cleavage planesとは 意味・読み方・使い方

In a method of dividing a semiconductor substrate, dividing grooves are formed so as not to become parallel to cleavage planes of the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is divided along the dividing grooves by bending the semiconductor substrate along the dividing grooves.例文帳に追加

本発明によれば、半導体基板の劈開面と平行にならないように分割溝を形成し、分割溝に沿って半導体基板を折り曲げることにより、分割溝に沿って半導体基板を割断する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor stacked structure 2 includes a linear ridge 20 formed in parallel to a projection vector of the c-axis to the crystal growth surface and a pair of laser resonance surfaces 21 and 22 composed of cleavage planes perpendicular to the projection vector.例文帳に追加

III族窒化物半導体２は、前記結晶成長面へのｃ軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ２と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面２１，２２とを含む。 - 特許庁

An element piece 5, having electrodes formed at its both surfaces in its thickness direction is cut out from a Z-cut single crystal wafer of lithium tantalate, so that cut-out faces 5a to 5f coincide with cleavage planes (10-2) of the single crystal wafer.例文帳に追加

厚み方向の両面に電極が形成された素子片５は、タンタル酸リチウムのＺカット単結晶ウェハから切り出され、切り出し面５ａ〜５ｆが該Ｚカット単結晶ウェハの劈開面である｛１０−２｝面に一致している。 - 特許庁

With this setup, crystal grain powder is improved in crystal orientation so as to align cleavage planes in the direction vertical to the direction of compression, and a thermoelectric semiconductor material is improved in thermoelectric performance in a direction vertical to a direction, in which a compressive force is applied.例文帳に追加

こうして圧縮方向に対して垂直方向に劈開面が揃うように結晶配向が改善されて、圧縮力を加えた方向に対して垂直な方向の熱電性能が向上する（図３（ｂ））。 - 特許庁

Both the cleavage planes are end faces of a laser resonator, and protective films 70 are formed so that they are in contact with end faces of a laser resonator.例文帳に追加

へき開面はどちらもレーザ共振器の端面であり、レーザ共振器の端面にはその端面に接するように保護膜７０がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

In the method of fracturing a substrate, the dividing grooves 8 are formed so as not to become parallel to the cleavage planes of the semiconductor substrate 1, and the semiconductor substrate 1 is bent along the dividing grooves 8, thereby fracturing the semiconductor substrate 1 along the dividing grooves 8.例文帳に追加

半導体基板１の劈開面と平行にならないように分割溝８を形成し、分割溝８に沿って半導体基板１を折り曲げることにより、分割溝８に沿って半導体基板１を割断する。 - 特許庁

At this point, as the sheet 3 is oriented, the semiconductor wafer 2 is cut into several bars, the cleavage planes of the bars are hardly brought into contact with each other.例文帳に追加

このとき、延伸シート３が延伸されていることによって、バー形状に切断された半導体ウェハ２のへき開面どうしが離れた状態となって接触しない。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser is installed inside an ECR sputtering device provided with a silicon target, the inside of the device is evacuated, then a cleaning gas for which an argon gas and a nitrogen gas are mixed is introduced to a plasma chamber to generate ECR plasma, one of the cleavage planes is exposed to the plasma for prescribed time and cleaning is executed.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁