「エッチング速度」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents current driving capability by preventing parasitic resistance from increasing while taking into consideration an influence of etching on a semiconductor substrate on an NMOS transistor, and thus prevents the operation speed of a semiconductor integrated circuit from decreasing. - 特許庁

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果と呼ばれる現象を防止し、レチクル等のフォトマスクに対する均一な現像処理が可能な液処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid treatment device capable of preventing a phenomenon or so called a loading effect, wherein the production amount of resolution products or the concentration of a developing solution becomes different locally and an etching speed or the like is changed, and capable of uniformly developing a photo mask such as a reticle or the like. - 特許庁

誘電率が４以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing silicon carbide film which secures a dielectric coefficient of 4 or less, stable film stress even when the film is left in the atmosphere, a small leak current, extremely slow dry etching velocity which is lower than that of the silicon oxide film including carbon, and may be used as an etching stop film of copper wiring. - 特許庁

研磨速度が速く、研磨表面への傷やエッチングを抑制し、優れた加工表面を得ることができ、研磨終了後にも研磨剤を含む廃棄物がほとんど発生しない金属用研磨パッド、それを用いてなる研磨装置、及び研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing pad which can make high speed polishing, restrains the generation of scratches and etchings on polished surfaces providing excellent machined surfaces and scarcely generates waste including abrasives, and a polishing device comprising the polishing pad used and a polishing method using the pad. - 特許庁

排気装置による排気速度を調節して、ウェハー２０の周縁部で塩素ガスの濃度を高く制御し、この塩素ガスのプラズマＰ２でウェハー２０の周縁部を包み込み、そこに付着した不要物をエッチング除去する。例文帳に追加

The concentration of chlorine gas around the peripheral edge of the wafer 20 is controlled to a high concentration by controlling an exhaust speed of an exhausting apparatus and the peripheral edge of the wafer 20 is covered with the chlorine gas plasma P2 to etch and remove the unnecessary object stuck thereon. - 特許庁

個別インク室５を結晶面方位（１１０）のシリコンに異方性エッチングで形成した場合でも、インク液滴はノズル面３ａに対して鉛直方向に真っ直ぐ吐出するので、印字品質がよく、かつ、応答速度の速いインクジェットヘッドを実現することが可能になる。例文帳に追加

Even when each ink chamber 5 is formed on the silicon of crystal plane orientation (110) with an anisotropic etching, an ink droplet is straightly ejected in the vertical direction with respect to a nozzle surface 3a and therefore the inkjet head having superior printing quality and a quick response speed can be achieved. - 特許庁

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果を防止し、レチクル等の被処理基板に対する均一な現像処理が可能な液処理方法及び液処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for liquid treatment enabling uniform development for a substrate to be processed, such as a reticle by preventing a loading effect in which the etching rate, etc., changes due to local variations in amounts of dissolution product or concentration of developer liquid. - 特許庁

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。例文帳に追加

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method. - 特許庁

ダイヤモンドの合成速度もしくは合成コストの何れをも犠牲にすることなく、各種炭素皮膜の合成及び試料基板表面の改質，エッチングに適用可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method which can be used for synthesis of various carbon coatings, and for reforming and etching of the surface of a sample substrate, without sacrificing any of speed and cost for synthesizing diamond, and to provide an apparatus therefor. - 特許庁

第１の基板１１と、第２の基板１２と、第１の基板と第２の基板を接着するために第１の基板と第２の基板との間に設けられ、第１および第２の基板のエッチング速度より速い材料から構成されて一部が除去された介在層１３とを備えている。例文帳に追加

A bonded semiconductor substrate comprises a first substrate 11, a second substrate 12, and an interposing layer 13 formed between the first and the second substrate and is formed of a material having a higher etching speed than those of the first and the second substrate and part of which is eliminated. - 特許庁

本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a multi-chamber system which includes etching facilities for manufacturing the semiconductor device with a plurality of process chambers arranged in series in a multi-layered configuration so as to be effectual for improving a wafer transfer rate and so on. - 特許庁

個別インク室５を結晶面方位（１１０）のシリコンに異方性エッチングで形成した場合でも、インク液滴はノズル面３ａに対して鉛直方向に真っ直ぐ吐出するので、印字品質がよく、かつ、応答速度の速いインクジェットヘッドを実現することが可能になる。例文帳に追加

Even when each ink chamber 5 is formed on silicon of crystal plane orientation (110) with an anisotropic etching, an ink droplet is straightly ejected in the vertical direction with respect to a nozzle surface 3a and, therefore, the inkjet head having preferable printing quality and a quick response speed can be provided. - 特許庁

多層プリント配線板の絶縁層１５として用いる絶縁樹脂組成物において、プラズマ処理により前記絶縁層の表面に凹凸形状を得るために、プラズマ処理のエッチング速度に差があり、且つ相互に相溶しない２種以上の樹脂を含むようにする。例文帳に追加

In this insulating resin composition, which is used as an insulating layer 15 for a multilayer printed wiring board, two or more kinds of resins which have difference in the etching rate of a plasma treatment and which are not mutually compatible are contained, in order to obtain an uneven shape on the surface of the insulating layer 15 by the plasma treatment. - 特許庁

ホールパターンの疎密さかかわらず均一に埋め込みを行うことができる良い埋め込み特性を有し、かつエッチング速度が大きい有機系高分子材料を用いた半導体装置の製造方法、半導体装置の製造方法に使用する埋め込み材料および半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device using an organic polymer material having good burying characteristics capable of uniformly burying irrespective of roughness or denseness of a hole pattern, a burying material used for the method for manufacturing the semiconductor device and the semiconductor device. - 特許庁

ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which degradation of a current drive capacity is prevented and degradation of an operating speed of a semiconductor integrated circuit is prevented by preventing an increase of a parasitic resistor in consideration of an influence due to etching a semiconductor substrate to an NMOS transistor. - 特許庁

本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor devices using a multichamber system of etching facility for manufacturing semiconductor devices, which has effects of increasing a transfer speed of wafers and the like by arranging many process chambers in series in many layers. - 特許庁

透明性に優れ、高い導電性（比抵抗値が低い）を有し、エッチング速度が均一で速く、更に形成過程において安全性が高い透明導電膜を形成する方法と上記方法で作製された透明導電膜及び透明導電膜を有する物品を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming transparent conductive film excellent in transparency, high in conductivity (low resistance value), uniformly high in etching speed and safe during forming process, the transparent conductive film manufactured with the method mentioned above, and an article including the transparent conductive film. - 特許庁

枠部を共有するため小型化でき、フォトリソやエッチングなどの工程で一つのチップに一括形成できるので製造コストが低く、かつ複数のセンサー素子の加速度検出軸をフォトリソマスク精度で高精度に一致させることができる。例文帳に追加

The miniaturization is allowed by sharing the frame section, the manufacturing cost is low because collective formation on one chip is allowed by a process of photolithography, etching or the like, and the acceleration detection axes of the plurality of sensor elements are aligned at a high photolithography mask accuracy. - 特許庁

したがって、注入口と排出口が異なる位置に配設されることに起因して洗浄開始時点や洗浄終了時点でタイムラグが存在するものの、基板各部が異なるエッチング速度で処理される時間のバラツキを抑えたり短縮することができる。例文帳に追加

Therefore, although a time lag is present between time points of starting and ending the cleaning, as an inlet and an outlet are located at different positions; time periods when respective parts of the substrate are processed at different etching speeds can be inhibited in fluctuation or can be shortened. - 特許庁

ウエットエッチング加工で製作する振動ジャイロ用水晶振動子の振動脚の側面残渣は、角速度が発生していないときも振動脚に面外振動を生じる原因となるが、そのような面外振動を生じない水晶振動子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing quartz vibrator preventing out-of-plane vibration that arises at vibration leg even at the absence of angular velocity because of residues of a side surface of the vibration leg of a quartz vibrator for vibration gyro in wet etching process. - 特許庁

サイドウォールスペーサは、ゲート電極５の側壁に直接接触する最も内側の内側絶縁膜８ａと、内側絶縁膜８ａとエッチング速度の異なるものであり、内側絶縁膜８ａを覆う、外側絶縁膜６ａとからなる。例文帳に追加

A sidewall spacer is composed of innermost side insulating film 8a in direct contact with the sidewall of a gate electrode 5, as well as outside insulating film 6a in different etching rate from that of the innerside insulating film 8a covering the innerside insulating film 8a. - 特許庁

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。例文帳に追加

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching. - 特許庁

半導体デバイス上に施したＣｕ及びＣｕ合金を有する面を研磨する際の研磨液として、ディッシング等の表面欠陥発生の要因となる砥粒を全く含有せず、実用的な加工速度２００ｎｍ／ｍｉｎが達成でき、エッチング速度も極めて低い高加工特性を提供する。例文帳に追加

To provide a high processing characteristic in which, as a polishing agent for polishing a plane having Cu and a Cu alloy applied on a semiconductor device, adhesive grains leading to a factor of surface defects such as dishing or the like are not at all included, and a practical processing speed of 200 nm/min can be attained, and an etching speed is very low. - 特許庁

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、従来より広いフォーカス深度マージン及び高い解像度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものである。例文帳に追加

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, free of intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a higher dry etching rate than the photoresist and ensuring a larger margin for the depth of a focus and higher resolution than a conventional antireflection film. - 特許庁

ビフェニルテトラカルボン酸類およびピロメリット酸二無水物類を含む酸二無水物成分と、ジアミン成分を共重合してなるポリイミドフィルムであって、１Ｎ水酸化カリウム溶液でのエッチング速度が、該ポリイミドフィルムの片面につき、０．１μｍ／分（片面）以上であるポリイミドフィルムによって上記課題を解決しうる。例文帳に追加

This polyimide film is formed by copolymerizing an acid dianhydride component containing biphenyltetracarboxylic acids and pyromellitic dianhydrides and a diamine component, wherein the polyimide film has the etching speed of ≥0.1μm/min(single side), when a single side of the film is subjected to etching with a 1N potassium hydroxide solution. - 特許庁

本発明のプラズマ表示パネルの隔壁用グリーンシート１００は、ベースフィルム１１０の一面に形成された第１膜形成材料層１２０と、該第１膜形成材料層１２０の一面に形成された第２膜形成材料層１３０と、を備え、上記第１膜形成材料層１２０と第２膜形成材料層１３０とはエッチング速度が異なるものである。例文帳に追加

A green sheet 100 for the barrier rib of a plasma display panel has a first film forming material layer 120 formed on one face of a base film 110 and a second film forming material layer 130 formed on one face of the first film forming material layer 120, and the first film forming material layer 120 and the second film forming material layer 130 have different etching rates. - 特許庁

コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。例文帳に追加

During the step of removing the coating material from the patterning device, the temperature of the patterning device does not exceed a critical temperature causing damage to the patterning device, while maintaining a plasma etching rate of at least 0.2 μm/min, particularly 0.5 μm/min, particularly 1 μm/min, particularly 2.5 μm/min, particularly 5 μm/min. - 特許庁

錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。例文帳に追加

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process. - 特許庁

結晶軸ｚに対して角θを形成するように石英単結晶から予めカットした薄辺のフォトリソグラフィおよびエッチング加工によりゼンマイの高さｈのひげゼンマイを製作することによって、ひげゼンマイの熱的振舞いをてんぷの熱的振舞いに適応させ、それによって温度変化による速度変化を減少させる。例文帳に追加

The hair-spring is manufactured by photolithography and etching in a strip 3 pre-cut from a quartz monocrystal such that the height h of the spring forms, relative to the crystallographic axis z, an angle theta for adapting the thermal behavior of the hair-spring to that of the balance, thereby reducing the variation of rate due to temperature variations. - 特許庁

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。例文帳に追加

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution. - 特許庁

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。例文帳に追加

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition. - 特許庁

レジスト直描方式を用いたレジストパターンの形成に用いられるレジストインクにおいて、レジストパターンの硬化速度、耐エッチング性、剥離性等が十分で、導体パターンの製造歩留まりや製造所要時間が満足のいく、感光性レジストインクを提供し、レジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide photosensitive resist ink which is used for forming a resist pattern by a direct resist drawing method and has sufficiently high resist pattern curing speed, etching resistance, peelability, etc., and with which the manufacturing yield and manufacturing time of a conductor pattern can be improved; and to provide methods of manufacturing resist pattern, conductor pattern, and printed wiring board. - 特許庁

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist. - 特許庁

この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。例文帳に追加

This acceleration sensor 1 is acquired by forming the supports 3 and the beams 14 on the substrate 2, then sticking a silicon substrate to be base substances for the weights 33, to the supports 3 and the beams 14 together through the connecting portions 34 made of metallic materials, and working the silicon substrate 44 into a structure having the weights 33 by selective etching. - 特許庁

エッチング速度が遅い基板から容易に所望の形状に成形することができる基板の製造方法、及び無電解めっき法を用いて金属膜を生成する基板の製造方法と、これらの製造方法によって製造された水晶振動片、ジャイロ振動片及び表示用基板を提供することにある。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a substrate capable of easily forming a required configuration from a substrate slow in etching speed, the manufacturing method of a substrate which forms a metal film employing non-electrolytic plating, and a crystal oscillating piece, a gyroscope oscillating piece and the substrate for indication which are manufactured by these manufacturing methods. - 特許庁

半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、半導体基板上のホールの充填性に優れた有機下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a base-layer film forming composition for lithography which is used for a lithography process of manufacturing a semiconductor device, has a faster dry etching speed than photoresist, and does not cause intermixing with the photoresist, and is for forming an organic base layer film having excellent charging property of a hole on a semiconductor substrate. - 特許庁

ドライエッチングに対する削れ方の速度が主磁極層２９と第１の非磁性層３１とで異なることを利用して、第１の非磁性層３１の内側面３１ｂ，３１ｂと、主磁極層２９の上面２９ａからなる溝部Ｇを形成し、溝部Ｇの上に非磁性材料層３２を介して、補助磁極層３３を形成する。例文帳に追加

Utilizing the difference of speeds of scraping a main pole layer 29 and a nonmagnetic layer 31 by dry etching, a groove G composed of inside faces 31b and 31b of a first nonmagnetic layer 31 and a top face 29a of the main magnetic pole layer 29 is formed, and an auxiliary magnetic pole layer 33 is formed on the groove G via a nonmagnetic material layer 32. - 特許庁