etching speedとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus of high speed/high yield.例文帳に追加

高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid phase etching apparatus fast in etching processing speed and capable of fine patterning.例文帳に追加

加工速度が速く微細加工の可能な液相エッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching agent such that etching liquid is high in stability and fast in etching speed, side etching is small, and linearity of a pattern is excellent.例文帳に追加

エッチング液の安定性が高く、エッチング速度が速く、サイドエッチングも少なく、パターンの直線性も良好なエッチング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a method of determining an etching finish time when a desired etching amount is obtained, based on an etching speed.例文帳に追加

エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。 - 特許庁

The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 - 特許庁

In this case, the liquid chemical of the high etching speed of the first oxidized film is used in the etching of the first step, and the liquid chemical of a low etching speed is used in the etching of a second step.例文帳に追加

ここで、第１ステップのエッチングで、第１の酸化膜のエッチング速度の大きな化学薬液が用いられ、第２ステップのエッチングで、エッチング速度の小さい化学薬液が用いられる。 - 特許庁

For example, in the first step the etching speed of an oxide 108 is increased, and in the second step, the etching speed of the oxide is reduced and the etching speed of other material 114 is increased.例文帳に追加

例えば、第１のステップは、酸化物１０８のエッチング速度を速くし、第２のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料１１４のエッチング速度を速くする。 - 特許庁

The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.例文帳に追加

エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁