electron trapとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor memory device and a program method for an anti-fuse to suppress trap of a carrier electron in a gate insulation film at programming for the anti-fuse.例文帳に追加

アンチヒューズに対するプログラム時、キャリア電子のゲート絶縁膜へのトラップを抑制する。 - 特許庁

To trap efficiently by a secondary electron detector by correcting and controlling the orbit of secondary electrons generated from a testpiece.例文帳に追加

試料から発生した２次電子の軌道を修正、制御することで２時電子検出器にて効率良く補集させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing degradation of reliability and performance of the device caused by an electronic trap or an electron hole trap in a tunnel insulation film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜への電子トラップ又は正孔トラップによる装置の信頼性及びパフォーマンスの劣化を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the reliability of memory cell can be enhanced by suppressing electron trap in a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への電子トラップを抑制し、メモリセルの信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A hole injected from the hole transport layer 13 is trapped in the hole trap within the electron transport layer 14, and efficiently contributes to luminescence.例文帳に追加

正孔輸送層１３から注入された正孔は、電子輸送層１４内の正孔トラップに捕獲され、効率よく発光に寄与する。 - 特許庁

The electroluminescence element has a substrate 11; a hole injection electrode 12; a hole transport layer 13, an electron transport layer 14; and an electron injection electrode 15, stacked in order on the substrate 11, and the electron transport layer 14 acting as a luminescent layer contains a hole trap.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された正孔注入用電極１２、正孔輸送層１３、電子輸送層１４および電子注入用電極１５を備え、発光層となる電子輸送層１４が正孔トラップを含む。 - 特許庁

The system comprises an electron beam accelerator 12 forming high energy electron beams 1 at 100MeV or more, a mirror potential generator 14 generating a static mirror potential in the direction of the formed high energy electron beam and forming a trap region 2, and an ion introducing device 16 for introducing cation of the objective element 3 into the trap region.例文帳に追加

１００ＭｅＶ以上の高エネルギー電子ビーム１を形成する電子ビーム加速器１２と、形成した高エネルギー電子ビームのビーム方向に静電ミラーポテンシャルを発生させトラップ領域２を形成するミラーポテンシャル発生装置１４と、目的元素３の陽イオンをトラップ領域に入射させるためのイオン入射装置１６とを備える。 - 特許庁

The driving power source Va constitutes the emitting means for emitting the electron captured by the trap 9 in the strong electric field drift layer 6 being an electron passing layer outside the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

駆動電源Ｖａが、電子通過層たる強電界ドリフト層６中のトラップ９に捕獲された電子を強電界ドリフト層６の外へ放出させる放出手段を構成している。 - 特許庁