「エッチング速度」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

レジストパターン上に表層を有し、同条件下での該表層と内層とのエッチング速度（Å／ｓ）比（内層／表層）が１．１以上であるレジストパターン。例文帳に追加

The resist pattern has a surface layer on a resist pattern with etching rate (Ånm/s) ratio (internal layer/surface layer) of 1.1 or more under the same condition. - 特許庁

さらに、上記被覆層は、ハロゲンプラズマによるエッチング速度が局所的に高い領域に厚膜部を有し、厚膜部の膜厚（ｔｔ）と、及び厚膜部以外の通常膜厚部の膜厚（ｔｎ）とが、以下の式（１）を満たす。例文帳に追加

The covering layer has a thick film in a region wherein the etching rate by the halogen plasma is partially high. - 特許庁

ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an etching height is not varied by a change in an etching speed due to ion implantation to an element isolation insulating film when forming a CMOS having an STI type element isolation structure. - 特許庁

バンプ形成用金属層１０３は、２層に分かれており、バンプ形成用金属層１０３ａと、それよりエッチング速度が速いバンプ形成用金属層１０３ｂとからなる。例文帳に追加

A bump forming metal layer 103 is composed of two layers, a bump forming metal layer 103a, and a bump forming metal layer 103b whose etching rate is higher than that of the metal layer 103a. - 特許庁

溝１５０を半導体基板表面よりも深く形成する方法として、不純物を注入することによって溝形成時のエッチング速度をかえる手法を用いる。例文帳に追加

A method for varying an etching speed at the time of forming the groove with the impurity injection is applied to the method for forming the groove 150 deeper than the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

ここで、Ａｌ−Ｓｉ配線材層１６とＴｉ密着層１２との間に、Ａｌ−Ｓｉ配線材層１６よりもエッチング速度が遅いＴｉＮバリア層１４がキャッピングされている点に特徴がある。例文帳に追加

Here, the TiN barrier layer 14 which is slower in etching rate than for the Al-Si wiring material layer 16 is capped between than the Al-Si wiring material layer 16 and the Ti adhered layer 12. - 特許庁

エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成する。例文帳に追加

The main magnetic pole layer 12 is formed through a series of patterning processes using a buffer layer 15 slow in etching speed or a nonmagnetic layer 13 as a stopper layer. - 特許庁

局所的なエッチング速度および局所的な付着レートは、同時解法される中性フラックス、表面化学カバレージおよび表面材の種類から演算される。例文帳に追加

Local etching speed and local deposit rate are calculated from the types of neutral flux, surface chemical coverage and surface materials that are solved simultaneously. - 特許庁

酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を１００℃以下の低温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an etching composition that can remove a silicon nitride at a low temperature of 100°C or less and at a selective and industrial speed without giving a damage to other semiconductor materials such as a silicon oxide or the like. - 特許庁

アルミナのエッチング加工速度を高めつつ、被処理基板へのダメージを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a damage on a substrate to be processed is suppressed while enhancing the etching rate of alumina. - 特許庁

本発明によれば、ＺｎＯ系透明電極のエッチング速度を遅くすることが可能になり、それによりパターニングの際の制御性の向上が図れるという効果がある。例文帳に追加

Thereby, etching speed of the ZnO-based transparent electrode can be made slow and improvement in controllability at the time of patterning can be achieved. - 特許庁

多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers. - 特許庁

エッチング速度が異なる２つの誘電体薄膜８ａ、８ｂを２層以上連続して形成した金属電極１ａとの組み合わせ層をくり返し交互に積層する。例文帳に追加

This manufacturing method is for laminating combined layers of two types of dielectric thin films 8a and 8b of different etching rates, each having at least two layers and combined with metal electrodes 1a, alternatively and repeatedly. - 特許庁

ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。例文帳に追加

The planarizing solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or more and contains water, at least one kind of strong base, and at least one kind of etching speed controlling agent. - 特許庁

この傾斜材料は主体となる材料にそのエッチング速度を変えうる添加物を加え、その添加濃度を連続的あるいは段階的に変化させてある。例文帳に追加

In this gradient material, to a material to make into the main body, an additive capable of changing its etching rate is added, and the adding concentration thereof is continuously or stepwise changed. - 特許庁

このため、ウェハ周辺部又はべベル部に成膜された酸化膜や窒化膜の前記イオンによるエッチング速度が遅くなり、ウェハ周辺部又はべベル部のシリコン酸化膜や窒化膜の削れ量が抑制される。例文帳に追加

Thus, the etching speed by ions of an oxidized film and a nitride film formed at the wafer peripheral part or the bevel part is lowered, and the chipping amount of the silicon oxidized film and the nitride film at the wafer peripheral part or the bevel part is suppressed. - 特許庁

板ガラス基体をできるだけ高いエッチング速度で、構造の深さが大きく、構造の寸法がより小さい高品質構造に微細構造化する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fine structuring a plate glass base body to a high quality structure having a large depth of the structure and a more smaller dimension of the structure at an etching speed as high as possible. - 特許庁

互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極１０、記録ギャップ層２０、シード層３０および上部磁極４０を形成する。例文帳に追加

A lower part magnetic pole 10, a recording gap layer 20, a seed layer 30, and an upper part magnetic pole 40 are formed by using respectively materials indicating etching speed being equal mutually. - 特許庁

本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効率にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。例文帳に追加

Etching rate uniformity improvement provided by the invention not only improves manufacturing yields but also excels in cost efficiency and does not cause risks of particulates and/or heavy metal contamination. - 特許庁

単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving etching speed when manufacturing a semiconductor device that uses a single crystal silicon substrate. - 特許庁

高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus that has excellent plasma generation efficiency, a high etching speed and high throughput for input power of high-frequency electric power. - 特許庁

したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。例文帳に追加

Accordingly, a large quantity of the chlorine plasma without reacting on the mask diffuses into an opening at the center part of a diffraction grating large in mask width, whereby the concentration of the chlorine plasma in the opening is increased and etching speed is increased. - 特許庁

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a curing composition for transfer materials, which is suitable for a nanoimprint method in which selectivity of a dry etching speed with argon gas and oxygen gas is high, and which is capable of forming a fine pattern with a high throughput. - 特許庁

基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask. - 特許庁

ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。例文帳に追加

A flattening solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or higher and contains water, at least one kind of a strong base, and at least one kind of an etching speed control agent. - 特許庁

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。例文帳に追加

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method. - 特許庁

水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。例文帳に追加

To provide a device for processing a substrate, capable of suppressing degradation of etching speed due to stay of a low-concentration chemical, in a horizontal transport type device for processing a substrate. - 特許庁

高い研磨速度と高いエッチング抑制効果を両立して発現でき、均一で安定的な効果が得られ、従来汎用の研磨装置を用いることも可能である、ＣＭＰ用の研磨液組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid composition for CMP which can exhibit a high polishing speed and a high etching suppression effect at the same time, can provide for a uniform and stable effect, and can be used even in a conventional wide-use polishing apparatus. - 特許庁

エッチング速度に優れ、クリーニング効率が高くかつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガスおよびクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning gas, a cleaning method and a method of manufacturing semiconductor device which assure excellent etching rate, cleaning efficiency and higher cost performance, and to provide a cleaning gas, a cleaning method and a method of manufacturing semiconductor device, which assure excellent etching rate, cleaning efficiency and higher cost performance. - 特許庁

反応開始剤から酸及び塩基の少なくともいずれかを発生させ、それをインプリント膜の下地膜の側の部分に導入し、エッチング速度をそれ以外の部分よりも高くする。例文帳に追加

At least any of acid and base is generated from the reaction initiator, and the acid or the base is introduced to the base film side of the imprint film so as to make an etching speed of the base film side of the imprint film faster than that of other portions. - 特許庁

所望の高感度・高解像度およびレジスト膜の環境安定性を持ちつつ、エッチング耐性、現像液に対する溶解速度、感度を向上させることのできるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a positive resist composition for improving etching resistance, a dissolution speed to a development liquid and sensitivity while having desired high sensitivity, high resolution and environmental stability of a resist film. - 特許庁

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a hardening component for a transferring material which is preferable to a nano-imprint method that the selectivity of a dry etching speed of an argon gas and an oxygen gas is high and can form a fine pattern with a high throughput. - 特許庁

被処理基板Ｓに対するプロセスガスの供給量をエッチング面全体にわたって均一化するために、回転制御手段１４により被処理基板Ｓの回転の角速度を１回転中において変化させる。例文帳に追加

Since the supply quantity of process gas to the substrate to be processed S is uniformized for the whole etching face, a rotation control means 14 changes the angular velocity of the rotation of the substrate to be processed S during one turn. - 特許庁

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。例文帳に追加

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass. - 特許庁

第１のアンテナのサイズと、基板支持体との間の距離は、基板支持体上の基板のエッチング速度が実質的に均一であるようなサイズ及び距離である。例文帳に追加

The size of the first antenna and a distance between the substrate supporting member are so defined as the etching rate of the substrate on the substrate supporting member which is substantially uniform. - 特許庁

窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝１２内を1700℃〜2750℃に熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦（平坦度〜0.3nm）な面が従来よりも高速（エッチング速度200〜300μm/hour）に得られる。例文帳に追加

The crucible 12 is heated in a range from 1,700°C to 2,750°C under a nitrogen atmosphere to obtain a planarized surface at an atomic level (planarity of about 0.3 nm) at a higher speed (etching rate of 200-300 μm/hour) than that in a prior method. - 特許庁

次に、潜像１１０部分と未感光部分の膜厚差とエッチング速度差がバランスする現像条件で現像処理して感光性樹脂膜１０７を平坦化する。例文帳に追加

Then, the photopolymer film 107 is planarized by a development process under development condition under which differences between a latent image 110 portion and a non-exposed portion in film thickness and etching speed are balanced. - 特許庁

非磁性材料のエッチング速度と表面の平坦性をともに改善でき、磁気記録層へのダメージが少なく、浮上特性も良好な磁気記録媒体を製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of improving both of the etching speed of a nonmagnetic material and the flatness of a surface, and manufacturing a magnetic recording medium having little damage to a magnetic recording layer and good floating characteristics. - 特許庁

エッチング速度に優れ、クリーニング効率が高くかつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガス及びクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning gas and cleaning method which have an excellent etching-speed, a high cleaning-efficiency, and a superior cost-performance, as well as a method for manufacturing semiconductor devices. - 特許庁

露光工程なしで現象溶液に対して容易なエッチング速度を有する共重合体、分子樹脂組成物及びそれを用いたパターン及びキャパシタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a copolymer having easily processable etching rate to a developing solution without light exposure, a molecular resin composition, a method for forming a pattern by using the composition and a method for producing a capacitor. - 特許庁

セラミックス基板１上に発熱体膜２ａを形成し、サンドブラスト又はドライエッチングによる除去速度が発熱体膜２ａと同じオーバーコート膜３をスピンコートにより形成する。例文帳に追加

An exothermic body film 2a is formed on the ceramics substrate 1, and an overcoat film 3 in which removing rate by sand blast or by dry etching is same as that of the exothermic body film 2a is formed by means of a spin coating. - 特許庁

磁性層に腐食を発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用する装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a manufacturing method of the thin-film magnetic head which can make an etching speed fast and improve a mask selection ratio without corroding a magnetic layer, and further a device used for the implementation of the method. - 特許庁

半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な表面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide colloidal silica for mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica. - 特許庁

エッチング速度に優れ、クリーニング効率が高くかつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガス及びクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning gas which has a fast etching speed, a high cleaning efficiency and an excellent cost-performance, a cleaning method and a manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

基板表面で起きるエッチングやめっき等の基板処理速度をより均一に向上させ、例えばめっきにあっては、より均一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成できるようにする。例文帳に追加

To more uniformly improve the substrate processing rate of etching, plating, etc., applied onto a substrate surface, e.g. easily and quickly form a plating film of a more uniform thickness. - 特許庁