etching masksとは 意味・読み方・使い方

The silicon oxide film is worked by a CF_4/O_2 plasma etching to form hard masks 32, while the first metallic wiring masks are worked and changed into second metallic wiring masks 42 having the width of 0.25 μm.例文帳に追加

シリコン酸化膜を、ＣＦ_４／Ｏ_２プラズマエッチングにより、加工してハードマスク３２を形成するとともに、第１メタル配線マスクを加工して、幅が０．２５μｍの第２メタル配線マスク４２に変える。 - 特許庁

Then, an etching process is performed using the first mask pattern 121 and the second mask pattern 123 as etching masks.例文帳に追加

そして、第１マスクパターン１２１及び第２マスクパターン１２３をエッチングマスクとして使用してエッチング工程を実施する。 - 特許庁

Masks 10 are provided in a two-dimensional array to the surface of a silicon substrate 20 by using a material having an etching rate lower than that of silicon, and reactive ion etching is carried out until the masks disappear.例文帳に追加

シリコン基板（２０）の表面に、シリコンよりもエッチング速度の遅い材料を用いて、２次元配列状にマスク（１０）を設け、マスクが消失するまで反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an etching method, wherein even in such a case that two or more masks are formed in layers on the surface of a substrate to be treated, an etching operating corresponding to the respective membranes of the masks is completed in a single manner.例文帳に追加

被処理部材の表面に２種以上のマスクが多層に形成されている場合であっても各マスクの膜質に対応したエッチングを一度で行うことが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A laminated film to be etched 2 is etched by using the silicon oxide film and the silicon nitride film as the head etching masks 3a, and the hard etching masks 3a are removed by using a decompressed hydrofluoric acid vapor under a heated state.例文帳に追加

ハードエッチングマスク３ａとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いて、被エッチング積層膜２のエッチングを行った後、減圧かつ加熱状態のフッ酸蒸気を用いてハードエッチングマスク３ａを除去する。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted.例文帳に追加

マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。 - 特許庁

A photoresist film is formed on the film 38 and following the formation, etching masks 42 having each wiring pattern are formed on the photoresist film.例文帳に追加

ＴｉＮ／Ｔｉ積層膜３８上にフォトレジスト膜を成膜し、続いて配線パターンを有するエッチングマスク４２を形成する。 - 特許庁