「electron trap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The inter-gate dielectric film includes: an electron trap layer made of a first dielectric material having the ability to trap electrons; and first and second dielectric layers made of a second dielectric material smaller than the first material in the ability to trap electrons, and sandwiching the electron trap layer therebetween.例文帳に追加

前記ゲート間絶縁膜は、電子トラップ性を有する第１の絶縁材料からなる電子トラップ層と、前記第１の材料よりも電子トラップ性が低い第２の絶縁材料からなり、前記電子トラップ層を挟む第１および第２の絶縁層とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can comply with an electron trap in a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜内の電子のトラップに対処可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a program method for an anti-fuse to suppress trap of a carrier electron in a gate insulation film at programming for the anti-fuse.例文帳に追加

アンチヒューズに対するプログラム時、キャリア電子のゲート絶縁膜へのトラップを抑制する。 - 特許庁

To trap efficiently by a secondary electron detector by correcting and controlling the orbit of secondary electrons generated from a testpiece.例文帳に追加

試料から発生した２次電子の軌道を修正、制御することで２時電子検出器にて効率良く補集させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing degradation of reliability and performance of the device caused by an electronic trap or an electron hole trap in a tunnel insulation film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜への電子トラップ又は正孔トラップによる装置の信頼性及びパフォーマンスの劣化を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the reliability of memory cell can be enhanced by suppressing electron trap in a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への電子トラップを抑制し、メモリセルの信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A hole injected from the hole transport layer 13 is trapped in the hole trap within the electron transport layer 14, and efficiently contributes to luminescence.例文帳に追加

正孔輸送層１３から注入された正孔は、電子輸送層１４内の正孔トラップに捕獲され、効率よく発光に寄与する。 - 特許庁

The electroluminescence element has a substrate 11; a hole injection electrode 12; a hole transport layer 13, an electron transport layer 14; and an electron injection electrode 15, stacked in order on the substrate 11, and the electron transport layer 14 acting as a luminescent layer contains a hole trap.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された正孔注入用電極１２、正孔輸送層１３、電子輸送層１４および電子注入用電極１５を備え、発光層となる電子輸送層１４が正孔トラップを含む。 - 特許庁

The system comprises an electron beam accelerator 12 forming high energy electron beams 1 at 100MeV or more, a mirror potential generator 14 generating a static mirror potential in the direction of the formed high energy electron beam and forming a trap region 2, and an ion introducing device 16 for introducing cation of the objective element 3 into the trap region.例文帳に追加

１００ＭｅＶ以上の高エネルギー電子ビーム１を形成する電子ビーム加速器１２と、形成した高エネルギー電子ビームのビーム方向に静電ミラーポテンシャルを発生させトラップ領域２を形成するミラーポテンシャル発生装置１４と、目的元素３の陽イオンをトラップ領域に入射させるためのイオン入射装置１６とを備える。 - 特許庁

The driving power source Va constitutes the emitting means for emitting the electron captured by the trap 9 in the strong electric field drift layer 6 being an electron passing layer outside the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

駆動電源Ｖａが、電子通過層たる強電界ドリフト層６中のトラップ９に捕獲された電子を強電界ドリフト層６の外へ放出させる放出手段を構成している。 - 特許庁

The force of the isoelectron trap attracting an electron or hole is essentially based on the difference in the number of orbits of an inner shell electron, and its affecting range is very short being about the Bohr radius.例文帳に追加

等電子トラップが電子又は正孔を引きつける力は、本質的には内殻電子の軌道の数の差に基くものであるため、その到達距離はボーア半径の程度であり、非常に短い。 - 特許庁

Using an electrical field removes ions from the electron beam 105 and using an ion trap 144 and a grounded pipe 146 makes it possible to accumulate the ions on the downstream side part of the electron beam 105.例文帳に追加

電界を用いてイオンを電子ビーム（１０５）から除去し（４００）、イオントラップ（１４４）及び接地管（１４６、４００）を用いて、イオンが電子ビーム（１０５）の下流側部分に蓄積されることを可能にする。 - 特許庁

When the carrier is an electron, an electronic structure is provided in which the bottom insulating film has one side making contact with the intermediate film with larger electron affinity than the other side making contact with a first semiconductor area, so that an electron is readily released from the discrete trap site.例文帳に追加

キャリアが電子の場合は、該底部絶縁膜はその電子親和力において該中間膜に接する側を該第１の半導体領域に接する側より大きい電子構造とすることにより、該離散化した捕獲サイトからの電子の放出を容易とする。 - 特許庁

To obtain a solid-state imaging device which reduces image deterioration resulting from recombination of positive holes and electron charges captured by a trap directly under a transfer gate.例文帳に追加

転送ゲート直下のトラップに捕獲された正孔と電荷との再結合に起因する画質劣化を低減する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the cause of an electron trap is eliminated by reducing the hydrogen (H) contained in the film, and the diffusion of the hydrogen (H) in the polymetal gate can be prevented.例文帳に追加

そのため、膜中に含まれる水素（Ｈ）を低減させて電子トラップの原因を排除し、ポリメタルゲートへの水素（Ｈ）拡散を防止することができる。 - 特許庁

Combined ion trap parts 2 to 11 equipped with an electron source 12 and with a magnetic field impressed nearly parallel along a center axis are used.例文帳に追加

電子源１２を備え、中心軸に沿って略平行な磁場を印加した２次元結合型イオントラップ部２〜１１を用いて、上記課題を解決する。 - 特許庁

To develop a safe compound useful as a synthetic intermediate for a nitrone compound used as a spin trap agent used in an electron spin resonance measurement method.例文帳に追加

電子スピン共鳴測定法に使用するスピントラップ剤として用いるニトロン化合物の合成中間体として有用、且つ、安全な化合物を開発する。 - 特許庁

The negatively charged fine particles are formed by adding a resin having an electron trap into a polymeric fine particle material, also making a real spherical fine particle structure in its synthesis, irradiating 10-300 kGy electron beam to form electlet type negatively charged fine particles.例文帳に追加

負荷電微粒子は、高分子微粒子材料に電子トラップをもつ樹脂を添加し、合成時に真球状超微粒子構造とし、１０〜３００ｋＧｙの電子線を照射して、エレクトレット性負帯電の負荷電微粒子とする。 - 特許庁

The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped.例文帳に追加

電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。 - 特許庁

A reflected-electron trap 21 which is installed in the vacuum chamber for capturing the electron beam reflected by the evaporation material has a box-like shape in which a side for reflected electrons to enter is opened and a plurality of small trap bodies 22A, 22B, 22C and so on are installed on its bottom face opposing to the opened part, which extend perpendicularly to the bottom face.例文帳に追加

真空チャンバ内に設けられ、蒸発材料で反射した電子ビームを捕獲するための反射電子トラップ２１は、反射電子が向かって来る側が開放された箱状の形状を成しており、この開放部に対向する底面に、この底面に垂直に伸びる複数の小トラップ体２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ……が設けられている。 - 特許庁

To provide a method and a device for mass spectrometry by an internal ionization ion trap analyzable with high sensitivity by eliminating ion formed in a mass quantity, from a space between ion trap electrodes, and preferentially capturing negative ion formed only in a trace quantity in ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like.例文帳に追加

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化する際に、大量に生成されるイオンをイオントラップ電極間空間から排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉し、高感度に分析可能な、内部イオン化型のイオントラップによる質量分析法ならびにその装置を提供する。 - 特許庁

Even if an operation for discharging the charge held by the charge trap film is performed by the tunnel, a state that an electron is retained in the first insulating film in the gate insulating film can be prevented.例文帳に追加

前記電荷トラップ膜が保持する電子を放出する動作をトンネルによって行ってもゲート絶縁膜に電子が第1絶縁膜に残存する事態を阻止することができる。 - 特許庁

To provide a rotating anode X-ray tube device, equipped with a rotating anode X-ray tube having a recoil electron trap, which can deal with high output power, without enlarging the device.例文帳に追加

高出力に対応でき装置の大型化を防止できる反跳電子トラップを有する回転陽極型Ｘ線管を備えた回転陽極型Ｘ線管装置を提供すること。 - 特許庁

An electron trap peripheral magnet 4 is located inside or outside the outer circumferential line of the outer circumference of the target 5 or on the outer circumferential line, and placed in the middle between the target and the optical storage medium.例文帳に追加

電子トラップ周辺磁石４はターゲット５外周の外周線の内側、または外側、外周線上に位置し、かつターゲットと光記憶媒体の中間に置かれる構成とする。 - 特許庁

In an ionizing period of ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like, the electrostatic field is impressed by superimposition between ion trap electrodes in addition to the high frequency electric field to unstabilize and eliminate positive ion from a space between the ion trap electrodes simultaneously with ionization, and negative ion formed only in a trace quantity is preferentially captured to carry out mass spectrometry.例文帳に追加

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化するイオン化期間に、イオントラップ電極間に、高周波電界の他に、静電界を重畳印加して、イオン化と同時にイオントラップ電極間空間から正イオンを不安定化して排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉して、質量分析する。 - 特許庁

An electrode 6 for preventing ion leakage in which electrons pass is provided between an electron introduction inlet 11 of the ionization chamber 1 and the filament 3, and between an electron emission port 12 and a trap electrode 4, and voltage that is higher than the potential of the ionization chamber 1 is applied to the electrode 6.例文帳に追加

イオン化室１の電子導入口１１とフィラメント３との間、及び、電子出射口１２とトラップ電極４との間に、電子が通過可能なイオン漏出防止用電極６を配置し、該電極６にイオン化室１の電位よりも高い電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which forms a self-aligned electron trap layer where the length of a dielectric film becomes right-left symmetrical in a gate and prevents misalignment due to masking work, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ゲートにおいて誘電体膜の長さが左右対称になる自己整列電荷トラップ層を形成し、マスク作業によるミスアラインを防止する半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, since the generation of electron trap within the tunnel oxide film can be reduced even when the program and erase operations are repeated, charges stored within the floating gate can be prevented from being lost.例文帳に追加

従って、プログラム動作及び消去動作が反復されても本発明によりトンネル酸化膜内にの電子トラップの発生が減らす減るので、浮遊ゲート内の蓄積された電荷が損失されることが防止できる。 - 特許庁

To provide a cation trap system for trapping cation without using a cation acceleration ring and using as a target of electron scattering experiment, easily placing a measuring apparatus and the like for measuring scattering phenomenon near a collision location, and raising collision probability (collision efficiency) by increasing the number of cation because the amount of trap potentials cannot be saturated easily.例文帳に追加

陽イオン加速リングを用いることなく陽イオンをトラップして電子散乱実験のターゲットとして用いることができ、衝突位置近傍に散乱現象を計測するための計測器等を容易に設置でき、トラップ電荷量が飽和しにくく陽イオンのイオン数を増して衝突確率（衝突効率）を高めることができる陽イオントラップ装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, in the channel region formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film, the deterioration in mobility due to the electron trap or the like caused by the dangling bond can be suppressed.例文帳に追加

このため、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍に形成されるチャネル領域では、未結合手による電子トラップなどに起因した移動度の低下を低減できる。 - 特許庁

To suppress deterioration in power occurring at an electron trap caused by existence of an oxide layer containing P (phosphorus) formed on the interface of the surface of a recess and a gate electrode in a high output power FET of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体の高出力パワーＦＥＴにおいて、リセス表面とゲート電極の界面に形成されるＰ（リン）を含んだ酸化物層が存在することにより生じる電子トラップで起こるパワー劣化を小さくする。 - 特許庁

When impressing the voltage between the surface electrode 7 and the lower electrode 12 with the surface electrode 7 as the high electric potential side, the electron captured by a trap 9 in the strong electric field drift layer 6 is emitted outside the strong electric field drift layer 6 by energy from the driving power source Va being an emitting means.例文帳に追加

表面電極７と下部電極１２との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加した時に強電界ドリフト層６中のトラップ９に捕獲された電子を放出手段たる駆動電源Ｖａからのエネルギにより強電界ドリフト層６外へ放出させる。 - 特許庁

k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant.例文帳に追加

なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。 - 特許庁

A nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate 30 on which source and drain regions 32 and 34 and a channel region 36 are provided, a silicon oxide layer 41 formed on the channel region 36, a transition metal oxide layer 44 comprising a trap particle for trapping an electron on the silicon oxide layer 41, and a gate electrode 48 formed on the transition metal oxide layer 44.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域３２、３４とチャンネル領域３６とが設けられた半導体基板３０、チャンネル領域３６上に形成されたシリコン酸化物層４１、シリコン酸化物層４１上に電子をトラップするトラップパーチクルを含む転移金属酸化物層４４、及び転移金属酸化物層４４上に形成されたゲート電極４８を備える不揮発性メモリ素子。 - 特許庁