「エッチング速度」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体ウェハのエッチング速度変化を最小にする方法例文帳に追加

METHOD FOR MINIMIZING CHANGE IN ETCHING RATE OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

精度および信頼性の高いエッチング速度測定をリアルタイムで行う。例文帳に追加

To measure etching rate with high precision and high reliability on real-time. - 特許庁

反応速度が速く、均一性の良いエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method exhibiting high rate of reaction and uniformity. - 特許庁

第２のマスク・フィルム５９および第４のマスク・フィルム６１は、実質的に等しいエッチング速度を有し、このエッチング速度は、第１および第３のマスク・フィルムのエッチング速度とは異なる。例文帳に追加

The second mask film 59 and the fourth mask film 61 have virtually equal etching rates, which are different from those of the first and the third mask films. - 特許庁

例えば、第１のステップは、酸化物１０８のエッチング速度を速くし、第２のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料１１４のエッチング速度を速くする。例文帳に追加

For example, in the first step the etching speed of an oxide 108 is increased, and in the second step, the etching speed of the oxide is reduced and the etching speed of other material 114 is increased. - 特許庁

第２のマスク・フィルムおよび第４のマスク・フィルムは、実質的に等しいエッチング速度のフィルムを有し、このエッチング速度は、第１および第３のマスク・フィルムのエッチング速度とは異なる。例文帳に追加

A second mask film and a fourth mask film have films of substantially equal etch rates, and the etch rate is different from the etch rate of the first and third mask films. - 特許庁

フッ素原子を含むエッチングガスのプラズマにより、シリコンとチタンまたはチタン化合物と有機物を含む被エッチング物をエッチングするドライエッチング方法において、エッチング速度を安定にする方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To stabilize the etching rate in a method for dry etching an article containing silicon and titanium or a titanium compound and an organic matter by the plasma of etching gas containing fluorine atoms. - 特許庁

塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method which can stably etch without adopting the above-mentioned remedy without changing the etching speed even when a basic etchant is used repeatedly when a silicon is anisotropically etched by using the basic etchant. - 特許庁

硝酸第二セリウムアンモニウム、硝酸及び水を含むエッチング液を用いるエッチングにおいて、不溶性化合物の析出を確実に防止することができ、しかもエッチング速度も良好で量産性に優れたエッチング液及びエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching solution and an etching method, in etching using an etching solution containing cerium (TV) nitrate ammonium capable of surely preventing the precipitation of insoluble compounds, further good in the etching rate and excellent in mass-productivity. - 特許庁

シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。例文帳に追加

To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed. - 特許庁

よって、エッチングによる溝が深くなってエッチング液４の液溜りにより液圧が溝底まで伝わり難くなったときにエッチング抑制被膜５の厚さを薄くでき、エッチング速度の安定化を図れると共に深さ方向へのサイドエッチング量の分布を均一化でき異方性を高くできる。例文帳に追加

Therefore, when the groove by the etching becomes deeper and liquid pressure becomes difficult to be transmitted to a bottom of the groove by accumulation of the etching solution 4, thickness of the etching controlled coating 5 becomes thin, stabilization of the etching speed is attained, and distribution of amounts of side etching to a depth direction is uniformized, and the anisotropy becomes high. - 特許庁

アルカリ過マンガン酸エッチング液から成るデスミア液を用いて樹脂部材にエッチング処理を施す際に、前記樹脂部材を形成する樹脂に対する前記デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤と、前記エッチング速度を抑制する抑制剤との少なくとも一方を用いて、前記エッチング速度を調整したデスミア液に前記樹脂部材を浸漬してエッチング処理することを特徴とする。例文帳に追加

In performing the etching treatment of a resin member using desmear liquid consisting of alkali permanganic acid etching liquid, the resin member is immersed for the etching treatment into the desmear liquid wherein etching speed is adjusted using at least one of the accelerator for accelerating the etching speed and the inhibitor for inhibiting the etching speed of the desmear liquid for a resin forming the resin member. - 特許庁

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component. - 特許庁

従来のエッチング液よりも、ニッケル系薄膜の積層薄膜に対して、そのエッチング角度を６０〜９０度にエッチングすることができ、ニッケル系積層薄膜を構成する各々の金属薄膜およびその酸化物薄膜に対してエッチング速度のバランスがよく、エッチング液の液疲労が少ないエッチング液およびエッチング方法の提供。例文帳に追加

To provide an etching solution that etches a Ni-based multilayered thin-film at a higher etching angle of 60-90 degrees than a conventional one does, has a satisfactory balance between etching rates to each metallic thin film and oxide thin film thereof, which compose the Ni-based multilayered thin-film, and causes little aging of the etching solution, and to provide an etching method. - 特許庁

半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価方法であり、ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングし、エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣のうち、基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出する。例文帳に追加

In a method for evaluating the watermark 20 formed on a semiconductor substrate surface, the semiconductor substrate 10 is etched by anisotropic etching with a high selection ratio wherein the etching speed of the watermark is slower than that of the substrate material, and etching residues whose height is equal to the etching depth in the substrate are extracted from etching residues in a projection shape exposed on an etching surface. - 特許庁

シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液は、金属化合物を含有し、８０℃における（１１０）面のエッチング速度が１８×１０^３Å／分以上であり、かつ８０℃における（１１０）面面方位と（１００）面面方位のエッチング速度比（１１０）／（１００）が１．７以上であるエッチング液を用いてエッチングする。例文帳に追加

Anisotropic etching of silicon is carried out by using the etching solution which contains a metal compound and has ≥18×10^3 Å/minute etching speed of a (110) plane at 80°C and a ≥1.7 etching speed ratio (110)/(100) of a (100) plane orientation to a (110) plane orientation at 80°C. - 特許庁

犠牲層５は、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液６により、単結晶シリコン基板２をエッチングする速度よりも速い速度で選択的にエッチング可能な材料で構成する。例文帳に追加

The sacrificial layer 5 is made of a material that can be selectively etched at a speed higher than the speed at which the single crystal silicon substrate 2 is etched. - 特許庁

高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an acceleration sensor that performs etching with high accuracy, and also reduces nonuniformity in etching upon etching a plurality of substrates, and to provide the acceleration sensor manufactured by the method. - 特許庁

半導体素子１では、同一のエッチング条件において絶縁層１３のエッチング速度が絶縁層１１のエッチング速度よりも速くなるように絶縁層１１及び１３が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor element 1, the insulation layers 11 and 13 are formed so that the etching speed of the insulation layer 13 may be higher than that of the insulation layer 11 on the same etching condition. - 特許庁

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。例文帳に追加

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded. - 特許庁

フォトマスク基板の面内のエッチング速度の制御性に優れたフォトマスク用プラズマエッチング装置を実現すること。例文帳に追加

To realize a plasma etching device for photomask excellent in controllability of in-plane etching speed of a photomask substrate. - 特許庁

処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which continuously performs acid etching at a high etching rate without exchanging a treatment liquid. - 特許庁

異方性エッチング処理では、結晶の｛１１１｝面よりもエッチング速度が遅い結晶面を有する凹凸が形成される。例文帳に追加

Projections/ recessions having a crystal surface which is slower in an etching velocity than the (111) surface of the crystal are formed by the anisotropic etching processing. - 特許庁

それによりエッチング速度を平均化するとともに予測可能にし、適切な時点までエッチングして「ばり」も無くす。例文帳に追加

An etching speed is thereby averaged and predicted, and "burrs" are removed by performing etching up to the proper timing. - 特許庁

続いて、合金膜２７とアルミニウム膜のエッチング速度の差を利用して、未反応のアルミニウム膜だけをエッチングにより除去する。例文帳に追加

Continuously, only an aluminum film which is not yet reacted is eliminated by etching by utilizing the difference of etch rate between the alloy film 27 and the aluminum film. - 特許庁

遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。例文帳に追加

To shorten a dry etching time and to decrease film reduction in a resist film by increasing the dry etching rate of a light shielding film. - 特許庁

有機膜のエッチング速度及び陰極膜に対する有機膜のエッチング選択比を向上させる。例文帳に追加

To improve etching speed of organic film and an etching selection ratio of the organic film with respect to a cathode film. - 特許庁

このため、ウエハ回転速度を上げたりエッチング液の供給量を少なくすることができ、エッチング幅を小さくすることができる。例文帳に追加

Thus, a wafer rotating speed is accelerated, the supply amount of the etchant is reduced, and the etching width is reduced. - 特許庁

製品の品質の許容レベルを維持しつつ、エッチング速度の増加を与えるエッチング方法の提供。例文帳に追加

To provide an etching method giving an increase in etching rate while maintaining the allowable level of the quality of a product. - 特許庁

配線１３を覆う層間絶縁膜１５の上面に、層間絶縁膜よりもエッチング速度の遅いエッチングストッパ膜１６を形成する。例文帳に追加

An etching stopper film 16 having a slower etching rate than that of an interlayer insulating film, is formed on an upper surface of the interlayer insulating film 15 covering wiring 13. - 特許庁

拡散防止膜の低誘電率膜に対するエッチング選択比は５〜１５程度、エッチング速度は３５０ｎｍ／ｍｉｎ程度を実現できる。例文帳に追加

The etching selecting ratio of the diffusion preventive film to the low dielectric constant film is set to about 5-15, and the etching speed can realize about 350 nm/min. - 特許庁

バルク吸収層エッチング工程中の自己マスク層のエッチング速度は低いため、自己マスク層はハードマスクとして機能する。例文帳に追加

The self-mask layer has a low etch rate during the bulk absorber layer etch step, thereby, acting as a hard mask. - 特許庁

エッチング処理前の水溶液処理によって、エッチング処理時の溶解除去速度が高められ、回路線端縁が鮮鋭になる。例文帳に追加

Through the treatment of the water solution before etching, melting removal speed during etching is improved, and the end edge of the circuit wire is made clear. - 特許庁

エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 4 of two kinds or more of materials which are different in an etching speed in a prescribed etching condition is formed on the emitter layer 3. - 特許庁

光検出器の上部層をエッチングする際に、ポリマーが形成されるためエッチング速度が低下する。例文帳に追加

To solve the problem wherein the etching rate is reduced since polymer is formed, when the upper layer of a photodetector is etched. - 特許庁

従って、本発明によれば、エッチング量の面内分布がより均一になるだけでなく、エッチング速度が従来に比べて早くなる。例文帳に追加

Consequently, not only the in-plane distribution of etching amount become uniform but also the etching rate is increased as compared with a conventional rate. - 特許庁

シュウ酸水溶液で透明導電膜をエッチングする際に生じる残渣を低減すると共に、エッチング速度を安定化する。例文帳に追加

To reduce residues generated in the etching of a transparent conductive film, using an aqueous solution of oxalic acid and to stabilize the etching rate. - 特許庁

プリント基板の配線パターンなどを形成するに際し、エッチング速度のバラツキを少なくできるようにしたエッチング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching apparatus by which the dispersion of etching rates can be reduced as small as possible in forming a wiring pattern on a printed circuit board. - 特許庁

エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。例文帳に追加

The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant. - 特許庁

しかし、紫外光照射領域のエッチング速度が紫外光非照射領域のエッチング速度よりも速くなるので、紫外光照射領域のエッチング速度に対して紫外光非照射領域のエッチング速度が遅くなり、これにより紫外光遮蔽膜３下の半導体薄膜２にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。例文帳に追加

However, since the etch rate of the region irradiated with ultraviolet light is higher than that of the region not irradiated with ultraviolet light, the etch rate of the region not irradiated with ultraviolet light is lower than that of the region irradiated with ultraviolet light, hardly causing side etching to the semiconductor thin film 2 below the ultraviolet light shielding film 3. - 特許庁

第２の半導体層２５に対するエッチング速度が絶縁層２３に対するエッチング速度よりも大きな第１のエッチング剤を用いて、第２の半導体層２５の絶縁層２３の上に位置している部分の一部分をエッチングすることにより除去する。例文帳に追加

Using a first etching agent having an etching speed to the second semiconductor layer 25 higher than an etching speed to an insulating layer 23, a portion of the second semiconductor layer 25 positioned on the insulating layer 23 is removed by etching. - 特許庁

膜厚測定手段により被エッチング材エッチング深さを検出しつつ、第１の深さまでエッチングする第１のステップと、引き続いて、前記第1ステップの処理速度より小さい処理速度で所定の深さまでエッチングする第２のステップとを有する。例文帳に追加

The etching treatment method comprises a first step for detecting the etched depth in a material by a film thickness measurement means and for etching to a first depth, and a second step for performing etching to a specific depth at a smaller treatment speed than that of the first step. - 特許庁

第２の半導体層１３ｐの上から、絶縁層２３に対するエッチング速度が第２の半導体層１３ｐに対するエッチング速度よりも大きな第２のエッチング剤を用いて、絶縁層２３の一部分をエッチングにより除去することにより第１の半導体領域１２ｎを露出させる。例文帳に追加

From above a second semiconductor layer 13p, by using a second etching agent having the etching speed to the insulating layer 23 higher than the etching speed to the second semiconductor layer 13p, a portion of the insulating layer 23 is etched and removed, so that a first semiconductor region 12n is exposed. - 特許庁

基板(11)と導波薄膜(12)は共にドライエッチング可能な材料から成り、基板(11)のエッチング条件において、基板(11)材料であるシリコンのドライエッチング速度は、導波薄膜(12)材料であるポリイミド樹脂のドライエッチング速度の１０倍以上である。例文帳に追加

The substrate (11) and the wave guide thin film (12) are made of materials which can be subjected to dry etching, and the dry etching speed of silicon being the material of the substrate (11) is ≥10 times as high as that of polyimide resin being the material of the wave guide thin film (12) in the etching condition of the substrate (11). - 特許庁

基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕以上であり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕未満であるレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。例文帳に追加

The adhesive sheet for laser die bonding is disclosed which is provided with at least an adhesive layer on a base material, with the etching rate of the adhesive layer as >0.4 [(μm/pulse)/(J/cm^2)] and the etching rate (etching speed/energy fluence) of the base material as ≤0.4 [(μm/pulse)/(J/cm^2)]. - 特許庁