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double dopingとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 二重ドーピング
「double doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
METHOD FOR PROVIDING DOUBLE WORK FUNCTION DOPING AND PROTECTIVE INSULATION CAP例文帳に追加
２重仕事関数ドーピング及び保護絶縁キャップを提供する方法 - 特許庁
PROCESS FOR DOPING TWO LEVELS OF DOUBLE POLY BIPOLAR TRANSISTOR AFTER FORMATION OF SECOND POLY LAYER例文帳に追加
第二のポリ層の形成後に二重ポリバイポーラトランジスタの２つのレベルをドーピングするプロセス - 特許庁
To provide a double work function doping and a borderless array diffusion contact.例文帳に追加
２重仕事関数ドーピング及びボーダレス・アレイ拡散コンタクトを提供すること。 - 特許庁
The polybutadiene having the increased amount of the double bond is obtained, for example, by doping a part of the double bond of a polybutadiene with iodine.例文帳に追加
前記ポリブタジエンは、その二重結合の一部にたとえばヨウ素ドーピング処理を施すことによって得られる。 - 特許庁
To present a new guideline for proper doping conditions for increasing a capacitance or working voltage limit by doping or the like, in an electric double layer capacitor using a carbon nano tube for a polarization electrode.例文帳に追加
カーボンナノチューブを分極性電極に用いた電気二重層キャパシタにおいて、ドーピング等により静電容量や使用電圧範囲の増大を図るための適正なドーピング条件について新たな指針を提示する。 - 特許庁
The semiconductor device has a metal gate electrode of double work function formed by doping a single metal film alternatively with fluorine and/or carbon.例文帳に追加
この半導体素子は単一金属膜をフッ素及び／または炭素で選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極を有する。 - 特許庁
A semiconductor element comprises a metal gate electrode 108', 109' having a double work function formed by selectively doping a single metal film with fluorine in an NMOS and with carbon in a PMOS.例文帳に追加
半導体素子は単一金属膜に対し、ＮＭＯＳにおいてはフッ素、ＰＭＯＳにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極１０８’、１０９’を有する。 - 特許庁
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「double doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b.例文帳に追加
上下に二つのキャリア供給層３ａ、３ｂで挟まれたチャネル層５を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層３ａのドーピング濃度を下側のキャリア供給層３ｂのドーピング濃度の２〜４倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。 - 特許庁
A double-clad photonic optical fiber 2 comprises a core 4 of a fiber, a first cladding 6 enclosing the core of fiber, a second cladding 8 enclosing the first clad, at least one hole 10 in the core of fiber, and doping with rare earth ions in the core of fiber or in the first cladding as required.例文帳に追加
本発明は、ファイバのコア４と、ファイバのコアを囲む第１クラッド６と、第１クラッドを囲む第２クラッド８と、ファイバのコア内に少なくとも１つの穴１０と、ファイバのコア内、および場合によっては第１クラッド内の希土類イオンによるドーピングとを有する二重クラッドフォトニック光ファイバ２を提供する。 - 特許庁
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