エッチング速度の英語

ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。例文帳に追加

To selectively etch TiW films and improve its etching speed. - 特許庁

エッチング速度、エッチング深さ、および、エッチング表面平滑度などのエッチング条件の制御をエッチング反応過程においてその場で行うことを容易とし、より高度な湿式化学エッチングを可能とする。例文帳に追加

To facilitate the execution of the control of etching conditions such as an etching rate, etching depth and an etching surface smoothening degree in an etching reaction stage on the spot and to enable wet chemical etching of a higher degree. - 特許庁

プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。例文帳に追加

A chlorine gas is used as an etching gas for plasma etching and supplied so that the etching is carried out at an etching rate of ≤250 nm/minute. - 特許庁

ベースのエッチング液と抑制剤とを含む金属のエッチング液であり、エッチング速度がエッチング液の攪拌速度に非依存または逆依存することを特徴とした金属のエッチング液である。例文帳に追加

The etching solution for metal contains a base etching solution and a retardant, and is characterized in that the etching rate is independent of or reverse dependent on the stirring rate of the etching solution. - 特許庁

エッチング液のエッチング速度をコントロールし、液あたりの悪い部分のエッチング性を向上させ、液あたりの差によるエッチング速度差の少ないエッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide an etching solution which is improved in etching performance of a poor liquid contact portion by controlling an etching rate of the etching solution and is reduced in the difference in the etching rate due to a difference in the liquid contact. - 特許庁

ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform. - 特許庁

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。例文帳に追加

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step. - 特許庁