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意味・対訳 誘電体境界

JST科学技術用語日英対訳辞書での「dielectric boundary」の意味

dielectric boundary


「dielectric boundary」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79件



例文

To form a highly dielectric gate dielectric having no boundary oxide.例文帳に追加

界面酸化物を有さない高誘電率ゲート誘電体の形成。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY OF SILICON DIELECTRIC BOUNDARY AND REDUCING SURFACE ROUGHNESS例文帳に追加

シリコン誘電体界面の均一性の改善及び表面粗さの削減方法。 - 特許庁

To prevent a boundary part whose dielectric constant is different from being peeled or broken up and to increase the thickness of a dielectric whose internal dielectric constant is different, in spite of a dielectric substrate a part of which is different in dielectric constant.例文帳に追加

一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くできるようにする。 - 特許庁

Particles having surface electric charge in the solid-liquid boundary are immersed in the dielectric liquid.例文帳に追加

誘電性液体中に、固液界面に表面電荷を生ずる粒子が浸漬されている。 - 特許庁

The second dielectric has a dielectric ratio smaller than that of the first dielectric, and an irregular shape is formed on the boundary surface between the first and second dielectrics 21 and 22.例文帳に追加

この凹凸形状は、ドーム形状にすることで、誘電体レンズの効果により斜入射した電波を曲げるため、入射角の影響を受けにくくなる。 - 特許庁

To provide a method for forming a smooth silicon base material/gate dielectric boundary at an atom level.例文帳に追加

原子レベルで平滑なシリコン基材/ゲート誘電体界面を作るための方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a MOS transistor having a gate stack of a high dielectric constant and proper boundary characteristics.例文帳に追加

高誘電率であるとともに界面特性が良好なゲートスタックを有するMOSトランジスタを提供する。 - 特許庁

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「dielectric boundary」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79件



例文

The ceramic electronic component (10) includes a first dielectric layer (11), a second dielectric layer (12), and a boundary reaction layer (13).例文帳に追加

本実施形態のセラミック電子部品10は、第1の誘電体層11と、第2の誘電体層12と、境界反応層13とを含むものである。 - 特許庁

The ceramic electronic component includes: a first dielectric layer containing a second dielectric layer containing a composition different from the first dielectric layer as major components BaO, Nd_2O_3 and TiO_2; and a boundary layer containing Zn and Ti which is formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.例文帳に追加

本発明によるセラミック電子部品は、BaO、Nd_2O_3、及びTiO_2を主成分として含む第1の誘電体層と、第1の誘電体層と異なる材質である第2の誘電体層と、第1の誘電体層と第2の誘電体層との間に形成された、Zn及びTiを含む境界層と、を含むものである。 - 特許庁

The laminated body 10 on which the second dielectric film 15 is formed is cut off at the boundary B between the adjacent element areas 11a to thereby form a plurality of the elastic boundary wave devices 16.例文帳に追加

第2の誘電体膜15が形成された積層体10を、隣り合う素子領域11aの境界Bで切断することにより弾性境界波装置16を複数形成する。 - 特許庁

To reduce leakage current along a boundary of a particle 21 of the first dielectric material, the second material for forming non-conductive oxide or nitride having enthalpy lower than that of the first dielectric material is comprised, and arranged at the boundary of the particle of the first dielectric material.例文帳に追加

第1の誘電体材料の粒子21境界に沿った漏洩電流が低減するように、前記第1の誘電体材料のエンタルピーより低いエンタルピーを有する非導電性の酸化物または窒化物を形成する第2の材料を含み、第1の誘電体材料の粒子境界に配置される。 - 特許庁

The thickness of a part located on a boundary B between adjacent element areas 11a of the first dielectric film 13 is reduced.例文帳に追加

第1の誘電体膜13の隣り合う素子領域11aの境界B上に位置する部分の厚みを低減する。 - 特許庁

A method for embedding a thick-film capacitor includes a process for etching a foil electrode at the outside of the boundary of a capacitor dielectric layer in order to prevent the etching liquid from coming into contact with the capacitor dielectric layer and prevent the capacitor dielectric layer from being damaged.例文帳に追加

厚膜コンデンサを埋め込む方法は、エッチング液がコンデンサ誘電体層に接触しないように、かつコンデンサ誘電体層に損傷を与えないように、箔電極をコンデンサ誘電体の境界の外部でエッチングする工程を含む。 - 特許庁

Out of a plurality of dielectric particles 20 forming the dielectric layer 2, such particles as the thickness of grain boundary 22 existing between adjacent dielectric particles 20 is ≤1 nm has a ratio of 20-70% of the entire particles.例文帳に追加

誘電体層2を形成する複数の誘電体粒子20のうち、隣接する誘電体粒子20間に存在する結晶粒界22の厚さが1nm以下である粒子の割合が全体の20%以上70%以下である。 - 特許庁

例文

Out of a plurality of dielectric particles 20 forming the dielectric layer 2, such particles as the thickness of grain boundary 22 existing between adjacent dielectric particles 20 is ≤1 nm has a ratio of 30-95% of the entire particles.例文帳に追加

誘電体層2を形成する複数の誘電体粒子20のうち、隣接する誘電体粒子20間に存在する結晶粒界22の厚さが1nm以下である粒子の割合が全体の30%以上95%以下である。 - 特許庁

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