「エッチング速度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform. - 特許庁

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。例文帳に追加

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step. - 特許庁

酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method for a thin film composed of zinc-oxide based crystal, wherein the method suppresses side etching and anisotropic etching, and suppresses occurrence of etching residues, not depending on coarseness or fineness of wiring patterns and on pattern geometry, while the method performs etching treatment with the optimum etching rate. - 特許庁

エッチング速度の均一性を改善する装置及び方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY OF ETCHING RATE - 特許庁

エッチングプロファイルにより走査速度を計算する。例文帳に追加

A scanning speed is calculated from the etching profile. - 特許庁

エッチング速度測定装置および測定方法例文帳に追加

ETCHING RATE MEASURING DEVICE AND METHOD OF MEASUREMENT THEREFOR - 特許庁

高エッチング速度を与える高供給低衝撃プラズマによる誘電エッチング法例文帳に追加

DIELECTRIC ETCHING METHOD BY HIGH SUPPLY LOW IMPACT PLASMA GIVING HIGH ETCHING RATE - 特許庁

均一なエッチング速度分布の陰極を備えたマスクエッチングプラズマリアクタ例文帳に追加

MASK ETCHING PLASMA REACTOR WITH CATHODE OF UNIFORM ETCHING RATE DISTRIBUTION - 特許庁

エッチング速度を速めてもエッチングの均一性に優れたアルミニウム合金材料を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy material having excellent etching uniformity even if etching rate is elevated. - 特許庁

電解エッチングの適用も可能であり、反応速度をより高めたエッチングが可能になる。例文帳に追加

Application of electrolytic etching is made possible as well, and etching having a more increased reaction rate is made possible. - 特許庁

エッチング速度とエッチング精度に優れた低熱膨張合金薄板およびその製造方法例文帳に追加

LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET HAVING EXCELLENT ETCH RATE AND ETCH PRECISION AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁

この方法は、トレンチ２内をＳｉのエッチング速度を変えてエッチングする工程を備える。例文帳に追加

A process, in which the inside of a trench 2 is etched by varying the etching rate for Si, is provided. - 特許庁

エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method to prevent the aggravation of etching shape and improve etching speed at the same time. - 特許庁

ＲＩＥにおいて、エッチング加工の異常や、エッチング速度の変化を抑制する。例文帳に追加

To suppress abnormality in the etching process or changes in the etching rate in RIE. - 特許庁

銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etchant which does not produce a silver residue when etching silver or a silver alloy, and does not vary an etching rate even when the etchant is repeatedly used, and to provide an etching method. - 特許庁

銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びそれを用いたエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etchant which does not produce a silver residue when etching silver or a silver alloy, and does not change an etching rate even when the etchant has been repeatedly used, and to provide an etching method using the same. - 特許庁

プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。例文帳に追加

Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced. - 特許庁

半導体基板をエッチング液中に浸すことによりエッチング処理を行なう半導体基板のエッチング方法において、エッチング速度の向上とエッチング部底面の平坦性の確保との両立を図る。例文帳に追加

To obtain a method for etching a semiconductor substrate by immersing it into etching liquid in which etching rate is enhanced while ensuring flatness on the bottom face at the etched part. - 特許庁

追加処理におけるエッチング時間は、膜厚測定機構により測定された実際のエッチング深さおよびエッチング深さの設定値、被エッチング膜におけるエッチング速度から算出される。例文帳に追加

An etching time in the additional process is calculated by the real etched depth which is measured by the film thickness measurement mechanism, the set value of the etched depth, and the etching rate in the film to be etched. - 特許庁

従来の銀系薄膜用エッチング液よりも、エッチング残渣が発生せず（とくに金残渣が発生しない）、エッチング精度およびエッチング速度が優れた銀系薄膜用エッチング液を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching solution for a silver-based thin film which has does not field an etching residue (in particular gold residue), and has an excellent etching precision and an excellent etching rate compared with the conventional etching solution for a silver-based thin film. - 特許庁

この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。例文帳に追加

This new etchant does not contain chromium, and makes it possible to realize a significantly sufficient etching speed and a significantly satisfactory etching result. - 特許庁

エッチング速度の向上を図りつつ、良好な面内均一性を得ることができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching apparatus and an etching method capable of obtaining excellent in-plane uniformity while improving an etching rate. - 特許庁

エッチング速度の変動が少ないエッチングパラメータが得られるプラズマエッチングの試行方法を提供する。例文帳に追加

To a plasma etching trial method which can obtain etching parameters with a less-fluctuated etching rate. - 特許庁

エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of determining an etching finish time when a desired etching amount is obtained, based on an etching speed. - 特許庁

したがって、エッチング液の淀みによるエッチング速度の低下を抑え、被加工物３に対して均一なエッチングが行える。例文帳に追加

Thus, degradation of the etching speed by the stagnation of the etching solution is suppressed, and the uniform etching is achieved to the work 3. - 特許庁

ダミーパターン１２の溝の形成のためのエッチングの際は、絶縁層のエッチングの速度に対し、耐エッチング膜６のエッチングの速度が1/10以下であるため、これがエッチングストッパーとして機能し、第１の絶縁層５にまでエッチングが進むことがない。例文帳に追加

When performing etching for forming grooves of dummy patterns 12, since the etching rate of the etching-resistant film 6 is made not higher than one-tenth of the etching rate of the second insulation layer, the etching-resistant film 6 functions as an etching stopper so that the etching does not proceed to the first insulation layer 5. - 特許庁

そして、第二薄膜４０のエッチング速度又は溶解速度は、第三薄膜５２，５０のエッチング速度又は溶解速度よりも低い。例文帳に追加

The etching rate or the dissolution rate of the second thin film 40 is lower than the etching rate or the dissolution rate of the third thin films 52, 50. - 特許庁

酸化剤をエッチングガス混合物に加えることは、窒化シリコン（５）のエッチング速度を高める一方で、導電性酸化物（４）のエッチング速度を下げ得、改良したエッチング選択性がもたらされる。例文帳に追加

Adding an oxidant to an etching gas mixture can increase the etching rate of silicon nitride (5) while reducing the etching rate of a conductive oxide (4), resulting in improved etching selectivity. - 特許庁

多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。例文帳に追加

The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon. - 特許庁

制御部は、２つの干渉光のうち振幅の大きいほうの干渉光の周波数から、エッチング速度を求め、求めたエッチング速度とエッチングを行った時間とから、エッチング深さを算出する。例文帳に追加

The control unit obtains an etching speed, based on the frequency of the interference light having the larger amplitude than the other, and calculates the etching depth, based on the obtained etching speed and time for performing the etching. - 特許庁

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。例文帳に追加

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished. - 特許庁

酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。例文帳に追加

To enhance the uniformity of etching speed of a processed substrate and between the processed substrates in the etching of silicon oxide, especially, of a plurality of processed substrates. - 特許庁

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。例文帳に追加

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished. - 特許庁

ここで、第１ステップのエッチングで、第１の酸化膜のエッチング速度の大きな化学薬液が用いられ、第２ステップのエッチングで、エッチング速度の小さい化学薬液が用いられる。例文帳に追加

In this case, the liquid chemical of the high etching speed of the first oxidized film is used in the etching of the first step, and the liquid chemical of a low etching speed is used in the etching of a second step. - 特許庁

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。例文帳に追加

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process. - 特許庁

側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。例文帳に追加

Thus, the metallic pattern 2p is formed. - 特許庁

故に、その後に進行するエッチング過程で、エッチングマイクロ負荷効果により広い開口中のエッチング速度が狭い開口中のエッチング速度より速くなっても、広い開口の底部の被覆層のエッチングに比較的多くの時間がかかるため、エッチングマイクロ負荷効果が明らかに堆積された被覆層により打ち消され、エッチングで形成される広いトレンチと狭いトレンチの深さが同じとなる。例文帳に追加

As a result, the depths of the narrow contact hole and the wide trench becomes equal, and the number of required apparatus is decreased while improving the throughput. - 特許庁

この前者のエッチングから後者のエッチングへの切換えを、最もエッチング速度が速いパターン（最もサイズが大きいパターン）におけるエッチングが下地の絶縁膜との界面にまで進行したタイミングで行う。例文帳に追加

The former etching is switched to the latter etching at a timing when the etching in the highest etching rate pattern (the largest size pattern) proceeds to an interface with a lower insulation film. - 特許庁

臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide an etchant composition which prevents the problems of generation of odor and deterioration of an etched substrate, or the like, due to corrosion and exhibits sufficient etching rate and etching selectivity especially for an indium oxide based film. - 特許庁

そのためエッチングの均一化を促進し、且つ連続的にエッチング表面へ新鮮なエッチング液がスプレーされるのを利用し、エッチング速度を増進するものである。例文帳に追加

The unification of etching is accelerated and the spraying is utilized to a fresh etching liquid onto the etching surface continuously, thus increasing etching speed. - 特許庁

エッチング液の安定性が高く、エッチング速度が速く、サイドエッチングも少なく、パターンの直線性も良好なエッチング剤を提供する。例文帳に追加

To provide an etching agent such that etching liquid is high in stability and fast in etching speed, side etching is small, and linearity of a pattern is excellent. - 特許庁

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。例文帳に追加

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion. - 特許庁

従来よりもエッチング速度を向上させ、全てのエッチングをウェットエッチングで高精度に行ない、さらに薬液の回収システムを含めた半導体ウェハエッチング装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer etching apparatus which can improve an etching rate better than that of a prior art, can perform every etching process by a wet etching method with higher accuracy and can further include a chemical solution collecting system. - 特許庁

また、多結晶シリコン膜エッチング時のシリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために、少なくとも金属膜エッチング条件と多結晶シリコン膜エッチング条件を分けて処理する。例文帳に追加

With etching using the plasma 105 at a high temperature, the etching speed of the metal film is raised while that of the semiconductor film is not raised. - 特許庁

銅薄膜のエッチングにあたり、エッチング速度変化の問題を生じさせないエッチング補給液及び、これを用いた銅薄膜エッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching replenishment liquid, where, at the time when a copper thin film is etched, the problem of the change in an etching rate is not caused, and to provide an etching method for a copper thin film using the same. - 特許庁