e-gateとは 意味・読み方・使い方

A shift register 503 generates a gate-processed E replica code signal SRδ_E and a gate-processed L replica code signal SRδ_L based on the gate-processed replica code signal.例文帳に追加

シフトレジスタ５０３は、ゲート処理後レプリカコード信号に基づいて、ゲート処理後Ｅレプリカコード信号ＳＲδ_Ｅおよびゲート処理後Ｌレプリカコード信号ＳＲδ_Ｌを生成する。 - 特許庁

In this electric wave seeker for measuring the distance to the target by a split gate system, each position of a gate E and a gate L is set variably before and after position specification of a target reception pulse, and accuracy of position specification of the target reception pulse is improved by using not only a gate M but also the gate E and the gate L prepared as split gates.例文帳に追加

スプリットゲート方式により目標への測距を行う電波シーカにおいて、目標受信パルスの位置特定の前後においてＥゲートおよびＬゲートの位置を可変設定し、Ｍゲートだけではなく、スプリットゲートとして用意されるＥゲートとＬゲートとを用いて目標受信パルスの位置特定の精度を向上させるようにしている。 - 特許庁

The triacs 14 are each turned on/off with a negative gate signal to be simultaneously output from the single DC power source E of the gate driving circuit 17.例文帳に追加

トライアック１４は、ゲート駆動回路１７の単一の直流電源Ｅから同時に出力される負のゲート信号でオンオフする。 - 特許庁

Then, the sacrificial oxide film 5 is removed (process (d)) and a gate oxide film 6 is formed (process (e)).例文帳に追加

そして、犠牲酸化膜５を除去し（（ｄ）工程）、ゲート酸化膜６を形成する（（ｅ）工程）。 - 特許庁

In this case, after the gate insulating film 14 is formed by an application method, energy beam E is radiated.例文帳に追加

この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。 - 特許庁

Accordingly, the semiconductor layer 13 absorbs the energy beam E, and the gate insulating film 14 is heated.例文帳に追加

これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 - 特許庁

By forming the width of the active region 14 at the end E in the gate width direction larger than that of a center part in the gate width direction, the field oxide film corner part 19 is moved away from a P-type body layer 4 formed at the end E in the gate width direction to the outside of the end in the gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅの活性領域１４の幅を、ゲート幅方向中央部より広く形成することによりフィールド酸化膜コーナー部１９を、ゲート幅方向端部Ｅに形成されたＰ型ボディ層４からゲート幅方向端部の外側に遠ざける。 - 特許庁

Each E-pHEMT has a source electrode, drain electrode, and a gate electrode, and a recess is formed between the gate electrode and the drain electrode by etching to give a relatively large gap between the gate electrode and the drain electrode.例文帳に追加

このＥ−ｐＨＥＭＴは、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を有し、ゲート電極とドレイン電極との間にはエッチングでリセス（凹部）が形成され、比較的大きな間隔が設けられる。 - 特許庁