| 意味 | 例文 (10件) |
ce hとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「ce h」の意味 |
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CEH
| human | 遺伝子名 | CEH |
| 同義語(エイリアス) | epoxide hydrolase 2, cytoplasmic; SEH; EPHX2; Cytosolic epoxide hydrolase; Soluble epoxide hydrolase; Epoxide hydrolase 2; Epoxide hydratase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P34913 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:2053 | |
| その他のDBのID | HGNC:3402 |
| human | 遺伝子名 | CEH |
| 同義語(エイリアス) | HMSE1; PCE-1; Triacylglycerol hydrolase; CES2; TGH; SES1; Egasyn; Serine esterase 1; Liver carboxylesterase 1 precursor; CES1; HMSE; Brain carboxylesterase hBr1; MGC117365; Acyl coenzyme A:cholesterol acyltransferase; Monocyte/macrophage serine esterase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P23141 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:1066 | |
| その他のDBのID | HGNC:1863 |
| mouse | 遺伝子名 | CEH |
| 同義語(エイリアス) | AW106936; SEH; epoxide hydrolase 2, cytoplasmic; Cytosolic epoxide hydrolase; Ephx2; Soluble epoxide hydrolase; Eph2; Epoxide hydrolase 2; Epoxide hydratase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P34914 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:13850 | |
| その他のDBのID | MGI:99500 |
| rat | 遺伝子名 | CEH |
| 同義語(エイリアス) | SEH; epoxide hydrolase 2, cytoplasmic; Cytosolic epoxide hydrolase; Ephx2; Soluble epoxide hydrolase; cytosolic epoxide hydrolase; Epoxide hydrolase 2; Epoxide hydratase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P80299 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:65030 | |
| その他のDBのID | RGD:620732 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「ce h」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The internal control signal/CE generating circuit 16 selects either of two chips responding to 'H' and 'L' of an address signal A19 through the input buffer 13.例文帳に追加
内部制御信号/CE発生回路16は、ピンa19から入力バッファ13を介してのアドレス信号A19の“H”及び“L”に応答して、2チップのいずれかを選択する。 - 特許庁
When the address flag signal CAFLG is "H", a chip enable signal CE' is outputted from the CE buffer 26, and data are written or read to/from the memory chip 2.例文帳に追加
アドレスフラグ信号CAFLGが“H”の状態において、CEバッファ26からチップイネーブル信号CE’が出力され、メモリチップ2への書き込みや読み出しなどの動作が行われる。 - 特許庁
In NaZn_13 type La(Fe_xSi_1-x)_13H_y as a magnetic refrigeration working substance, Ce is partially substituted and H is absorbed, and its composition is converted into NaZn_13 type La_1-zCe_z(Fe_xSi_1-x)_13H_y.例文帳に追加
本発明では、磁気冷凍作業物質である NaZn_13型La(Fe_xSi_1-x)_13H_y において、Ceを部分置換、Hを吸収させその組成をNaZn_13型La_1-zCe_z(Fe_xSi_1-x)_13H_yとしたことを特徴とする磁気冷凍作業物質を得ることができる。 - 特許庁
A hydrocarbon gas adsorption and cleaning catalyst is provided which is based on Ce carried on H type β-zeolite or H type mordenite having an Si to 2Al weight ratio of 200-500 in such a way that the weight ratio and atomic ratio of Ce to Al contained structurally in the β-zeolite or mordenite ranges from 40 to 120 and from 20 to 60, respectively.例文帳に追加
Si/2Alの重量比が200〜500であるH型ベータゼオライトまたはH型モルデナイトにおいて、前記ゼオライトまたは前記H型モルデナイトに構造的に含まれるAlに対してCeの重量比が40〜120、原子比で20〜60になるように、Ceを担持したものを主成分とする。 - 特許庁
After the logic level of the CE* terminal is returned to H level and an output control signal BCON* becomes L level, the buffer 6 outputs the read data to a CPU bus 5.例文帳に追加
CE^* 端子の論理レベルがHレベルに戻った後、出力制御信号BCON^* がLレベルになると、バッファ6はリードデータをCPUバス5に出力する。 - 特許庁
Before the logic level of CE* terminal becomes H level, a buffer 6 fetches the read data while a latch control signal BLTCH is at the H level, the output is immediately turned into high impedance and the access with the flash ROM 2 is finished.例文帳に追加
バッファ6は、CE^* 端子の論理レベルがHレベルになる前にラッチ制御信号BLTCHがHレベルである間にリードデータを取り込み、直ぐに出力をハイインピーダンスにしてフラッシュROM2とのアクセスを終了する。 - 特許庁
The connection control circuit 100 sets an interlock signal CE controlling a gate for connecting electrically a pair of bit line to a pair of data input/ output line to a H level or a L level in accordance with a sense amplifier activating signal ϕN and a column bank address and ϕCB.例文帳に追加
接続制御回路100は、センスアンプ活性化信号φNとコラムバンクアドレスφCBとに応じて、ビット線対とデータ入出力線対とを電気的に接続するためのゲートを制御するインターロック信号CEをHまたはLレベルに設定する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「ce h」の意味 |
「ce h」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
When the read control signal CE is activated and made to 'H', the NMOSs 32, 33 are turned on, a reference current INR is made to flow in the NMOS 33 from a reference array 20 through the PMOS 31 being already turned on, and reference voltage REF is directly outputted to the reference node N20.例文帳に追加
読出制御信号CEが活性化されて“H”になると、NMOS32,33がオンとなり、既にオンとなっているPMOS31を介して、NMOS33に基準セルアレイ20からの基準電流INRが流れ込み、基準ノードN2に基準電圧REFが直ちに出力される。 - 特許庁
When a start signal CE is set to a H level, a current for operating a reference voltage circuit portion 1a is supplied from a power source via transistors PM10a and PM8a, by turning the transistor PM10a of a starting circuit portion 2a to on and the reference voltage VREF is generated from the reference voltage circuit portion 1a.例文帳に追加
起動信号CEをHレベルにすると、起動回路部2aのトランジスタPM10aがオンすることによって、電源からトランジスタPM10a、PM8aを経由して基準電圧回路部1aを動作させるための電流が供給され、基準電圧回路部1aから基準電圧VREFが生成される。 - 特許庁
In read or write operation, in a freeze releasing circuit 60 in a semiconductor memory device, when a row-act signal /ROWACT is not activated in the prescribed period decided by a trailing edge delay circuit DL10 after a chip enable-signal/CE is made an H level, a freeze reset signal /FREEZRST is outputted from a logic gate L14 after the elapse of the prescribed period.例文帳に追加
書込または読出動作時、半導体記憶装置内のフリーズ解除回路60において、チップイネーブル信号/CEがHレベルとなったのち、後縁遅延回路DL10にて決定される所定期間中にロウアクト信号/ROWACTが活性化されない場合、所定期間経過後に論理ゲートL14からフリーズリセット信号/FREEZRSTが出力される。 - 特許庁
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