etching stepとは 意味・読み方・使い方

A de-smearing step (S21) is performed after a pattern etching step (S5).例文帳に追加

パターンエッチング（Ｓ５）の後に、デスミヤ処理（Ｓ２１）を行う。 - 特許庁

In the step (G), the etching resist is removed.例文帳に追加

（Ｇ）エッチングレジストを除去する工程。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated silicon substrate comprises a step of alkali-etching silicon wafers 11, 12.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１，１２をアルカリエッチする。 - 特許庁

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第１の異方性食刻と第２の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁

This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.例文帳に追加

このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁