工し新たなGaN層7を表面が平坦化するまで結晶成長させる。 - 特許庁

A GaN layer 3 is grown by nearly 2 μm on a GaN layer 2 formed on a base substrate 1, and an Al_2O_3 film 4 of nearly 100 μm is formed by sputtering method.例文帳に追加

ベース基板1上に形成されたGaN膜2に、GaN層3を2μm程度成長させ、スパッタ法により100nm程度のAl_2O_3膜4を形成する。 - 特許庁

Then, a GaN layer 3 is formed by longitudinal and transverse epitaxial growth.例文帳に追加

次に、縦及び横方向エピタキシャル成長によりGaN層3を形成する。 - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク4から露出したGaN層31の頂上部Tを核として、GaN層32を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層31からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

The remaining GaN layer 31 is removed by etching along with the upper layer GaN 32 and when GaN 33 is grown epitaxially using the upper surface and the side face at the upper stage of the remaining GaN layer 32 as nuclei, a GaN substrate 30 in which through dislocation is suppressed significantly can be obtained.例文帳に追加

こののち残ったGaN層31を上層のGaN32とともにエッチングして除去し、残ったGaN層32の上段の上面及び側面を核として、GaN33を横方向エピタキシャル成長させれば、貫通転位の著しく抑制されたGaN基板30を得ることができる。 - 特許庁

例文

Title: Shobutsushomyo no gan, Shobutsushoyo no gan, Shobutsushosan no gan, Shobutsushisha no gan, Osoeko no gan, Senchakushomyo gan (選択称名), Ososhogyo (正業) (sorted by summarized test)発音を聞く 例文帳に追加

願名…諸仏称名の願・諸仏称揚の願・諸仏称讃の願・諸仏咨嗟の願・往相廻向の願・選択称名願・往相正業(略文類) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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「by Gan」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 638



例文

Title: Nyoninjobutsu no gan, Nyoninojo no gan (Honen's Commentary on Daikyo), Henjonanshi no gan ("Jodo wasan," by Shinran), Tennyojonan no gan and Monmyotennyo no gan ("Nyoninojo kikigaki," by Zonkaku)発音を聞く 例文帳に追加

願名…女人成仏の願・女人往生の願(法然・大経釈)・変成男子の願(親鸞『浄土和讃』)・転女成男の願、聞名転女の願(存覚『女人往生聞書』) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, a GaN layer 4, which contains magnesium as a dopant is laminated thereon at a lower pressure than the GaN layer 3, by which pits formed in the GaN layer 3 are filled with the GaN layer 4, and the surface of the GaN layer 4 becomes flat.例文帳に追加

次に、その上に、マグネシウムをドーパントとして含むGaN層4をGaN層3よりも低圧で積層させ、GaN層4によって、GaN層3に生じたピットを埋めてGaN層4の表面を平坦にする。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed on the GaN layer 12 by growing a GaN based semiconductor layer including an active layer on the GaN layer 12.例文帳に追加

このGaN層12上に、活性層を含むGaN系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The laminate structure part 3 is formed by laminating n-type GaN layers 4, 5, a p-type GaN layer 6 and an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

積層構造部3は、n型GaN層4,5、p型GaN層6およびn型GaN層7を積層して構成されている。 - 特許庁

A GaN is thickened with a self-support film of the GaN as a seed by the HVPE method to and an ingot of GaN is prepared.例文帳に追加

GaNの自立膜を種結晶としてHVPE法でGaNを厚付けしGaNインゴットを作る。 - 特許庁

An n^--GaN layer 11 is regrown on the upper surface of the n^--GaN layer 11 and the upper surface of the p-GaN layer 13 by an MOCVD method.例文帳に追加

n^- −GaN層11の上面、および、p−GaN層13の上面に、n^- −GaN層11をMOCVD法により再成長させる。 - 特許庁

The learning of Gan Gen (Yen Yuan) was widely spread by his disciple, Ri Kyo, and was called the Gan Ri school.発音を聞く 例文帳に追加

顔元の学は弟子の李キョウによって喧伝され、顔李学派と呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

The GaN layer 13 is removed for the depth of about 2 μm by dry etching and trapezoidal groove stripes are formed.例文帳に追加

GaN層13をドライエッチングにより深さ2μm程度除去し、台形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

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