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carrier dopingとは 意味・読み方・使い方
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「carrier doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 48件
The carrier for containing the substrate is used properly before and after doping.例文帳に追加
基板を格納するキャリアを、ドーピングの前後で使い分けるようにした。 - 特許庁
As a result, C mixes into the GaAS grown crystal as a carrier, thereby subjecting a GaAs crystal layer to p-type doping.例文帳に追加
その結果、CがキャリアとしてGaAs成長結晶中に混入し、GaAs結晶層がp型ドーピングされる。 - 特許庁
To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element.例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。 - 特許庁
To provide a doping apparatus which can dope up to an optimal carrier density non-destructively and simply to obtain desired electrical characteristics, to provide a doping method and to provide a manufacturing method for a thin film transistor using the doping method.例文帳に追加
本発明は、非破壊かつ簡便に、所望の電気特性を得るために最適なキャリア濃度にドーピングできるドーピング装置、並びにドーピング方法、それを用いる薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a doping apparatus and a doping method that can carry out doping to the carrier concentration which is optimum for obtaining a desired electric characteristic non-destructively and in an easy manner, and to provide a method for fabricating a thin-film transistor using the same.例文帳に追加
本発明は、非破壊かつ簡便に、所望の電気特性を得るために最適なキャリア濃度にドーピングできるドーピング装置、並びにドーピング方法、それを用いる薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
The low resistive layer 14, for example, is formed by doping impurities into the metal oxide film and by increasing a carrier concentration.例文帳に追加
低抵抗層14は、例えば、金属酸化膜に不純物をドーピングし、キャリア濃度を増加させることにより形成される。 - 特許庁
In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b.例文帳に追加
上下に二つのキャリア供給層3a、3bで挟まれたチャネル層5を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層3aのドーピング濃度を下側のキャリア供給層3bのドーピング濃度の2〜4倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。 - 特許庁
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「carrier doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 48件
The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加
光キャリア再結合領域は、n型半導体層とp型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solar cell by which the loss of life time of a carrier can be suppressed and a high-concentration p-doping area and a high-concentration n-doping area can be easily patterned in precision.例文帳に追加
キャリアのライフタイムの損失を抑制できるとともに高濃度pドーピング領域および高濃度nドーピング領域の精密なパターンニングを簡易に行なうことができる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the doping method of a sample containing a photosensitive component, the sample is doped by controlling a region to be doped with a charge carrier and its doping amount for the sample S containing a photosensitive component.例文帳に追加
感光性成分を含む試料へのドーピング方法において、感光性成分を含む試料Sに対して電荷担体をドープされるべき領域とそのドーピング量を制御し、前記試料へのドーピングを行う。 - 特許庁
A high carrier region 1 of a desired shape is formed on the surface of a silicon substrate 10 having a (100) face as a principal plane by doping impurity.例文帳に追加
(100)面を主面とするシリコン基板10表面に所望の形状の高キャリア領域1を不純物ドープにより形成する。 - 特許庁
To control carrier doping, and to enable to perform forming and controlling of a band gap in a carbon thin film such as a graphene or graphite thin film.例文帳に追加
グラフェンやグラファイト薄膜などの炭素薄膜において、キャリアドーピングの制御をするとともに、バンドギャップの形成・制御が行えるようにする。 - 特許庁
Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier.例文帳に追加
つまり、n型化合物半導体層103は、そのバンドギャップとn型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 - 特許庁
An epitaxial wafer containing a carrier at a high concentration is obtained by forming an Se-doped layer 3a, which is doped with Se (or Te or S) as an n-type dopant by a uniform doping method or a planar doping method on a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加
化合物半導体エピタキシャルウェハに、n型ドーパントとしてSe(若しくはTe、S)を均一ドープ法若しくはプレーナドープ法でドーピングしたSeドープ層3aを形成することにより、高キャリア濃度のエピタキシャルウェハが得られる。 - 特許庁
An element for carrier doping applied to the hydroxyapatite derivative is sodium (Na), potassium (K), magnesium (Mg), strontium (Sr) or the like, for example.例文帳に追加
ハイドロキシアパタイト誘導体に適用されるキャリアドーピング用元素としては、例えば、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)などが挙げられる。 - 特許庁
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