equipotential surfaceとは 意味・読み方・使い方

A first evacuation pipe is connected to an equipotential surface side outlet of the manifold for evacuation, an evacuation part switching means to open and close the pipe is provided.例文帳に追加

排出用マニホールドの等電位面側出口には第１排出配管が接続され、この配管を開閉する排出部開閉手段が設けられている。 - 特許庁

The annular surface of contact between the conical magnetic structure and the inner magnetic pole piece is configured such that the annular surface of contact is maintained as an equipotential surface to maintain a uniform imaging field.例文帳に追加

円錐磁石構造と内側の磁極片との間の環状の接触表面は、上記環状の接触表面が均一映像磁界を維持する等ポテンシャルの表面として維持されるように構成される。 - 特許庁

A metal plate 17 is arranged between a power supply body of a power supply structure in which a curved part 16 is formed through the energization, a power supply body 15 is brought into surface-contact with a V-shaped groove 12 of an equipotential bar 11 and no power supply is surely ensured, and the equipotential bar.例文帳に追加

通電により湾曲部16が形成されて給電体15と等電位バー11のＶ字状溝12とが面的に接触して確実な給電が確保できなくなった給電構造の前記給電体と等電位バーの間に金属製プレート17を配設する。 - 特許庁

The metal deposited layer is desired to be formed of metal electrochemically equipotential or higher than that on the surface of a battery outer case coated with it or on the surface of a terminal.例文帳に追加

上記金属蒸着層は、被覆される電池外装缶の表面若しくは端子表面の金属と電気化学的に等電位若しくはそれ以上の金属で形成されるのが望ましい。 - 特許庁

When a coaxial plug is connected, a switch pattern 73 is equipotential with the earth pattern 72, and can be made to act as the earth pattern 72 on the back surface of the signal pattern 71.例文帳に追加

また、同軸プラグを接続した際に、スイッチパターン７３は、アースパターン７２と等電位となり信号パターン７１の裏面のアースパターン７２として作用させることができる。 - 特許庁

A highly-doped buried layer of the first conductivity is provided under the LDD lateral DMOS transistor to relieve crowding of electrical equipotential distribution beneath the silicon surface.例文帳に追加

第１の導電型式の高濃度に注入された埋込み層は、ＬＤＤラテラルＤＭＯＳトランジスタで、シリコン表面下の多数の等電位分布を除去することによって提供される。 - 特許庁

To form ITO wiring on a glass substrate thicker than an insulating film on the surface of an opposing silicon substrate, and to perform equipotential joint of the ITO wiring and the silicon substrate precisely.例文帳に追加

ガラス基板上のＩＴＯ配線の厚さを、対向するシリコン基板表面の絶縁膜より厚くでき、しかもＩＴＯ配線とシリコン基板との等電位接合を精度良く行う。 - 特許庁

Further, a shape of the electron emitter 1 may be set along a shape of an equipotential surface, or a gas removal means may be provided for removing gas released from the electron emitter 1 out of the vacuum vessel 5.例文帳に追加

さらに、電子エミッタ１の形状を等電位面の形状に沿ったものにしたり、電子エミッタ１から放出されるガスを真空容器５から排除するガス排除手段を設けてもよい。 - 特許庁