element 117とは 意味・読み方・使い方

The semiconductor chip element 100 consists of a chip main body 101, made of a silicon and a group 117 of stud bumps on a lower surface 101a of the main body 101.例文帳に追加

シリコン製のチップ本体１０１と、この下面１０１ａ上のスタッドバンプ群１１７とよりなる。 - 特許庁

After removal of the silicon nitride film 113, a thermal oxidation film 117 and a photo resist 119 are deposited and subjected to a full-surface etch-back process to expose the thermal oxidation film 117 on the element region.例文帳に追加

シリコン窒化膜１１３を除去後、熱酸化膜１１７及びフォトレジスト１１９を堆積し、全面エッチバックを行って、素子領域上の熱酸化膜１１７を露出する。 - 特許庁

This radiation detector having a plurality of pixel electrodes 117 and common electrodes in the both side of a photoelectric conversion layer is disposed with intra-element guard ring electrodes 111 between the pixel electrodes 117 of radiation detecting elements, and changes over the intra-element guard ring electrodes 111 between an electrically released state and a state connected to grounding potential to change an area where the radiation detecting elements detect the radiation.例文帳に追加

光電変換層を挟んで複数の画素電極117と共通電極とを設けた放射線検出器において、放射線検出素子の画素電極117間に素子間ガードリング電極111を隣接して配置し、素子間ガードリング電極111を電気的に解放した状態と接地電位と接続した状態との間で切り替えることで、放射線検出素子が放射線を検出する面積を変更する。 - 特許庁

The driving transistor 111 current-drives the electro-optical device 117 according to a signal potential held at the capacitive element C111.例文帳に追加

ドライブトランジスタ１１１は、容量素子Ｃ１１１に保持された信号電位に応じて電気光学素子１１７を電流駆動する。 - 特許庁

Integrators of a main feedback computing element 102 for applying a command value to the servo driver 120 and a reserve feedback computing element 111 are made imperfect integrators 108, 117.例文帳に追加

サーボドライバ１２０へ指令値を与える主フィードバック演算器１０２並びに予備フィードバック演算器１１１の積分器を不完全積分器１０８，１１７とする。 - 特許庁

The semiconductor element comprises the Y-shaped element isolation film 117 having a first oblique part S1 and a second oblique part S2 at left and right sides in a semiconductor substrate.例文帳に追加

左側と右側に第１傾斜部Ｓ_1および第２傾斜部Ｓ_2を各々具備したＹ字形の素子分離膜１１７を半導体基板内に含む半導体素子。 - 特許庁

A state transition table searching part 117, which has a function to transit the state transition table 119 along the result of the pre-analysis, and a memory-saving element node generating part 118, which has a function to generate an element node which restrains a memory usage quantity when a state transition occurs, are also added.例文帳に追加

また、事前解析結果に沿って状態遷移テーブル119を遷移する機能を有する状態遷移テーブル検索部117と、状態遷移時にメモリ使用量を抑制した要素ノードを生成する機能を有する省メモリ要素ノード生成部118を付加する。 - 特許庁

The silicon substrate layer 110 below the capacitance element 201 is provided with an opening 117 filled with a rubber-like elastomer 118.例文帳に追加

容量素子２０１の下部のシリコン基板層１１０には、ゴム状弾性体１１８が充填された開口部１１７が形成されている。 - 特許庁