「etching speed」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A scanning speed is calculated from the etching profile.例文帳に追加

エッチングプロファイルにより走査速度を計算する。 - 特許庁

To provide an etching technique high in an etching factor even in high speed etching at a high temperature.例文帳に追加

高温における高速エッチングにおいてもエッチングファクターの高いエッチング技術を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus of high speed/high yield.例文帳に追加

高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid phase etching apparatus fast in etching processing speed and capable of fine patterning.例文帳に追加

加工速度が速く微細加工の可能な液相エッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching agent such that etching liquid is high in stability and fast in etching speed, side etching is small, and linearity of a pattern is excellent.例文帳に追加

エッチング液の安定性が高く、エッチング速度が速く、サイドエッチングも少なく、パターンの直線性も良好なエッチング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a method of determining an etching finish time when a desired etching amount is obtained, based on an etching speed.例文帳に追加

エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。 - 特許庁

The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 - 特許庁

In this case, the liquid chemical of the high etching speed of the first oxidized film is used in the etching of the first step, and the liquid chemical of a low etching speed is used in the etching of a second step.例文帳に追加

ここで、第１ステップのエッチングで、第１の酸化膜のエッチング速度の大きな化学薬液が用いられ、第２ステップのエッチングで、エッチング速度の小さい化学薬液が用いられる。 - 特許庁

For example, in the first step the etching speed of an oxide 108 is increased, and in the second step, the etching speed of the oxide is reduced and the etching speed of other material 114 is increased.例文帳に追加

例えば、第１のステップは、酸化物１０８のエッチング速度を速くし、第２のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料１１４のエッチング速度を速くする。 - 特許庁

The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.例文帳に追加

エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁

The unification of etching is accelerated and the spraying is utilized to a fresh etching liquid onto the etching surface continuously, thus increasing etching speed.例文帳に追加

そのためエッチングの均一化を促進し、且つ連続的にエッチング表面へ新鮮なエッチング液がスプレーされるのを利用し、エッチング速度を増進するものである。 - 特許庁

To provide a method to prevent the aggravation of etching shape and improve etching speed at the same time.例文帳に追加

エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

Thus, degradation of the etching speed by the stagnation of the etching solution is suppressed, and the uniform etching is achieved to the work 3.例文帳に追加

したがって、エッチング液の淀みによるエッチング速度の低下を抑え、被加工物３に対して均一なエッチングが行える。 - 特許庁

The control unit obtains an etching speed, based on the frequency of the interference light having the larger amplitude than the other, and calculates the etching depth, based on the obtained etching speed and time for performing the etching.例文帳に追加

制御部は、２つの干渉光のうち振幅の大きいほうの干渉光の周波数から、エッチング速度を求め、求めたエッチング速度とエッチングを行った時間とから、エッチング深さを算出する。 - 特許庁

To enhance the speed for etching a sacrifice layer and to diminish the speed for etching an etching stop layer in a manufacturing method of a display device which is formed by transferring thin film transistors.例文帳に追加

薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。 - 特許庁

That is, in an etching treatment, an etching speed at the overcoat is lower than that of the rib material layer, for example, the speed is about 1/10 to 1/3.例文帳に追加

すなわち、上記エッチング処理におけるエッチング速度はオーバ・コートがリブ材層よりも低く、例えば1/10〜1/3程度の速度になっている。 - 特許庁

To provide a high speed etching method of Si realizing a higher etching rate as compared with the prior art.例文帳に追加

従来よりも高いエッチングレートを実現することができるＳｉ高速エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To improve etching speed of organic film and an etching selection ratio of the organic film with respect to a cathode film.例文帳に追加

有機膜のエッチング速度及び陰極膜に対する有機膜のエッチング選択比を向上させる。 - 特許庁

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁

To selectively etch TiW films and improve its etching speed.例文帳に追加

ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。 - 特許庁

To realize a plasma etching device for photomask excellent in controllability of in-plane etching speed of a photomask substrate.例文帳に追加

フォトマスク基板の面内のエッチング速度の制御性に優れたフォトマスク用プラズマエッチング装置を実現すること。 - 特許庁

An etching speed is thereby averaged and predicted, and "burrs" are removed by performing etching up to the proper timing.例文帳に追加

それによりエッチング速度を平均化するとともに予測可能にし、適切な時点までエッチングして「ばり」も無くす。 - 特許庁

To control an etching speed of a ZnO-based transparent conductive film at a speed suitable for patterning.例文帳に追加

ＺｎＯ系透明導電膜のエッチング速度を、パターニングに適した速度に制御することを課題とする。 - 特許庁

The silicon substrate 2 is etched at an etching speed faster than a diffusion speed of hydrogen into the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板２をエッチングする。 - 特許庁

To make an etching speed of a via hole formed on a main wiring film uniform.例文帳に追加

主配線膜上に形成するヴィアホールのエッチング速度を均一にする。 - 特許庁

To provide an etching apparatus for diamond, enabling a high selection ratio of a diamond substrate with respect to a mask, a high etching speed, and a flat etching surface.例文帳に追加

マスクに対するダイヤモンド基材の選択比が高く、エッチング速度が速く、且つエッチング面が平坦になるダイヤモンドのエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To enable high-speed etching by simultaneously improving mask selection ratio and shape of anisotropy in the etching process of Si.例文帳に追加

Ｓｉのエッチングにおいて、マスク選択比および異方性形状を同時に向上させ、高速エッチングも可能とすること。 - 特許庁

To detect an etching speed and abnormality in wafer in-plane uniformity.例文帳に追加

エッチング速度およびウエハ面内均一性の異常を検出することができる。 - 特許庁

A thin film of excellent film quality can be formed and high-speed etching can be performed.例文帳に追加

膜質のよい薄膜を形成したり、高速なエッチングを行うことができる。 - 特許庁

To form a highly reliable embedding pattern by sufficiently decreasing an etching speed and maintaining a high CMP speed.例文帳に追加

エッチング速度を十分に低下させ、高いＣＭＰ速度を維持し信頼性の高い埋め込みパターンを形成する。 - 特許庁

Using a first etching agent having an etching speed to the second semiconductor layer 25 higher than an etching speed to an insulating layer 23, a portion of the second semiconductor layer 25 positioned on the insulating layer 23 is removed by etching.例文帳に追加

第２の半導体層２５に対するエッチング速度が絶縁層２３に対するエッチング速度よりも大きな第１のエッチング剤を用いて、第２の半導体層２５の絶縁層２３の上に位置している部分の一部分をエッチングすることにより除去する。 - 特許庁

A ratio of etching speed of the base material to the particles is 1 to 5.例文帳に追加

前記粒子に対する前記基材のエッチング速度の比は１を超え５以下である。 - 特許庁

To control dry etching speed on a film boundary even in the case of the same material.例文帳に追加

同じ材料であっても、膜界面においてドライエッチング速度を制御する事。 - 特許庁

To provide a silicon substrate etching method etc. having a high etching speed and capable of obtaining an etching structure excellent in unevenness and the degree of the right angle of a wall surface.例文帳に追加

エッチング速度が速く、しかも壁面の平滑性及び直角度に優れたエッチング構造物を得ることができるシリコン基板のエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To prevent unexpected abnormality such as the generation of particles, the deterioration of etching uniformity due to the turbulence of plasma or the variation of etching speed in a pretreatment etching module.例文帳に追加

前処理エッチングモジュールにおける、パーティクルの発生、プラズマの乱れによるエッチング均一性の悪化、エッチング速度の変動等の突発的な異常を未然に防止する。 - 特許庁

The etching speed is found by detecting a peak of nitrogen isotope 15N content in an etching atmosphere, when etching the nitrogen compound layers 16-26.例文帳に追加

また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 - 特許庁

To provide an etching method capable of dry etching even for copper or materials containing copper at an enough speed without causing problems such as side etching and surface roughness.例文帳に追加

銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

When etching gas plasma is formed on the boards 7, and the respective boards 7 are subjected to an etching process, the difference between the etching speed in the outer peripheral part of each board 7 and that at the center part thereof is reduced.例文帳に追加

基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 - 特許庁

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.例文帳に追加

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁

A quantity of the etching E running around is controlled by a rotational speed of a spin chuck 1.例文帳に追加

エッチング液Ｅの回り込み量は、スピンチャック１の回転速度によって制御される。 - 特許庁

To provide an etching method of an SOI substrate which allows for flat wet etching of an Si substrate at high speed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Through the treatment of the water solution before etching, melting removal speed during etching is improved, and the end edge of the circuit wire is made clear.例文帳に追加

エッチング処理前の水溶液処理によって、エッチング処理時の溶解除去速度が高められ、回路線端縁が鮮鋭になる。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for carrying out satisfactory shape control and high speed etching of a silicon nitride film.例文帳に追加

良好な形状制御が可能であり、且つ、高速で窒化シリコン膜のエッチングを行うことの可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

It is further rotated at a low speed (about 0-50 rpm), and paddle wet etching is performed while keeping the etching solution on the wafer.例文帳に追加

さらに、低速（約０〜５０ｒｐｍ）で回転し、蝕刻溶液をウエハ上から離脱しないように滞留させてパドル湿式蝕刻を行う。 - 特許庁

This new etchant does not contain chromium, and makes it possible to realize a significantly sufficient etching speed and a significantly satisfactory etching result.例文帳に追加

この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。 - 特許庁